公开(公告)号：CN115101577A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210522431.9

申请日：2022-05-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 成建兵 ,  刘立强 ,  周嘉诚 ,  张效俊 ,  李瑛楠

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了一种具有N型电荷层的低EMI噪声IGBT器件，包括从下至上依次层叠设置的集电极金属电极、P+集电区、N缓冲层和N漂移区。在N漂移区的表面，分为MOS区和空穴路径区；MOS区包括左右依次设置的栅极、P阱；其空穴路径区，包括左右依次设置的第一浮空P区、第一虚栅、间隔P型区、第二虚栅、第二浮空P区；一个N型电荷层即ND+层设置于第二浮空P区的下方。所述的ND+层和N漂移区形成ND+ND高低结，在器件开启阶段可阻挡空穴在栅氧附近积累，降低了负电容对栅极地充电，抑制了器件的EMI噪声。

公开(公告)号：CN115101520A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210522548.7

申请日：2022-05-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 成建兵 ,  周嘉诚 ,  刘立强 ,  张效俊 ,  孙旸

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种具有寄生SCR的双Fin ESD防护器件，包括一个单Fin PNP晶体管、一个单Fin NPN晶体管、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区、第五场氧隔离区、第六场氧隔离区、第一阳极金属电极、第二阳极金属电极、第一阴极金属电极、第二阴极金属电极。第一阳极金属电极设置于第一N型重掺杂区上方，第二阳极金属电极设置于第一P型重掺杂区上方，第一阴极金属电极设置于第二N型重掺杂区上方，第二阴极金属电极设置于第二P型重掺杂区上方。单Fin PNP晶体管和单Fin NPN晶体管沿Y轴方向上并排放置，组合成寄生SCR结构。本发明可有效提高小尺寸器件的鲁棒性，确保器件能够在ESD来临时迅速高效开启。

公开(公告)号：CN113270400B

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202110558693.6

申请日：2021-05-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 成建兵 ,  张才荣 ,  周嘉诚 ,  刘立强

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种内嵌双MOS触发的SCR‑LDMOS型ESD保护器件，当ESD信号作用于新型SCR‑LDMOS结构阳极时，一方面，新结构中的双MOS结构(PMOS+NMOS)引入的P+/N‑buffer结取代了传统SCR‑LDMOS结构中的P‑body/N‑epi结发生雪崩击穿，降低了器件的触发电压，另外PMOS还辅助NMOS通道开启泄放ESD电流；另一方面，内嵌双MOS触发SCR‑LDMOS结构中存在的PMOS‑NMOS通道可以对SCR‑LDMOS电压进行箝位，抑制器件内部正反馈效应，提高器件维持电压。此外，相比于传统结构，新结构引入了PMOS‑NMOS通道，电流泄放能力也得到了进一步提高。

公开(公告)号：CN113270400A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110558693.6

申请日：2021-05-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 成建兵 ,  张才荣 ,  周嘉诚 ,  刘立强

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种内嵌双MOS触发的SCR‑LDMOS型ESD保护器件，当ESD信号作用于新型SCR‑LDMOS结构阳极时，一方面，新结构中的双MOS结构(PMOS+NMOS)引入的P+/N‑buffer结取代了传统SCR‑LDMOS结构中的P‑body/N‑epi结发生雪崩击穿，降低了器件的触发电压，另外PMOS还辅助NMOS通道开启泄放ESD电流；另一方面，内嵌双MOS触发SCR‑LDMOS结构中存在的PMOS‑NMOS通道可以对SCR‑LDMOS电压进行箝位，抑制器件内部正反馈效应，提高器件维持电压。此外，相比于传统结构，新结构引入了PMOS‑NMOS通道，电流泄放能力也得到了进一步提高。