一种导电泡沫电极结合柔性应变片的传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN112461414B

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202011292126.2

    申请日:2020-11-18

    Abstract: 本发明公开了一种导电泡沫电极结合柔性应变片的传感器及制备方法,传感器包括柔性片以及沿柔性片两端对称设置的导电泡沫;柔性片与泡沫电极接触;柔性片由导电纳米线分散在含固化剂的有机溶剂中制备;导电泡沫上设置有导线。制备过程为取导电纳米线分散在含固化剂的有机溶剂中得到混合溶液;然后将混合溶液滴定在对称放置的留有空隙的导电泡沫之间,使混合溶液填满空隙并固化;固化完成后,从导电泡沫上引出导线作为电极得到应力阻变传感器。本发明保证了应变片和电极间的充分和强烈的接触,调控工艺简单易行、成本低、制备的传感器阻变稳定、灵敏度高。

    一种导电泡沫电极结合柔性应变片的传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN112461414A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011292126.2

    申请日:2020-11-18

    Abstract: 本发明公开了一种导电泡沫电极结合柔性应变片的传感器及制备方法,传感器包括柔性片以及沿柔性片两端对称设置的导电泡沫;柔性片与泡沫电极接触;柔性片由导电纳米线分散在含固化剂的有机溶剂中制备;导电泡沫上设置有导线。制备过程为取导电纳米线分散在含固化剂的有机溶剂中得到混合溶液;然后将混合溶液滴定在对称放置的留有空隙的导电泡沫之间,使混合溶液填满空隙并固化;固化完成后,从导电泡沫上引出导线作为电极得到应力阻变传感器。本发明保证了应变片和电极间的充分和强烈的接触,调控工艺简单易行、成本低、制备的传感器阻变稳定、灵敏度高。

    一种荧光墨水及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN110144143A

    公开(公告)日:2019-08-20

    申请号:CN201910490515.7

    申请日:2019-06-06

    Abstract: 本发明公开了一种荧光墨水及其制备方法和用途,其制备方法包括以下步骤:步骤1,将碳源溶于去离子水,通过水热法,得到含有碳纳米颗粒的母溶液;步骤2,将步骤1得到的母溶液离心,得到碳纳米颗粒,再加水制备成墨水,或者直接利用母溶液作为墨水;步骤3,将步骤2得到的墨水中添加表面活性剂,得到所述的稳定荧光墨水。本发明首次提出了通过水热法制备碳纳米颗粒荧光墨水,具有以下主要的优点:调控工艺简单易行、成本低、绿色环保无污染等优点,能够适应大规模的生产,具有十分广泛的市场应用价值。

    一种提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法

    公开(公告)号:CN105624625B

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201610133598.0

    申请日:2016-03-09

    Abstract: 一种提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法,在制备ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜过程中,当磁控溅射中间层金属Ag层时,在溅射气体氩气中通入的适量的氧气作为反应气体,所述氧气与氩气的体积比为1:100~3:100;利用氧气对Ag纳米颗粒生长过程中的诱导作用,使得生长在底层ZnO薄膜上的Ag纳米颗粒变得井然有序,有效的改善了Ag层的形貌。实现提高ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜透光性和导电性的目的。本发明采用室温下磁控溅射方法制备ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜具有较好的透光性、导电性和稳定性,可以有效的取代ITO用做有机发光二极管或太阳能电池透明电极。

    基于BiFe0.9Ni0.1O3/P(VDF-TrFE)的多态存储器件及制备方法

    公开(公告)号:CN107579152A

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201710666002.8

    申请日:2017-08-04

    Abstract: 本发明公开了基于BiFe0.9Ni0.1O3/P(VDF-TrFE)的多态存储器件及制备方法。所述存储器件由衬底、底电极、多态存储层和顶电极组成,器件单元为三明治结构,多态存储层采用10%镍掺杂的铁酸铋BiFe0.9Ni0.1O3和聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物P(VDF-TRrE)的复合薄膜。具体制备方法为,采用水热法制备均匀的BiFe0.9Ni0.1O3纳米颗粒,然后与P(VDF-TRrE)溶液混合;再选用FTO导电玻璃为衬底,FTO为底电极,采用刮涂法制备BiFe0.9Ni0.1O3/P(VDF-TrFE)复合薄膜;最后,用真空蒸镀顶电极。这样得到基于BiFe0.9Ni0.1O3/P(VDF-TrFE)复合薄膜的多态存储器件,该存储器件可以表现出两个磁化态和两个极化态,分别代表四种信息记录状态。

    一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器

    公开(公告)号:CN106206829B

    公开(公告)日:2017-11-14

    申请号:CN201610614357.8

    申请日:2016-07-29

    Abstract: 本发明属于光电探测技术领域,提供一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。所述的可见光探测器由衬底1、底电极2、可见光吸收层3和顶电极4组成,可见光探测器为最简单的三明治结构,可见光吸收层3为锰掺杂氮化铜薄膜,位于底电极2和顶电极4之间。其制造方法为,首先将透明导电玻璃刻蚀,形成0.8cm宽的透明导电窄条,然后利用磁控溅射技术沉积锰掺杂氮化铜薄膜,最后用磁控溅射或者蒸发蒸镀的方法沉积金属顶电极4,便得到基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。该可见光探测器拥有良好的光响应度、持久可重复跳变性能、快速的响应时间,且结构简单,制作成本低,原料丰富易得,制造方法简单,采用磁控溅射和蒸镀技术,可以规模化生产。

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