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公开(公告)号：CN119881809A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510330046.8
申请日：2025-03-20
Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院
Abstract: 本发明公开了基于内嵌流道的GaN大功率器件异质集成T/R组件，属于相控阵雷达T/R组件领域，包括封装壳体、LTCC基板、PCB基板、射频同轴连接器、低频连接器、电源调制电路、波束驱动控制电路以及收发通道电路；T/R组件包括4路收发通道，T/R组件的工作频段为2GHz‑6GHz；T/R组件的发射通道芯片包括射频驱动放大器芯片和末级射频功率放大器芯片；T/R组件的接收通道芯片包括射频限幅低噪多功能芯片；T/R组件的公共部分芯片包括波控驱动器芯片、射频多功能芯片、射频开关芯片以及功分器芯片。T/R组件可广泛应用于频段2GHz‑6GHz的相控阵雷达系统，在实现高性能的同时确保系统的热管理需求。
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公开(公告)号：CN116500549B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310769994.2
申请日：2023-06-28
Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于LTCC的四通道X波段三维堆叠结构TR组件，包括射频SMP连接器、矩形电连接器、多块单片微波集成电路MMIC芯片和上下两层LTCC电路基板；MMIC芯片包括多功能芯片、驱动放大器芯片、功率放大器芯片、限幅器芯片、低噪声放大器芯片、电源调制芯片、PMOS管芯片和负压基准芯片；MMIC芯片通过硅通孔技术TSV和球栅阵列封装技术BGA集成在LTCC电路基板的接收电路通道和发射电路通道上。本发明结构紧凑，体积小，布线密度高，化学性能稳定，具有多通道、高性能、高可靠性、高集成度、轻型化、低功耗、散热性好的特点，可广泛应用于机载、舰载、星载相控阵雷达和通信领域中。
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公开(公告)号：CN116500549A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310769994.2
申请日：2023-06-28
Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于LTCC的四通道X波段三维堆叠结构TR组件，包括射频SMP连接器、矩形电连接器、多块单片微波集成电路MMIC芯片和上下两层LTCC电路基板；MMIC芯片包括多功能芯片、驱动放大器芯片、功率放大器芯片、限幅器芯片、低噪声放大器芯片、电源调制芯片、PMOS管芯片和负压基准芯片；MMIC芯片通过硅通孔技术TSV和球栅阵列封装技术BGA集成在LTCC电路基板的接收电路通道和发射电路通道上。本发明结构紧凑，体积小，布线密度高，化学性能稳定，具有多通道、高性能、高可靠性、高集成度、轻型化、低功耗、散热性好的特点，可广泛应用于机载、舰载、星载相控阵雷达和通信领域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118354517A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410781881.9
申请日：2024-06-18
Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院
IPC: H05K1/02 , H01L23/473 , H04B1/40 , H05K1/18
Abstract: 本发明公开了一种内嵌微通道散热结构的射频收发模块，包括单通道发射链路、单通道接收链路、公共端口以及内嵌式液冷散热微通道。射频收发功能均通过裸片式射频芯片进行实现，包括射频收发开关、功率放大器以及低噪声放大器，采用SMP射频同轴连接器实现与外部的互联。微通道散热结构内嵌于模块基板中，基板主体采用PCB材料，在基板中刻蚀通道结构后使用两层基板进行堆叠密封而成，通过冷却工质直接冲击芯片底部进行热交换，提高热交换效率，减小热阻。本发明射频工作带宽大，散热结构紧凑，材料成本低，散热效果良好，具有超宽带、高性能、小型化、集成化、轻量化的特点。
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公开(公告)号：CN117240225B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311246835.0
申请日：2023-09-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于PIN二极管开关的100W级超宽带可重构功率放大器，包括宽带输入匹配电路、栅极偏置电路、晶体管、漏极偏置电路、可重构宽带输出匹配电路；宽带输入匹配电路输入端作为功率放大器输入端，宽带输入匹配电路输出端分别与晶体管栅极、栅极偏置电路输入端连接，晶体管漏极分别与漏极偏置电路输入端、可重构宽带输出匹配电路输入端连接，可重构宽带输出匹配电路输出端作为功率放大器的输出端。本发明通过改变输出匹配电路中的开关在不同加电情况的导通状态来实现不同频段的电路匹配，多个频段共用同一个主传输线，用少量的可重构开关就能够获得优异的宽带性能并具备大功率和高效率指标，有很好的实用价值。
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公开(公告)号：CN117240225A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311246835.0
申请日：2023-09-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于PIN二极管开关的100W级超宽带可重构功率放大器，包括宽带输入匹配电路、栅极偏置电路、晶体管、漏极偏置电路、可重构宽带输出匹配电路；宽带输入匹配电路输入端作为功率放大器输入端，宽带输入匹配电路输出端分别与晶体管栅极、栅极偏置电路输入端连接，晶体管漏极分别与漏极偏置电路输入端、可重构宽带输出匹配电路输入端连接，可重构宽带输出匹配电路输出端作为功率放大器的输出端。本发明通过改变输出匹配电路中的开关在不同加电情况的导通状态来实现不同频段的电路匹配，多个频段共用同一个主传输线，用少量的可重构开关就能够获得优异的宽带性能并具备大功率和高效率指标，有很好的实用价值。
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公开(公告)号：CN110085518B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201910373354.3
申请日：2019-05-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/683 , H01L29/778 , H01L23/373
Abstract: 本发明揭示了一种选择性电化学方法剥离的可转移GaN薄膜及其器件的制备方法，可转移GaN薄膜包括依次按序叠放的衬底、第一GaN缓冲层、牺牲层、第二GaN缓冲层和器件制备层，以衬底为载体，在衬底上首先生长第一GaN缓冲层，然后在第一GaN缓冲层上生长σ掺杂的牺牲层，接着生长第二GaN缓冲层和器件制备层，并用微加工工艺制备目标器件，然后生长钝化层，去除牺牲层并将剥离下来目标器件的正面与临时衬底结合，最后将目标器件与目标衬底键合并去除临时衬底。该剥离技术能够精确地刻蚀高掺杂浓度的n型氮化镓牺牲层，具有快速、大面积剥离氮化物外延层的优势；同时，剥离的氮化镓薄膜表面粗糙度低，益于异质集成。
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公开(公告)号：CN110085518A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910373354.3
申请日：2019-05-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/683 , H01L29/778 , H01L23/373
Abstract: 本发明揭示了一种选择性电化学方法剥离的可转移GaN薄膜及其器件的制备方法，可转移GaN薄膜包括依次按序叠放的衬底、第一GaN缓冲层、牺牲层、第二GaN缓冲层和器件制备层，以衬底为载体，在衬底上首先生长第一GaN缓冲层，然后在第一GaN缓冲层上生长σ掺杂的牺牲层，接着生长第二GaN缓冲层和器件制备层，并用微加工工艺制备目标器件，然后生长钝化层，去除牺牲层并将剥离下来目标器件的正面与临时衬底结合，最后将目标器件与目标衬底键合并去除临时衬底。该剥离技术能够精确地刻蚀高掺杂浓度的n型氮化镓牺牲层，具有快速、大面积剥离氮化物外延层的优势；同时，剥离的氮化镓薄膜表面粗糙度低，益于异质集成。
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