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公开(公告)号：CN107393804A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710661383.0
申请日：2017-08-04
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种真空太阳能光电转换器件，包括反射式宽光谱GaAlAs/GaAs光电阴极组件、第一可伐合金、第二可伐合金、圆柱形陶瓷腔、金刚石网状薄膜阳极组件；光电阴极组件自下而上由玻璃窗口、增透层、掺杂浓度渐变缓冲层、变掺杂GaAs发射层以及Cs/O激活层依次叠加组成；阳极组件自下而上由金刚石网状薄膜层、网状Si衬底层和石英玻璃窗口构成；阴极组件、阳极组件之间设置通道，阴极组件中的各部件通过铟封材料与第一可伐合金相连，阳极组件中的各部件通过铟封材料与第二可伐合金相连，第一可伐合金与第二可伐合金之间通过圆柱形陶瓷腔相连，两极之间形成真空腔体。
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公开(公告)号：CN103779436A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410012850.3
申请日：2014-01-13
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/102 , H01L31/03048 , H01L31/1848
Abstract: 本发明提供一种透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法。该阴极组件自下而上由高质量的蓝宝石衬底、p型均匀掺杂AlN缓冲层、p型变组分AlxGa1-xN发射层组成。其中，AlN缓冲层的厚度在50~500nm之间，采用p型均匀掺杂方式，掺杂原子为Mg；变组分的AlxGa1-xN发射层由N个AlxGa1-xN子层组成，其中N≥1，从上至下p型AlxGa1-xN子层的Al组分为x1、x2、···、xn-1、xn，且满足0.24≤x1≤x2≤···≤xn-1≤xn≤1，变组分的AlxGa1-xN发射层总厚度在20~150nm之间，掺杂原子为Mg，Mg掺杂浓度满足1×1014cm-3≤Nc≤1×1018cm-3。采用超高真空高温净化和Cs/O激活技术获得负电子亲和势表面。得到的透射式AlGaN紫外光电阴极。
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公开(公告)号：CN107507873B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201710661892.3
申请日：2017-08-04
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供了一种真空太阳能光电转换器，包括透射式GaAlAs/GaAs光电阴极组件、铟封材料、第一可伐合金、第二可伐合金、圆柱形陶瓷腔与金刚石薄膜阳极组件；阴极组件自上而下由玻璃窗口、增透层、GaAlAs窗口层、GaAs发射层、Cs/O激活层依次叠加构成；阳极组件自伤而下由金刚石膜层、Si衬底层、玻璃窗口构成；阴极组件、金刚石薄膜阳极组件之间设置通道，阴极组件中的各部件通过铟封材料与第一可伐合金相连，阳极组件中的各部件通过铟封材料与第二可伐合金相连，第一可伐合金与第二可伐合金之间通过圆柱形陶瓷腔相连，两极之间形成真空腔体。
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公开(公告)号：CN107507873A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710661892.3
申请日：2017-08-04
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/03046
Abstract: 本发明提供了一种真空太阳能光电转换器，包括透射式GaAlAs/GaAs光电阴极组件、铟封材料、第一可伐合金、第二可伐合金、圆柱形陶瓷腔与金刚石薄膜阳极组件；阴极组件自上而下由玻璃窗口、增透层、GaAlAs窗口层、GaAs发射层、Cs/O激活层依次叠加构成；阳极组件自伤而下由金刚石膜层、Si衬底层、玻璃窗口构成；阴极组件、金刚石薄膜阳极组件之间设置通道，阴极组件中的各部件通过铟封材料与第一可伐合金相连，阳极组件中的各部件通过铟封材料与第二可伐合金相连，第一可伐合金与第二可伐合金之间通过圆柱形陶瓷腔相连，两极之间形成真空腔体。
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公开(公告)号：CN103094397B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201210215209.0
申请日：2012-06-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/0224 , H01L31/0203
Abstract: 本发明公开了一种对532nm敏感的真空光电二极管，由透射式GaAlAs光电阴极组件、铟封材料、第一可伐合金、第二可伐合金与陶瓷组成，其中光电阴极组件自上而下由Corning 7056#玻璃窗口、Si3N4增透层、Ga1-x1Alx1As均匀掺杂发射层、Ga1-x2Alx2As掺杂浓度渐变发射层以及Cs/O激活层依次叠加而成；透射式GaAlAs光电阴极组件通过铟封材料与第一可伐合金相连，再通过圆柱形陶瓷管壁与第二可伐合金相连构成平板电容器，内部抽真空。具有本发明结构中的透射式GaAlAs光电阴极可以配合532nm激光器，应用于海洋光电子探测器件中，用来进行海洋探测领域的各项活动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111584327B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202010358215.6
申请日：2020-04-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种提高砷化镓光电阴极量子效率的激活方法，包括：开启铯源，光电流逐渐上升，光电流达到峰值后下降；当光电流下降到峰值电流的50％～90％时，开启氧源，并保持铯源开启状态；当光电流再次到达峰值时关闭氧源；当光电流下降到峰值的50％～90％时打开氧源，重复上述激活过程，直到光电流的峰值电流是前一个峰值电流的100～110％时，待光电流下降到峰值电流的50％～90％时打开氟源，当光电流上升到新的峰值时，先后关闭氟源和铯源，结束激活过程。本发明可以得到光电发射性能更好的砷化镓光电阴极，兼容传统铯氧激活工艺，且具备计算机辅助控制激活方式，操作简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN111584327A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010358215.6
申请日：2020-04-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种提高砷化镓光电阴极量子效率的激活方法，包括：开启铯源，光电流逐渐上升，光电流达到峰值后下降；当光电流下降到峰值电流的50％～90％时，开启氧源，并保持铯源开启状态；当光电流再次到达峰值时关闭氧源；当光电流下降到峰值的50％～90％时打开氧源，重复上述激活过程，直到光电流的峰值电流是前一个峰值电流的100～110％时，待光电流下降到峰值电流的50％～90％时打开氟源，当光电流上升到新的峰值时，先后关闭氟源和铯源，结束激活过程。本发明可以得到光电发射性能更好的砷化镓光电阴极，兼容传统铯氧激活工艺，且具备计算机辅助控制激活方式，操作简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN110927240A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911159030.6
申请日：2019-11-22
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种超高真空系统的高纯NF3进气控制装置及方法。该装置包括一级减压阀、二级减压阀、球阀、可调节微量进气阀、三通、涡轮分子泵角阀、四极质谱仪、真空规、超高真空激活室、钛升华泵、溅射离子泵、涡轮分子泵和机械泵。方法为：首先关闭微量进气阀，打开一级减压阀、二级减压阀和球阀，使管道充满NF3气体；然后关闭球阀，打开涡轮分子泵角阀，对进气管道中的残气进行抽取；接着关闭角阀，打开球阀，用NF3对进气管道进行冲洗；最后通过可调节微量进气阀控制进入超高真空系统的NF3气体，利用四极质谱仪和真空规分别检测NF3的分压强和系统真空度。本发明能够清除进气管道内残余空气，并对NF3进气量进行微量精确控制。
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公开(公告)号：CN107393804B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201710661383.0
申请日：2017-08-04
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种真空太阳能光电转换器件，包括反射式宽光谱GaAlAs/GaAs光电阴极组件、第一可伐合金、第二可伐合金、圆柱形陶瓷腔、金刚石网状薄膜阳极组件；光电阴极组件自下而上由玻璃窗口、增透层、掺杂浓度渐变缓冲层、变掺杂GaAs发射层以及Cs/O激活层依次叠加组成；阳极组件自下而上由金刚石网状薄膜层、网状Si衬底层和石英玻璃窗口构成；阴极组件、阳极组件之间设置通道，阴极组件中的各部件通过铟封材料与第一可伐合金相连，阳极组件中的各部件通过铟封材料与第二可伐合金相连，第一可伐合金与第二可伐合金之间通过圆柱形陶瓷腔相连，两极之间形成真空腔体。
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公开(公告)号：CN103779436B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410012850.3
申请日：2014-01-13
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法。该阴极组件自下而上由高质量的蓝宝石衬底、p型均匀掺杂AlN缓冲层、p型变组分AlxGa1-xN发射层组成。其中，AlN缓冲层的厚度在50~500 nm之间，采用p型均匀掺杂方式，掺杂原子为Mg；变组分的AlxGa1-xN发射层由N个AlxGa1-xN子层组成，其中N≥1，从上至下p型AlxGa1-xN子层的Al组分为x1、x2、···、xn-1、xn，且满足0.24≤x1≤x2≤···≤xn-1≤xn≤1，变组分的AlxGa1-xN发射层总厚度在20~150 nm之间，掺杂原子为Mg，Mg掺杂浓度满足1×1014cm-3≤Nc≤1×1018cm-3。采用超高真空高温净化和Cs/O激活技术获得负电子亲和势表面。得到的透射式AlGaN紫外光电阴极。
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