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公开(公告)号：CN111769158A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010439394.6
申请日：2020-05-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种具低反向恢复电荷的双沟道超结VDMOS器件及制造方法，分别在栅电极区和JFET区上方建立源电极，JFET上方依次新建立N-pillar区、P-body区和N+源区，使得器件的栅电极被分成多区域，新加入的区、源极和栅极将整个栅极分离，形成了一个分离栅极，增加了一个源电极。本发明在保持超结VDMOS击穿电压和开态电流处理能力的同时，降低了体内寄生二极管的储存电荷，提高了器件的反向恢复特性。
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公开(公告)号：CN116062998A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310253052.9
申请日：2023-03-16
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于光学玻璃技术领域，具体涉及一种用激光诱导纳米晶在玻璃基质中原位沉淀的方法，先制备得玻璃前驱体粉末；将玻璃前驱体粉末放置在氧化铝坩埚中，置于高温熔炉中熔制得到玻璃液；将玻璃液倾倒在铜板上淬冷，得到玻璃前体；对玻璃前体进行切割、抛光；对抛光好的玻璃前体进行激光辐照；对激光辐照过的玻璃前体进行低温热处理，本发明的氟磷酸盐玻璃基质具有低熔点、高导热、化学性质以及机械性能好的特性，在该基质中沉淀的纳米晶热、化学性能稳定高，同时使用的激光平均功率低，激光辐射配合后续的低温热处理，会在激光辐照的区域优先沉淀CsPbBr3纳米晶，未辐照的区域不能沉淀，实现了纳米晶选择性分布。
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公开(公告)号：CN119834868A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510049574.6
申请日：2025-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种数据链终端天地融合方法，属于卫星通信技术领域，包括选取数据链星载终端的等效位置作为数据链服务区多普勒中心位置；根据解算星历获取轨道参数并计算卫星地球固定坐标系位置坐标，再计算数据链服务区域几何中心的位置坐标；根据卫星地球固定坐标系位置坐标和数据链服务区域几何中心的位置坐标，计算数据链服务区多普勒中心位置；根据数据链服务区多普勒中心位置及卫星地球固定坐标系位置坐标，计算多普勒中心处的时延值和多普勒值；基于时延值对时延进行修正，将所述多普勒值预补偿在数据链终端发送信号频率上，本发明解决了现有技术中存在星地通信高动态环境下的长时延和高多普勒频移带来的数据链终端不兼容的问题。
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公开(公告)号：CN116062998B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310253052.9
申请日：2023-03-16
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于光学玻璃技术领域，具体涉及一种用激光诱导纳米晶在玻璃基质中原位沉淀的方法，先制备得玻璃前驱体粉末；将玻璃前驱体粉末放置在氧化铝坩埚中，置于高温熔炉中熔制得到玻璃液；将玻璃液倾倒在铜板上淬冷，得到玻璃前体；对玻璃前体进行切割、抛光；对抛光好的玻璃前体进行激光辐照；对激光辐照过的玻璃前体进行低温热处理，本发明的氟磷酸盐玻璃基质具有低熔点、高导热、化学性质以及机械性能好的特性，在该基质中沉淀的纳米晶热、化学性能稳定高，同时使用的激光平均功率低，激光辐射配合后续的低温热处理，会在激光辐照的区域优先沉淀CsPbBr3纳米晶，未辐照的区域不能沉淀，实现了纳米晶选择性分布。
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公开(公告)号：CN111769158B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202010439394.6
申请日：2020-05-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种具低反向恢复电荷的双沟道超结VDMOS器件及制造方法，分别在栅电极区和JFET区上方建立源电极，JFET上方依次新建立N‑pillar区、P‑body区和N+源区，使得器件的栅电极被分成多区域，新加入的区、源极和栅极将整个栅极分离，形成了一个分离栅极，增加了一个源电极。本发明在保持超结VDMOS击穿电压和开态电流处理能力的同时，降低了体内寄生二极管的储存电荷，提高了器件的反向恢复特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110224028B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201910410173.3
申请日：2019-05-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/78 , H01L23/552
Abstract: 本发明提出了一种具有L型介质层低EMI的VDMOS器件，包括VDMOS原胞结构，所述VDMOS原胞结构包括漏端金属电极和源极金属电极，所述VDMOS原胞结构两侧设置有RC吸收电路，所述RC吸收电路包括串联的电阻和电容，所述RC吸收电路的一端与所述源极金属电极耦合，另一端与所述漏端金属电极耦合。本发明在保证VDMOS原有基本电学性能的基础上，有效降低了VDMOS器件的开关损耗和电磁干扰，提高所应用的电路集成度。
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公开(公告)号：CN110224028A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910410173.3
申请日：2019-05-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/78 , H01L23/552
Abstract: 本发明提出了一种具有L型介质层低EMI的VDMOS器件，包括VDMOS原胞结构，所述VDMOS原胞结构包括漏端金属电极和源极金属电极，所述VDMOS原胞结构两侧设置有RC吸收电路，所述RC吸收电路包括串联的电阻和电容，所述RC吸收电路的一端与所述源极金属电极耦合，另一端与所述漏端金属电极耦合。本发明在保证VDMOS原有基本电学性能的基础上，有效降低了VDMOS器件的开关损耗和电磁干扰，提高所应用的电路集成度。
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公开(公告)号：CN110265391B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910488660.1
申请日：2019-06-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明揭示了一种内嵌浮空N+区的LIGBT型ESD防护器件，ESD防护器件包括硅衬底，在硅衬底上设有埋氧层，埋氧层上设有漂移区，漂移区的左上方为漏极区，右上方为源极区；漂移区内中间引入浮空N+电荷区，在N‑buffer区中为漏极重掺杂P+区；在P‑body区中为源极重掺杂N+区，重掺杂P+区。本发明可解决现有技术中普遍存在的触发电压过高、维持电压过低、抗闩锁能力不足的技术问题，设计了一种内嵌浮空N+区的LIGBT型ESD防护器件，由于浮空重掺杂N+电荷区的存在，触发时器件击穿结P‑body/N‑epi结冶金结处电场分布得到调制，更易发生雪崩击穿，因此降低了触发电压。
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公开(公告)号：CN110265391A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910488660.1
申请日：2019-06-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明揭示了一种内嵌浮空N+区的LIGBT型ESD防护器件，ESD防护器件包括硅衬底，在硅衬底上设有埋氧层，埋氧层上设有漂移区，漂移区的左上方为漏极区，右上方为源极区；漂移区内中间引入浮空N+电荷区，在N-buffer区中为漏极重掺杂P+区；在P-body区中为源极重掺杂N+区，重掺杂P+区。本发明可解决现有技术中普遍存在的触发电压过高、维持电压过低、抗闩锁能力不足的技术问题，设计了一种内嵌浮空N+区的LIGBT型ESD防护器件，由于浮空重掺杂N+电荷区的存在，触发时器件击穿结P-body/N-epi结冶金结处电场分布得到调制，更易发生雪崩击穿，因此降低了触发电压。
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公开(公告)号：CN116300617A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310268234.3
申请日：2023-03-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明涉及一种智能化无人值守动环监控系统，包括数据感知与采集模块、3D可视化建模与分析模块和自动化控制模块；数据感知与采集模块，通过硬件传感器采集动力设备和机房环境、机房安保监控等数据，支撑后续可视化和智能分析；3D可视化建模与分析模块，包括可视化映射和智能分析，运维人员在可视化界面上交互分析，智能分析在分析过程中提供智能算法的辅助，实现迭代式分析挖掘；自动化控制模块。本发明的一种智能化无人值守动环监控系统，完成智能化无人值守动环监控系统的开发，实现机房3D动态可视化仿真展示，对机房内动力设备包含交直流配电设备、UPS、发电机、空调等智能及非智能设备实现实时掌控。
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