公开(公告)号：CN110085518B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201910373354.3

申请日：2019-05-06

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 黄晓明 ,  熊康林 ,  刘建华 ,  黄智 ,  郭宇锋 ,  姚小江

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/683 ,  H01L29/778 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明揭示了一种选择性电化学方法剥离的可转移GaN薄膜及其器件的制备方法，可转移GaN薄膜包括依次按序叠放的衬底、第一GaN缓冲层、牺牲层、第二GaN缓冲层和器件制备层，以衬底为载体，在衬底上首先生长第一GaN缓冲层，然后在第一GaN缓冲层上生长σ掺杂的牺牲层，接着生长第二GaN缓冲层和器件制备层，并用微加工工艺制备目标器件，然后生长钝化层，去除牺牲层并将剥离下来目标器件的正面与临时衬底结合，最后将目标器件与目标衬底键合并去除临时衬底。该剥离技术能够精确地刻蚀高掺杂浓度的n型氮化镓牺牲层，具有快速、大面积剥离氮化物外延层的优势；同时，剥离的氮化镓薄膜表面粗糙度低，益于异质集成。

公开(公告)号：CN110085518A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910373354.3

申请日：2019-05-06

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 黄晓明 ,  熊康林 ,  刘建华 ,  黄智 ,  郭宇锋 ,  姚小江

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/683 ,  H01L29/778 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明揭示了一种选择性电化学方法剥离的可转移GaN薄膜及其器件的制备方法，可转移GaN薄膜包括依次按序叠放的衬底、第一GaN缓冲层、牺牲层、第二GaN缓冲层和器件制备层，以衬底为载体，在衬底上首先生长第一GaN缓冲层，然后在第一GaN缓冲层上生长σ掺杂的牺牲层，接着生长第二GaN缓冲层和器件制备层，并用微加工工艺制备目标器件，然后生长钝化层，去除牺牲层并将剥离下来目标器件的正面与临时衬底结合，最后将目标器件与目标衬底键合并去除临时衬底。该剥离技术能够精确地刻蚀高掺杂浓度的n型氮化镓牺牲层，具有快速、大面积剥离氮化物外延层的优势；同时，剥离的氮化镓薄膜表面粗糙度低，益于异质集成。