公开(公告)号：CN109450398B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201811153743.7

申请日：2018-09-30

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王子轩 ,  丁浩 ,  徐浩 ,  刘玫 ,  李浩铮

IPC: H03G3/30

Abstract: 本发明公开了一种可编程时间放大器，包括时间数字转换器电路TDC和时间放大器TA；时间数字转换器电路TDC的两个输入端分别外接输入START和输入STOP，时间数字转换器电路TDC的Q0～Qn信号输出端与时间放大器TA的Q0～Qn信号输入端一一对应相连接，TDC的DCO信号输出端与时间放大器TA的DCO信号输入端对应相连接。通过数字控制部分控制时间放大器TA的增益N，当TDC的跳变点靠前时，将跳变点之后的N级异或门输出做累加，当TDC的跳变点靠后时，将跳变点之前的N级异或门输出做累加。本发明解决了一般时间放大器漏电流大，线性度差的问题，使时间放大器TA的输出具有良好的线性度。

公开(公告)号：CN111769158B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202010439394.6

申请日：2020-05-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 成建兵 ,  陈明 ,  李浩铮

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种具低反向恢复电荷的双沟道超结VDMOS器件及制造方法，分别在栅电极区和JFET区上方建立源电极，JFET上方依次新建立N‑pillar区、P‑body区和N+源区，使得器件的栅电极被分成多区域，新加入的区、源极和栅极将整个栅极分离，形成了一个分离栅极，增加了一个源电极。本发明在保持超结VDMOS击穿电压和开态电流处理能力的同时，降低了体内寄生二极管的储存电荷，提高了器件的反向恢复特性。

公开(公告)号：CN111769158A

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN202010439394.6

申请日：2020-05-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 成建兵 ,  陈明 ,  李浩铮

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种具低反向恢复电荷的双沟道超结VDMOS器件及制造方法，分别在栅电极区和JFET区上方建立源电极，JFET上方依次新建立N-pillar区、P-body区和N+源区，使得器件的栅电极被分成多区域，新加入的区、源极和栅极将整个栅极分离，形成了一个分离栅极，增加了一个源电极。本发明在保持超结VDMOS击穿电压和开态电流处理能力的同时，降低了体内寄生二极管的储存电荷，提高了器件的反向恢复特性。

公开(公告)号：CN109450398A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811153743.7

申请日：2018-09-30

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王子轩 ,  丁浩 ,  徐浩 ,  刘玫 ,  李浩铮

IPC: H03G3/30

Abstract: 本发明公开了一种可编程时间放大器，包括时间数字转换器电路TDC和时间放大器TA；时间数字转换器电路TDC的两个输入端分别外接输入START和输入STOP，时间数字转换器电路TDC的Q0～Qn信号输出端与时间放大器TA的Q0～Qn信号输入端一一对应相连接，TDC的DCO信号输出端与时间放大器TA的DCO信号输入端对应相连接。通过数字控制部分控制时间放大器TA的增益N，当TDC的跳变点靠前时，将跳变点之后的N级异或门输出做累加，当TDC的跳变点靠后时，将跳变点之前的N级异或门输出做累加。本发明解决了一般时间放大器漏电流大，线性度差的问题，使时间放大器TA的输出具有良好的线性度。