利用松木结构多孔铜辅助刻蚀锥状阵列硅表面的方法

    公开(公告)号:CN108133968A

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:CN201711441031.0

    申请日:2017-12-27

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/02168 H01L31/02167

    Abstract: 本发明公开了一种利用松木结构多孔铜辅助刻蚀锥状阵列硅表面的方法。先将松科木材在非氧化气氛中烧结,得到具有松木结构的多孔碳,再将该多孔碳在硝酸铜溶液中浸泡,干燥后经过无氧气氛烧结,得到具有松木结构的多孔铜;以该多孔铜为催化剂,将其置于硅平面上,用腐蚀剂浸没单晶硅,在铜的催化辅助作用下,硅表面被腐蚀,从而形成与多孔铜结构凸凹相反的锥状阵列硅表面。本发明所制得的硅表面呈锥状阵列结构,拓扑了松木的微观构造,高程度的借鉴自然,可获得优异的疏水性能和接收光子能力;本发明获得的锥状阵列硅表面具有顶部更窄,与水接触面积更小的优点,更有利于减小硅表面对水的黏附力,有利于获得更好的疏水性能。

    一种减少挂铜的铜基涂层弹带及其制备方法

    公开(公告)号:CN114234728A

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202111486460.6

    申请日:2021-12-07

    Abstract: 本发明属于弹丸设计领域,具体涉及一种减少挂铜的铜基涂层弹带及其制备方法。包括铜基体和涂敷在铜基体外表面的PTFE涂层,弹丸挤进过程中,PTFE涂层减少铜与膛线接触。在弹丸挤进过程中,PTFE涂层减少铜材料与膛线接触,减小弹带材料与身管的摩擦磨损,弹带总体结构强度由铜基体保证,涂层弹带整体不改变传统弹带结构,能够确保发射时具有良好的导转作用和闭气性;另外PTFE涂层经高温挥发,基本不残留在身管内。通过本发明的弹带在保证射击精度的情况下,减少挂铜量。

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