-
公开(公告)号：CN118149654A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410404794.1
申请日：2024-04-07
申请人： 南京理工大学
IPC分类号： F42B3/12
摘要： 本发明为一种基于电爆炸等离子体增强的爆炸箔芯片。包括从下到上依次设置的基板，金属层，加速膛，和加速膛内的赋能电极；金属层由中部的桥区和桥区两侧的过渡区、焊盘组成，加速膛中部设有加速膛孔，加速膛上设有嵌设赋能电极的凹槽，赋能电极包括焊盘和放电区域，两个相对的赋能电极的放电区域和加速膛侧壁形成为带有放电区域的加速膛孔；赋能电极的焊盘与金属层的焊盘连接、从而使得赋能电极和电爆炸回路并联连接，构成等离子体赋能回路。本方法实现了对金属电爆炸等离子体的赋能，提高了电爆炸等离子体的能量特性，包括等离子体的强度和高温持续时间等。
-
公开(公告)号：CN116497258A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310516775.3
申请日：2023-05-09
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明属于火工品领域，具体涉及一种基于非晶合金的换能元。所述换能元为桥丝式、桥膜式或者桥带式；其中的桥丝、桥膜和桥带均采用非晶合金；非晶合金包括如下元素：Ni,Fe,B,Mo,V,Co,P,Cu,Ti,Zr,Si。非晶合金的通式为：FeaNibBcModVeCofPgCuhTiiZrjSik，其中，a、b、c、d、e、f、g、h、i、j、k为原子百分数，其取值范围是：10＜a＜50，0≤b＜70，0≤c＜30，0≤d≤5，0≤e≤5，0≤f＜70，0≤g≤5，0≤h＜30，0≤i＜40，0≤j＜40，0≤k≤10。本发明的换能元中利用非晶合金的电热效应和晶化转变能，使得非晶合金丝/膜/带迅速发热，甚至产生等离子体，从而起到点火或爆炸的作用。
-
公开(公告)号：CN110411284B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201910652737.4
申请日：2019-07-19
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明属于起爆领域，特别是一种集成微箔开关的爆炸箔超压芯片及起爆装置。包括集成在同一陶瓷基底上的微箔开关单元和爆炸箔超压芯片单元，所述爆炸箔超压芯片单元包括多个爆炸箔，多个爆炸箔串联之后并联，形成“梅花形”爆炸箔阵列区。本发明芯片内采用4个爆炸箔并联的方式，利用4个爆炸箔分别驱动4个飞片冲击起爆4个HNS炸药柱，利用HNS炸药产生的爆轰波相互碰撞、形成马赫反射，产生超压爆轰，超过钝感炸药的临界起爆压力，从而可以取消传爆、扩爆序列直接起爆钝感炸药。且芯片内的开关采用微箔开关，将开关的触发回路和爆炸箔超压芯片的主回路分开，从而降低了主回路的起爆能量。
-
公开(公告)号：CN109449014B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201811222124.9
申请日：2018-10-19
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明涉及高功率脉冲应用领域，具体涉及一种耐烧蚀平面三电极高压开关及其制备方法。高压开关包括：基片；三电极层：设置在基片之上，包括阳极、阴极和触发极，阳极和阴极为左右对称半圆形结构，阳极和阴极间设置有主电极间隙，触发电极设置在阳极和阴极之间，且距离阴极更近；耐烧蚀层：设置在三电极层之上，分为三部分，分别与三电极层的阳极、阴极和触发极的形状相匹配，在阳极、阴极和触发极的后端部预留焊盘区，覆盖阳极、阴极和触发极的前端。本申请通过在三电极层的表面沉积耐烧蚀层，使平面三电极高压开关可以多次重复性使用，提高了使用寿命。本申请采用微机电系统工艺制备高压开关，提高了产品的一致性，可以实现批量化生产。
-
公开(公告)号：CN111641200A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010553178.4
申请日：2020-06-17
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明属于火工品领域，具体涉及一种基于串联式气体放电管高压脉冲功率开关的放电单元。包括串联式气体放电管高压脉冲功率开关，PCB线路板，集成爆炸箔起爆器以及脉冲功率电容；串联式气体放电管高压脉冲功率开关、集成爆炸箔起爆器和脉冲功率电容以串联的形式集成在PCB线路板上。本发明的将技术成熟、价格低廉的放电管以串联的方式制作成脉冲功率开关并将其应用于脉冲功率领域，可以降低脉冲功率开关的成本，同时将开关、爆炸箔起爆器和高压脉冲电容集成在PCB板上，可以缩短放电回路、提高能量利用率。
-
公开(公告)号：CN110132075A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201810133178.1
申请日：2018-02-09
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明公开了一种含有含能飞片的爆炸箔集成芯片，爆炸箔集成芯片包括基片、爆炸箔、含能飞片、加速膛和药剂。焊盘、过渡区和爆炸桥箔均设置在基片，且通过过渡区将焊盘和爆炸桥箔连接；基片在集成芯片中作反射背板，使爆炸桥箔电爆所产生的等离子体向上运动剪切聚合物飞片以及推动沉积在聚合物飞片表面含能薄膜运动；本发明与现有技术相比，通过制备过程采用MEMS工艺，爆炸箔起爆系统的集成化程度更高、体积更小，提高了产品的一致性、降低了制备成本；含采用能飞片本身含有金属，不需要额外沉积金属，有利于飞片速度的测试；采用含能飞片层，冲击与热的耦合作用可以增强点火或起爆效应，大幅降低了爆炸箔起爆系统的发火能量。
-
公开(公告)号：CN109802302A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910041889.0
申请日：2019-01-15
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明涉及高功率脉冲技术领域，具体涉及一种基于LTCC工艺的密闭式平面三电极开关芯片。所述开关芯片的三个电极被密闭在一个空腔内，具体包括：基底层：所述基底层作为平面三电极开关芯片的载体结构；金属层：置于基底层之上，包括开关芯片的阴极、触发极和阳极，和与开关的阴极、触发极和阳极相连的焊盘；结构层A：置于金属层之上，包括电极空腔及裸露焊盘的焊盘槽；结构层B：置于结构层A之上，包括电极空腔的上盖，和裸露焊盘的焊盘槽。本发明采用LTCC工艺能将开关的三个电极密封在空腔内，使得开关的导通能力增强，开关作用的稳定性增加；另外采用LTCC工艺能使得开关一体化烧结制造，实现批量生产，提高产品的一致性，并降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN109612342A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811510598.3
申请日：2018-12-11
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明涉及微型低能点火和起爆技术领域，涉及一种基于并联桥箔的微芯片爆炸箔起爆器及其制备方法。包括：基片；金属层：置于基片之上，包括位于两端较宽的焊盘，位于中间位置较窄的并联桥箔，以及连接焊盘和并联桥箔的过渡区；所述并联桥箔由多个条状结构并联形成；飞片层：置于金属层的并联桥箔和部分过渡区之上；加速膛：置于飞片层之上，位于桥箔正上方，为中空圆柱；药柱：置于加速膛正上方。本申请采用并联的桥箔，并联电爆产生大量蒸汽和等离子体，形成冲击波，冲击波汇聚碰撞，形成的马赫效应提升了桥箔电爆炸输出的压力，增强了桥箔剪切及驱动飞片的能力，提高了飞片速度，增强了McEFI的点火和起爆能力。
-
公开(公告)号：CN105289767B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510766518.0
申请日：2015-11-11
申请人： 南京理工大学
IPC分类号： B01L3/00
摘要： 本发明公开了一种微流控芯片，包括PMMA板、双面覆铜的PCB板、控制电路结构和电子元器件。PCB板和PMMA板通过双面丙烯酸酯压敏胶粘带热压固化后粘结密封形成微通道结构。本发明通过刻蚀双面覆铜的PCB板铜层，形成微沟槽结构及控制电路结构，形成的微沟槽结构用于流体流动，形成的电路结构可搭载电子元器件，将微通道结构与电路结构集成一体，实现对流体的控制及检测。本发明的微流控芯片加工成本低、制作周期快、成品率高，在流体实时在线检测、微反应合成、流体输送与控制等领域具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN104776759B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201510151601.7
申请日：2015-04-01
申请人： 南京理工大学
IPC分类号： F42B3/13
摘要： 本发明公开了一种SCB集成Al/MxOy纳米含能复合薄膜的电爆换能元，由下向上依次包括Si基底、SiO2绝缘层、N型重掺杂多晶硅桥、金属焊盘、Al/MxOy氧化物纳米复合薄膜，Si基底的上表面有SiO2绝缘层，SiO2绝缘层上表面沉积生长一层N型重掺杂多晶硅层，N型重掺杂多晶硅层的中间部分刻蚀形成N型重掺杂多晶硅桥，N型重掺杂多晶硅桥两侧的N型重掺杂多晶硅层上表面均设置金属焊盘，N型重掺杂多晶硅桥的桥区上方覆盖Al/MxOy氧化物纳米复合薄膜，所述Al/MxOy氧化物纳米复合薄膜的底层为MxOy薄膜，MxOy薄膜和Al薄膜由下至上交替分布，且MxOy薄膜和Al薄膜的厚度均为纳米级。本发明提高了电爆换能元的安全性和点火能力，电爆换能元的MEMS制作工艺提高了与火工品其他部件的集成度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
115 条记录 (耗时 0.035 秒)
