公开(公告)号：CN117450861A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311430590.7

申请日：2023-10-31

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 朱朋 ,  赵松茂 ,  程泽宇 ,  李昂

IPC: F42B3/10

Abstract: 本发明属于起爆技术领域，具体涉及一种基于电爆炸和磁等熵压缩耦合的爆炸箔芯片。包括基板，整体呈C型的金属层，设置金属层上的飞片层，设置在飞片层上的加速膛和顶层焊盘；金属层一侧设有桥区和过渡区、另一侧设有下层电极和焊盘，在基板靠近金属层桥区的区域内嵌磁芯，顶层焊盘通过过孔和金属层电连接，下层电极设置在基板的下表面，下层电极的尺寸满足覆盖住桥区相应的区域，焊盘接地，顶层焊盘和脉冲电源正极连接。本发明将金属箔电爆炸和磁等熵压缩二者耦合起来，对飞片驱动的初期阶段提供额外动力，进而提高了飞片终端速度，为高速飞片的产生提供了新的手段。

公开(公告)号：CN118149654A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410404794.1

申请日：2024-04-07

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 朱朋 ,  赵松茂 ,  简昊天

IPC: F42B3/12

Abstract: 本发明为一种基于电爆炸等离子体增强的爆炸箔芯片。包括从下到上依次设置的基板，金属层，加速膛，和加速膛内的赋能电极；金属层由中部的桥区和桥区两侧的过渡区、焊盘组成，加速膛中部设有加速膛孔，加速膛上设有嵌设赋能电极的凹槽，赋能电极包括焊盘和放电区域，两个相对的赋能电极的放电区域和加速膛侧壁形成为带有放电区域的加速膛孔；赋能电极的焊盘与金属层的焊盘连接、从而使得赋能电极和电爆炸回路并联连接，构成等离子体赋能回路。本方法实现了对金属电爆炸等离子体的赋能，提高了电爆炸等离子体的能量特性，包括等离子体的强度和高温持续时间等。