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公开(公告)号：CN110411285B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201910654279.8
申请日：2019-07-19
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明属于起爆领域，特别是一种集成单触发开关的爆炸箔超压芯片及其起爆装置。包括集成在同一个陶瓷基底上的单触发开关单元和爆炸箔超压芯片单元，所述爆炸箔超压芯片单元包括爆炸箔阵列区，所述爆炸箔阵列区由多个爆炸箔串联之后并联形成。本发明芯片内采用多个爆炸箔并联的方式，利用多个爆炸箔分别驱动多个飞片冲击起爆多个HNS炸药柱，利用HNS炸药产生的爆轰波相互碰撞、形成马赫反射，产生超压爆轰，超过钝感炸药的临界起爆压力，从而可以取消传爆、扩爆序列直接起爆钝感炸药。且芯片内的开关采用单触发开关，将开关的低压触发回路和爆炸箔超压芯片的高压主回路分开，从而降低了主回路的起爆能量。
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公开(公告)号：CN109449014A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811222124.9
申请日：2018-10-19
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及高功率脉冲应用领域，具体涉及一种耐烧蚀平面三电极高压开关及其制备方法。高压开关包括：基片；三电极层：设置在基片之上，包括阳极、阴极和触发极，阳极和阴极为左右对称半圆形结构，阳极和阴极间设置有主电极间隙，触发电极设置在阳极和阴极之间，且距离阴极更近；耐烧蚀层：设置在三电极层之上，分为三部分，分别与三电极层的阳极、阴极和触发极的形状相匹配，在阳极、阴极和触发极的后端部预留焊盘区，覆盖阳极、阴极和触发极的前端。本申请通过在三电极层的表面沉积耐烧蚀层，使平面三电极高压开关可以多次重复性使用，提高了使用寿命。本申请采用微机电系统工艺制备高压开关，提高了产品的一致性，可以实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN109297364A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811221498.9
申请日：2018-10-19
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及微型低能量点火和起爆技术领域，具体涉及一种含Al/PTFE的微芯片爆炸箔起爆器及其制备方法。起爆器包括：基片，置于基片之上的Al/PTFE双层复合含能薄膜层，包括Al金属层和PTFE层，其中Al金属层设置在基片之上，包括焊盘、过渡区和Al桥箔；PTFE层设置在Al金属层之上；设置在Al/PTFE双层复合含能薄膜层之上的聚合物飞片层；加速膛以及置于加速膛正上方的药剂。本发明Al与PTFE间的化学燃烧反应，产生大量蒸汽和等离子体，增强了桥箔剪切及驱动飞片的能力，最终将降低微芯片爆炸箔起爆器的发火能量。本发明采用微机电系统工艺制备微芯片爆炸箔起爆器，可实现批量化生产，降低了制备成本，并且所得起爆器的集成度高、体积小。
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公开(公告)号：CN109802302B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201910041889.0
申请日：2019-01-15
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及高功率脉冲技术领域，具体涉及一种基于LTCC工艺的密闭式平面三电极开关芯片。所述开关芯片的三个电极被密闭在一个空腔内，具体包括：基底层：所述基底层作为平面三电极开关芯片的载体结构；金属层：置于基底层之上，包括开关芯片的阴极、触发极和阳极，和与开关的阴极、触发极和阳极相连的焊盘；结构层A：置于金属层之上，包括电极空腔及裸露焊盘的焊盘槽；结构层B：置于结构层A之上，包括电极空腔的上盖，和裸露焊盘的焊盘槽。本发明采用LTCC工艺能将开关的三个电极密封在空腔内，使得开关的导通能力增强，开关作用的稳定性增加；另外采用LTCC工艺能使得开关一体化烧结制造，实现批量生产，提高产品的一致性，并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN110411284A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910652737.4
申请日：2019-07-19
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明属于起爆领域，特别是一种集成微箔开关的爆炸箔超压芯片及起爆装置。包括集成在同一陶瓷基底上的微箔开关单元和爆炸箔超压芯片单元，所述爆炸箔超压芯片单元包括多个爆炸箔，多个爆炸箔串联之后并联，形成“梅花形”爆炸箔阵列区。本发明芯片内采用4个爆炸箔并联的方式，利用4个爆炸箔分别驱动4个飞片冲击起爆4个HNS炸药柱，利用HNS炸药产生的爆轰波相互碰撞、形成马赫反射，产生超压爆轰，超过钝感炸药的临界起爆压力，从而可以取消传爆、扩爆序列直接起爆钝感炸药。且芯片内的开关采用微箔开关，将开关的触发回路和爆炸箔超压芯片的主回路分开，从而降低了主回路的起爆能量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109297365A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811222125.3
申请日：2018-10-19
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及炸药起爆技术领域，具体为一种基于LTCC工艺的平面三电极开关和爆炸箔集成芯片。芯片分为三电极开关和爆炸箔两部分，包括：基底层：基底层在开关部分作为载体，在爆炸箔部分作为反射背板；金属层：在开关部分作为阴极、阳极和触发极，在爆炸箔部分作为桥箔、过渡区，金属层还包括焊盘；置于金属层之上的结构层A：作为电极槽、飞片和焊盘槽；结构层B：置于结构层A之上，作为电极槽、加速膛和焊盘槽；结构层C：置于结构层B之上，作为电极槽、装药槽和焊盘槽。本发明利用LTCC工艺使得平面三电极开关和爆炸箔集成芯片可以一体化烧结制造，实现批量生产，提高产品的一致性，并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN109341430B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201811221516.3
申请日：2018-10-19
Applicant: 南京理工大学
IPC: F42B3/12
Abstract: 本发明涉及电脉冲驱动及点火与起爆领域，具体涉及一种平面三电极驱动器及其制备方法。驱动器包括：基片；三电极层：设置在基片之上，包括阳极、阴极和触发极，阳极和阴极为左右对称半圆形结构，阳极和阴极间设置有主电极间隙，触发电极设置在阳极和阴极之间，且距离阴极更近；聚合物飞片层：聚合物飞片层置于三电极层之上，且在阳极、阴极和触发极的端部预留焊盘区；加速膛：置于聚合物飞片层上方，加速膛为中空圆柱形，加速膛的膛孔直径根据三电极尺寸设计，需将三电极发生电爆炸的地方完全覆盖。本申请通过直接将平面三电极开关作为驱动器，简化了驱动系统的结构。本申请采用微机电系统工艺制备平面三电极驱动器，可以实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN110411285A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910654279.8
申请日：2019-07-19
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明属于起爆领域，特别是一种集成单触发开关的爆炸箔超压芯片及其起爆装置。包括集成在同一个陶瓷基底上的单触发开关单元和爆炸箔超压芯片单元，所述爆炸箔超压芯片单元包括爆炸箔阵列区，所述爆炸箔阵列区由多个爆炸箔串联之后并联形成。本发明芯片内采用多个爆炸箔并联的方式，利用多个爆炸箔分别驱动多个飞片冲击起爆多个HNS炸药柱，利用HNS炸药产生的爆轰波相互碰撞、形成马赫反射，产生超压爆轰，超过钝感炸药的临界起爆压力，从而可以取消传爆、扩爆序列直接起爆钝感炸药。且芯片内的开关采用单触发开关，将开关的低压触发回路和爆炸箔超压芯片的高压主回路分开，从而降低了主回路的起爆能量。
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公开(公告)号：CN109405657A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811221520.X
申请日：2018-10-19
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及微型低能量点火和起爆技术领域，涉及一种等离子体增强型的微芯片爆炸箔起爆器及制备方法。起爆器包括：基片，金属/低熔点聚合物薄膜层，包括金属层和低熔点聚合物层，金属层设置在基片之上，包括焊盘、过渡区和桥箔；低熔点聚合物层设置在金属层之上，设置在金属/低熔点聚合物薄膜层之上的抗拉聚合物飞片层，加速膛以及药剂。本发明通过使用金属/聚合物层，使得聚合物在桥箔电爆炸的基础上，能被激发产生大量的蒸汽和等离子体，增强了桥箔剪切及驱动飞片的能力，降低McEFI的发火能量。本发明采用微机电系统工艺制备微芯片爆炸箔起爆器，可实现批量化生产，降低了制备成本，并且所得起爆器的集成度高、体积小。
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公开(公告)号：CN109341430A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811221516.3
申请日：2018-10-19
Applicant: 南京理工大学
IPC: F42B3/12
Abstract: 本发明涉及电脉冲驱动及点火与起爆领域，具体涉及一种平面三电极驱动器及其制备方法。驱动器包括：基片；三电极层：设置在基片之上，包括阳极、阴极和触发极，阳极和阴极为左右对称半圆形结构，阳极和阴极间设置有主电极间隙，触发电极设置在阳极和阴极之间，且距离阴极更近；聚合物飞片层：聚合物飞片层置于三电极层之上，且在阳极、阴极和触发极的端部预留焊盘区；加速膛：置于聚合物飞片层上方，加速膛为中空圆柱形，加速膛的膛孔直径根据三电极尺寸设计，需将三电极发生电爆炸的地方完全覆盖。本申请通过直接将平面三电极开关作为驱动器，简化了驱动系统的结构。本申请采用微机电系统工艺制备平面三电极驱动器，可以实现批量化生产。
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