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公开(公告)号：CN115101577A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210522431.9
申请日：2022-05-13
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种具有N型电荷层的低EMI噪声IGBT器件，包括从下至上依次层叠设置的集电极金属电极、P+集电区、N缓冲层和N漂移区。在N漂移区的表面，分为MOS区和空穴路径区；MOS区包括左右依次设置的栅极、P阱；其空穴路径区，包括左右依次设置的第一浮空P区、第一虚栅、间隔P型区、第二虚栅、第二浮空P区；一个N型电荷层即ND+层设置于第二浮空P区的下方。所述的ND+层和N漂移区形成ND+ND高低结，在器件开启阶段可阻挡空穴在栅氧附近积累，降低了负电容对栅极地充电，抑制了器件的EMI噪声。
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