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公开(公告)号：CN104477973A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410720377.4
申请日：2014-12-01
Applicant: 南京师范大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种二维超薄硫化锡纳米片的制备方法及制得的材料，采用Sn2Cl4(Tu)5·2H2O为前驱物，通过新颖的固液相反应路线，在230℃下热分解Sn2Cl4(Tu)5·2H2O可控合成了类石墨烯状的、超薄SnS2纳米片。通过控制反应温度，可得到纯六方相SnS2纳米片、混合相SnS2-SnS和纯正交相的SnS纳米片。所得到的六方相SnS2纳米片具有高的质量比电容(在电流密度为1A g-1时其比电容为614.6F g-1)和优异的稳定性，且远远优于混合相SnS2-SnS和纯正交相SnS纳米片。本发明的六方相SnS2纳米片可作为活性材料用于构建高性能的超级电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102513542B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110370138.7
申请日：2011-11-21
Applicant: 南京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种液相还原法制备多孔状Pd纳米球的方法以及制得的Pd纳米球。所述的方法以丙酮和水为溶剂，加入季铵盐型阳离子表面活性剂，用水合肼还原可溶性PdII盐，制得了粒径分布范围在30～50nm多孔状Pd纳米晶。本发明通过液相化学反应合成得到的多孔状Pd纳米球为单一的立方相，具有规整的球状结构，比表面约80～90m2g-1，具有较高的电催化活性和稳定性。本发明的制备方法工艺简单，反应时间短，适合于批量生产。
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公开(公告)号：CN102513542A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110370138.7
申请日：2011-11-21
Applicant: 南京师范大学
Abstract: 本发明公开了一种液相还原法制备多孔状Pd纳米球的方法以及制得的Pd纳米球。所述的方法以丙酮和水为溶剂，加入季铵盐型阳离子表面活性剂，用水合肼还原可溶性PdII盐，制得了粒径分布范围在30～50nm多孔状Pd纳米晶。本发明通过液相化学反应合成得到的多孔状Pd纳米球为单一的立方相，具有规整的球状结构，比表面约80～90m2g-1，具有较高的电催化活性和稳定性。本发明的制备方法工艺简单，反应时间短，适合于批量生产。
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公开(公告)号：CN102350344B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110227235.0
申请日：2011-08-10
Applicant: 南京师范大学
IPC: B01J23/50 , B82Y40/00 , C07B37/04 , C07C15/48 , C07C15/54 , C07C2/86 , C07C25/24 , C07C17/266 , C07C43/215 , C07C41/30
Abstract: 一种单分散Ag纳米晶催化剂及其制备方法和在Sonagashira反应上的应用。所述催化剂的制备方法是，将AgNO3固体、C10以上长链有机胺和十八碳烯混合物从室温以一定的升温速率加热至280-320℃，并在该温度下保持20-40min，分离后制得单分散Ag纳米晶。所述催化剂具有准球形结构，粒径≤10nm，平均直径约为6nm。本发明通过固液相化学反应合成得到单分散的球形Ag纳米晶，工艺简单，适合于批量生产。直接用本发明的单分散Ag纳米晶可高效催化Sonogashira反应，选择性高，且产率可达90%以上。与Pd纳米晶相比，所得Ag纳米晶显示出更高的催化活性。
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公开(公告)号：CN102350344A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110227235.0
申请日：2011-08-10
Applicant: 南京师范大学
IPC: B01J23/50 , B82Y40/00 , C07B37/04 , C07C15/48 , C07C15/54 , C07C2/86 , C07C25/24 , C07C17/266 , C07C43/215 , C07C41/30
Abstract: 一种单分散Ag纳米晶催化剂及其制备方法和在Sonagashira反应上的应用。所述催化剂的制备方法是，将AgNO3固体、C10以上长链有机胺和十八碳烯混合物从室温以一定的升温速率加热至280-320℃，并在该温度下保持20-40min，分离后制得单分散Ag纳米晶。所述催化剂具有准球形结构，粒径≤10nm，平均直径约为6nm。本发明通过固液相化学反应合成得到单分散的球形Ag纳米晶，工艺简单，适合于批量生产。直接用本发明的单分散Ag纳米晶可高效催化Sonogashira反应，选择性高，且产率可达90%以上。与Pd纳米晶相比，所得Ag纳米晶显示出更高的催化活性。
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公开(公告)号：CN104477973B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410720377.4
申请日：2014-12-01
Applicant: 南京师范大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种二维超薄硫化锡纳米片的制备方法及制得的材料，采用Sn2Cl4(Tu)5·2H2O为前驱物，通过新颖的固液相反应路线，在230℃下热分解Sn2Cl4(Tu)5·2H2O可控合成了类石墨烯状的、超薄SnS2纳米片。通过控制反应温度，可得到纯六方相SnS2纳米片、混合相SnS2-SnS和纯正交相的SnS纳米片。所得到的六方相SnS2纳米片具有高的质量比电容(在电流密度为1A g-1时其比电容为614.6F g-1)和优异的稳定性，且远远优于混合相SnS2-SnS和纯正交相SnS纳米片。本发明的六方相SnS2纳米片可作为活性材料用于构建高性能的超级电容器。
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