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公开(公告)号：CN119993806A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411983841.9
申请日：2024-12-31
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可调光阑的高均匀性面电子源装置，包括氘灯、可调光阑、快门组件、积分球、紫外滤光片和双MCP组件。本发明通过在紫外光源上方依次设置可调光阑、快门组件、积分球和紫外滤光片，实现了对入射光通量的精确调节、快速开关控制以及光强分布的高度均匀化。其中，可调光阑用于连续调节入射光通量，从而实现对MCP出射电流大小的精确控制，电子发射流密度最高可达微安级别每平方厘米；快门组件可实现光照的快速切换；积分球的引入显著提高了光强分布的均匀性，使得MCP电子发射均匀性达到90％；紫外滤光片的设置有效滤除了可见光成分，避免了在EBAPS电子成像测试中的光学干扰。本发明解决了传统面电子源在电流调节响应时间长、均匀性差以及可见光干扰等问题，特别适用于EBAPS芯片的性能测试。
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公开(公告)号：CN109427518B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201710782391.0
申请日：2017-09-02
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法，即在超高真空激活系统中，采用波长为532nm的单色光源替代传统的卤坞灯光源进行激活。其激活步骤包括：1.对待激活的GaAs样品进行化学清洗；2.对化学清洗后的样品进行高温净化；3.采用波长为532nm的单色光源照射阴极表面，通过Cs源持续，氧源断续的工艺对样品进行激活。通过上述方法所获得的GaAs光电阴极在量子效应和稳定性上都有了明显提高。
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公开(公告)号：CN109427517A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710782382.1
申请日：2017-09-02
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极光谱响应和稳定性的单色光照射条件激活方法，即在超高真空激活系统中，采用在红光波段的单色光光照下进行激活。包括如下步骤：1、对GaAs光电阴极进行脱脂清洗；2、对GaAs光电阴极进行化学刻蚀；3、在超高真空系统中对GaAs光电阴极进行高温净化；4、对净化后的GaAs光电阴极在红光波段的单色光光照下进行(Cs，O)激活。通过上述方式，本发明可以得到光谱响应更高、稳定性更好的GaAs光电阴极。
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公开(公告)号：CN107123582A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710324608.3
申请日：2017-05-10
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开一种GaAs光电阴极的化学清洗方法，包括如下步骤：(10)脱脂清洗：将GaAs光电阴极置入有机溶剂，进行超声波脱脂清洗；(20)刻蚀清洗：将经过脱脂清洗的GaAs光电阴极置入刻蚀液，进行刻蚀清洗；(30)去离子水冲洗：将经过刻蚀清洗的GaAs光电阴极用离子水进行冲洗，得到清洁的GaAs光电阴极。本发明的GaAs光电阴极的化学清洗方法，净化效果好，光谱响应高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110927240A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911159030.6
申请日：2019-11-22
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种超高真空系统的高纯NF3进气控制装置及方法。该装置包括一级减压阀、二级减压阀、球阀、可调节微量进气阀、三通、涡轮分子泵角阀、四极质谱仪、真空规、超高真空激活室、钛升华泵、溅射离子泵、涡轮分子泵和机械泵。方法为：首先关闭微量进气阀，打开一级减压阀、二级减压阀和球阀，使管道充满NF3气体；然后关闭球阀，打开涡轮分子泵角阀，对进气管道中的残气进行抽取；接着关闭角阀，打开球阀，用NF3对进气管道进行冲洗；最后通过可调节微量进气阀控制进入超高真空系统的NF3气体，利用四极质谱仪和真空规分别检测NF3的分压强和系统真空度。本发明能够清除进气管道内残余空气，并对NF3进气量进行微量精确控制。
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公开(公告)号：CN110813902A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910838128.8
申请日：2019-09-05
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓光电阴极的清洗方法，包括采用有机溶剂超声波清洗，去除阴极表面油脂；采用去离子水超声波清洗；干燥阴极表面；采用紫外臭氧清洗；采用氢氟酸刻蚀，去除阴极表面氧化物；去离子水冲洗阴极表面残留的酸；干燥阴极表面。本发明避免了强酸强碱等高危害性溶剂的使用，可有效去除砷化镓表面污染物，得到清洁效果好、量子效率高的砷化镓光电阴极。
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公开(公告)号：CN109427518A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710782391.0
申请日：2017-09-02
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法，即在超高真空激活系统中，采用波长为532nm的单色光源替代传统的卤坞灯光源进行激活。其激活步骤包括：1.对待激活的GaAs样品进行化学清洗；2.对化学清洗后的样品进行高温净化；3.采用波长为532nm的单色光源照射阴极表面，通过Cs源持续，氧源断续的工艺对样品进行激活。通过上述方法所获得的GaAs光电阴极在量子效应和稳定性上都有了明显提高。
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公开(公告)号：CN109801820B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201811601638.5
申请日：2018-12-26
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提出了一种多层级联式宽光谱响应光电阴极及其制备方法，该光电阴极包括自下而上设置的衬底、InGaAs缓冲层、p型Al0.8In0.2As腐蚀阻挡层、p型发射层以及保护层，其中，所述p型发射层包括自下而上依次设置的p型InxGa1‑xAs层、p型GaAs层、p型Ga1‑yAlyAs层。在发射层中，InxGa1‑xAs部分中In组分x自下而上逐层由0.2降低至0.05，GaAs层掺杂方式为变掺杂分布，Ga1‑yAlyAs部分中Al组分y自下而上逐层由0递增到0.9。本发明在发射层中采用变组分变掺杂技术，一方面提高了光生电子在发射层内的扩散长度，帮助光生电子向发射表面迁移，更有利于光生电子的发射。
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公开(公告)号：CN109801820A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811601638.5
申请日：2018-12-26
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提出了一种多层级联式宽光谱响应光电阴极及其制备方法，该光电阴极包括自下而上设置的衬底、InGaAs缓冲层、p型Al0.8In0.2As腐蚀阻挡层、p型发射层以及保护层，其中，所述p型发射层包括自下而上依次设置的p型InxGa1-xAs层、p型GaAs层、p型Ga1-yAlyAs层。在发射层中，InxGa1-xAs部分中In组分x自下而上逐层由0.2降低至0.05，GaAs层掺杂方式为变掺杂分布，Ga1-yAlyAs部分中Al组分y自下而上逐层由0递增到0.9。本发明在发射层中采用变组分变掺杂技术，一方面提高了光生电子在发射层内的扩散长度，帮助光生电子向发射表面迁移，更有利于光生电子的发射。
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