公开(公告)号：CN110457904A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201910681786.0

申请日：2019-07-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘峥 ,  丁聪 ,  孙旸 ,  李灵杰

IPC: G06F21/56 ,  G06K9/62 ,  G06N20/00

Abstract: 本发明提出了一种对抗性环境中最优攻击样本获取方法，包括以下步骤：将PDF文件与病毒文件合成样本；将样本送入本地端检测器检测；若本地端检测器检测出病毒，则将该病毒样本送入服务器端检测器检测，若检测不出病毒，则结束整个流程；若服务器端没有检测出病毒，则将该病毒样本保存，若服务器端检测器检测出病毒，则直接进行步骤五；将该病毒样本送入本地端的变形器进行变形，生成新病毒样本，并将其送入步骤二再次进行循环；在整个流程结束时，若服务器端没有保存病毒样本，则说明该过程并未得到最优攻击样本，若服务器端有，则选择结束前服务器端最后一次保存的病毒样本作为最优攻击样本。

公开(公告)号：CN115101520A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210522548.7

申请日：2022-05-13

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 成建兵 ,  周嘉诚 ,  刘立强 ,  张效俊 ,  孙旸

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种具有寄生SCR的双Fin ESD防护器件，包括一个单Fin PNP晶体管、一个单Fin NPN晶体管、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区、第五场氧隔离区、第六场氧隔离区、第一阳极金属电极、第二阳极金属电极、第一阴极金属电极、第二阴极金属电极。第一阳极金属电极设置于第一N型重掺杂区上方，第二阳极金属电极设置于第一P型重掺杂区上方，第一阴极金属电极设置于第二N型重掺杂区上方，第二阴极金属电极设置于第二P型重掺杂区上方。单Fin PNP晶体管和单Fin NPN晶体管沿Y轴方向上并排放置，组合成寄生SCR结构。本发明可有效提高小尺寸器件的鲁棒性，确保器件能够在ESD来临时迅速高效开启。