公开(公告)号：CN107507873B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201710661892.3

申请日：2017-08-04

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  王焜 ,  王贵圆 ,  钱芸生 ,  富容国 ,  石峰 ,  程宏昌 ,  张益军 ,  刘磊 ,  张俊举 ,  邱亚峰 ,  陈鑫龙 ,  杨明珠

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明提供了一种真空太阳能光电转换器，包括透射式GaAlAs/GaAs光电阴极组件、铟封材料、第一可伐合金、第二可伐合金、圆柱形陶瓷腔与金刚石薄膜阳极组件；阴极组件自上而下由玻璃窗口、增透层、GaAlAs窗口层、GaAs发射层、Cs/O激活层依次叠加构成；阳极组件自伤而下由金刚石膜层、Si衬底层、玻璃窗口构成；阴极组件、金刚石薄膜阳极组件之间设置通道，阴极组件中的各部件通过铟封材料与第一可伐合金相连，阳极组件中的各部件通过铟封材料与第二可伐合金相连，第一可伐合金与第二可伐合金之间通过圆柱形陶瓷腔相连，两极之间形成真空腔体。

公开(公告)号：CN107507873A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710661892.3

申请日：2017-08-04

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  王焜 ,  王贵圆 ,  钱芸生 ,  富容国 ,  石峰 ,  程宏昌 ,  张益军 ,  刘磊 ,  张俊举 ,  邱亚峰 ,  陈鑫龙 ,  杨明珠

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0304

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/03046

Abstract: 本发明提供了一种真空太阳能光电转换器，包括透射式GaAlAs/GaAs光电阴极组件、铟封材料、第一可伐合金、第二可伐合金、圆柱形陶瓷腔与金刚石薄膜阳极组件；阴极组件自上而下由玻璃窗口、增透层、GaAlAs窗口层、GaAs发射层、Cs/O激活层依次叠加构成；阳极组件自伤而下由金刚石膜层、Si衬底层、玻璃窗口构成；阴极组件、金刚石薄膜阳极组件之间设置通道，阴极组件中的各部件通过铟封材料与第一可伐合金相连，阳极组件中的各部件通过铟封材料与第二可伐合金相连，第一可伐合金与第二可伐合金之间通过圆柱形陶瓷腔相连，两极之间形成真空腔体。

公开(公告)号：CN107393804A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710661383.0

申请日：2017-08-04

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  王贵圆 ,  王焜 ,  钱芸生 ,  富容国 ,  石峰 ,  程宏昌 ,  张益军 ,  刘磊 ,  张俊举 ,  邱亚峰 ,  陈鑫龙 ,  杨明珠

IPC: H01J40/16 ,  H01J40/06 ,  H01J40/04

CPC classification number: H01J40/16 ,  H01J40/04 ,  H01J40/06

Abstract: 本发明提供了一种真空太阳能光电转换器件，包括反射式宽光谱GaAlAs/GaAs光电阴极组件、第一可伐合金、第二可伐合金、圆柱形陶瓷腔、金刚石网状薄膜阳极组件；光电阴极组件自下而上由玻璃窗口、增透层、掺杂浓度渐变缓冲层、变掺杂GaAs发射层以及Cs/O激活层依次叠加组成；阳极组件自下而上由金刚石网状薄膜层、网状Si衬底层和石英玻璃窗口构成；阴极组件、阳极组件之间设置通道，阴极组件中的各部件通过铟封材料与第一可伐合金相连，阳极组件中的各部件通过铟封材料与第二可伐合金相连，第一可伐合金与第二可伐合金之间通过圆柱形陶瓷腔相连，两极之间形成真空腔体。

公开(公告)号：CN105405727A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201410459222.X

申请日：2014-09-10

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  郝广辉 ,  金睦淳 ,  陈鑫龙 ,  张益军 ,  杨明珠

IPC: H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种紫外AlGaN光电阴极热清洗方法。所述方法为AlGaN光电阴极热清洗温度自室温(约20℃)加热到阴极热清洗所需的最高温度，升温过程采取温度梯度升高的方式，然后持续加热并保持最高温度不变，最后加热温度线性降低。与传统的热清洗方法制备的AlGaN光电阴极的光电发射性能相比，本发明中热清洗方法制备的AlGaN光电阴极的光电发射性能提高了11.61％。

公开(公告)号：CN105470103B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201410456627.8

申请日：2014-09-09

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  郝广辉 ,  张益军 ,  金睦淳 ,  冯琤 ,  陈鑫龙 ,  杨明珠

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种高性能AlGaN光电阴极化学清洗方法。所述方法包括将AlGaN光电阴极分别经有机溶剂、去离子水超声波清洗，然后经氢氧化钾溶液刻蚀清洗，硫酸混合溶液刻蚀清洗，最后经去离子水冲洗刻蚀，并在超声清洗仪中超声清洗。经本发明清洗方法制备的AlGaN光电阴极的量子效率比经传统的清洗方法制备的AlGaN光电阴极量子效率提高了35.48％。

公开(公告)号：CN111974347A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201910432955.7

申请日：2019-05-23

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 沈晨健 ,  杨明珠 ,  蔡颖 ,  陈守文 ,  胡朝霞

IPC: B01J20/14 ,  B01J20/18 ,  B01J20/30 ,  B01D53/02

Abstract: 本发明公开了一种改性硅藻土基吸附剂及其制备方法。所述方法先将硅藻土、轻质碳酸钙、轻质碳酸镁、糊精和硅酸钠按比例充分混合后制成面团状，再通过制球、干燥、阶梯式焙烧得到改性硅藻土基吸附剂。本发明制备的改性硅藻土基吸附剂具有高孔隙率和高机械强度，满足对VOC吸附的要求，表现出高效的吸附能力，同等条件下，相对于纯硅藻土球对甲烷的吸收容量提高了56.55％，对正己烷的吸附容量提高了48.96％，对1，2-二氯乙烷的吸收容量提高了60.65％。

公开(公告)号：CN103779436A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410012850.3

申请日：2014-01-13

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  郝广辉 ,  金睦辉 ,  陈鑫龙 ,  张益军 ,  杨明珠 ,  石峰 ,  程宏昌 ,  任彬

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/102 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/1848

Abstract: 本发明提供一种透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法。该阴极组件自下而上由高质量的蓝宝石衬底、p型均匀掺杂AlN缓冲层、p型变组分AlxGa1-xN发射层组成。其中，AlN缓冲层的厚度在50~500nm之间，采用p型均匀掺杂方式，掺杂原子为Mg；变组分的AlxGa1-xN发射层由N个AlxGa1-xN子层组成，其中N≥1，从上至下p型AlxGa1-xN子层的Al组分为x1、x2、···、xn-1、xn，且满足0.24≤x1≤x2≤···≤xn-1≤xn≤1，变组分的AlxGa1-xN发射层总厚度在20~150nm之间，掺杂原子为Mg，Mg掺杂浓度满足1×1014cm-3≤Nc≤1×1018cm-3。采用超高真空高温净化和Cs/O激活技术获得负电子亲和势表面。得到的透射式AlGaN紫外光电阴极。

公开(公告)号：CN107393804B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201710661383.0

申请日：2017-08-04

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  王贵圆 ,  王焜 ,  钱芸生 ,  富容国 ,  石峰 ,  程宏昌 ,  张益军 ,  刘磊 ,  张俊举 ,  邱亚峰 ,  陈鑫龙 ,  杨明珠

IPC: H01J40/16 ,  H01J40/06 ,  H01J40/04

Abstract: 本发明提供了一种真空太阳能光电转换器件，包括反射式宽光谱GaAlAs/GaAs光电阴极组件、第一可伐合金、第二可伐合金、圆柱形陶瓷腔、金刚石网状薄膜阳极组件；光电阴极组件自下而上由玻璃窗口、增透层、掺杂浓度渐变缓冲层、变掺杂GaAs发射层以及Cs/O激活层依次叠加组成；阳极组件自下而上由金刚石网状薄膜层、网状Si衬底层和石英玻璃窗口构成；阴极组件、阳极组件之间设置通道，阴极组件中的各部件通过铟封材料与第一可伐合金相连，阳极组件中的各部件通过铟封材料与第二可伐合金相连，第一可伐合金与第二可伐合金之间通过圆柱形陶瓷腔相连，两极之间形成真空腔体。

公开(公告)号：CN103779436B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410012850.3

申请日：2014-01-13

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  郝广辉 ,  金睦辉 ,  陈鑫龙 ,  张益军 ,  杨明珠 ,  石峰 ,  程宏昌 ,  任彬

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种透射式AlGaN紫外光电阴极及其制备方法。该阴极组件自下而上由高质量的蓝宝石衬底、p型均匀掺杂AlN缓冲层、p型变组分AlxGa1-xN发射层组成。其中，AlN缓冲层的厚度在50~500 nm之间，采用p型均匀掺杂方式，掺杂原子为Mg；变组分的AlxGa1-xN发射层由N个AlxGa1-xN子层组成，其中N≥1，从上至下p型AlxGa1-xN子层的Al组分为x1、x2、···、xn-1、xn，且满足0.24≤x1≤x2≤···≤xn-1≤xn≤1，变组分的AlxGa1-xN发射层总厚度在20~150 nm之间，掺杂原子为Mg，Mg掺杂浓度满足1×1014cm-3≤Nc≤1×1018cm-3。采用超高真空高温净化和Cs/O激活技术获得负电子亲和势表面。得到的透射式AlGaN紫外光电阴极。

公开(公告)号：CN105470103A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201410456627.8

申请日：2014-09-09

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 常本康 ,  郝广辉 ,  张益军 ,  金睦淳 ,  冯琤 ,  陈鑫龙 ,  杨明珠

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种高性能AlGaN光电阴极化学清洗方法。所述方法包括将AlGaN光电阴极分别经有机溶剂、去离子水超声波清洗，然后经氢氧化钾溶液刻蚀清洗，硫酸混合溶液刻蚀清洗，最后经去离子水冲洗刻蚀，并在超声清洗仪中超声清洗。经本发明清洗方法制备的AlGaN光电阴极的量子效率比经传统的清洗方法制备的AlGaN光电阴极量子效率提高了35.48％。