公开(公告)号：CN113270400A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110558693.6

申请日：2021-05-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 成建兵 ,  张才荣 ,  周嘉诚 ,  刘立强

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种内嵌双MOS触发的SCR‑LDMOS型ESD保护器件，当ESD信号作用于新型SCR‑LDMOS结构阳极时，一方面，新结构中的双MOS结构(PMOS+NMOS)引入的P+/N‑buffer结取代了传统SCR‑LDMOS结构中的P‑body/N‑epi结发生雪崩击穿，降低了器件的触发电压，另外PMOS还辅助NMOS通道开启泄放ESD电流；另一方面，内嵌双MOS触发SCR‑LDMOS结构中存在的PMOS‑NMOS通道可以对SCR‑LDMOS电压进行箝位，抑制器件内部正反馈效应，提高器件维持电压。此外，相比于传统结构，新结构引入了PMOS‑NMOS通道，电流泄放能力也得到了进一步提高。

公开(公告)号：CN109861547A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910193443.X

申请日：2019-03-14

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 沈醴 ,  成建兵 ,  邓志豪 ,  张才荣

IPC: H02M3/335

Abstract: 本发明公开了一种四路输出的反激式开关电源，包括输入整流电路，启动电路，变压拓扑，开关管，PWM控制电路，输出整流电路，采样反馈电路；所述输入整流电路与启动电路和变压拓扑相连，所述开关管与变压拓扑相连，所述变压拓扑与PWM控制电路和输出整流电路相连，所述输出整流电路与采样反馈电路，所述采样反馈电路与PWM控制电路相连。所述本发明通过在变压拓扑每个次级线圈都连接一路输出电路，为不同设备提供不同的供电电压。同时，采用部分输出回路加权反馈与后级调节相结合的方式，增加输出电压的精度。还改进输出整流部分电路，以确保能够支撑大负载的正常工作。同时还具备在宽电压输入条件下工作的能力，适应能力强。

公开(公告)号：CN113270400B

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202110558693.6

申请日：2021-05-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 成建兵 ,  张才荣 ,  周嘉诚 ,  刘立强

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种内嵌双MOS触发的SCR‑LDMOS型ESD保护器件，当ESD信号作用于新型SCR‑LDMOS结构阳极时，一方面，新结构中的双MOS结构(PMOS+NMOS)引入的P+/N‑buffer结取代了传统SCR‑LDMOS结构中的P‑body/N‑epi结发生雪崩击穿，降低了器件的触发电压，另外PMOS还辅助NMOS通道开启泄放ESD电流；另一方面，内嵌双MOS触发SCR‑LDMOS结构中存在的PMOS‑NMOS通道可以对SCR‑LDMOS电压进行箝位，抑制器件内部正反馈效应，提高器件维持电压。此外，相比于传统结构，新结构引入了PMOS‑NMOS通道，电流泄放能力也得到了进一步提高。