一种FAPbI3钙钛矿薄膜及制备高效的钙钛矿太阳能电池的方法

    公开(公告)号:CN114678472B

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202210284744.5

    申请日:2022-03-22

    Abstract: 本发明涉及一种制备FAPbI3钙钛矿薄膜及其高效的钙钛矿太阳能电池的方法,属于光电子材料与器件领域。该发明中纯相FAPbI3薄膜的制备采用一步法将乙酸铵作为添加剂与钙钛矿组分溶于N,N‑二甲基甲酰胺作为前驱体溶液旋涂在已经有电子传输层的FTO导电基板上,经过退火制备均匀致密的钙钛矿薄膜,整个过程在无水无氧的手套箱内进行。随后在薄膜上进行后续处理以及Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层,再利用真空蒸镀技术蒸镀MoO3修饰层以及金属电极以完成器件的制备。该方法所制备的纯相FAPbI3钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效率,并且本发明采用乙酸铵作为添加剂使得可以一步法制备纯相甲脒基钙钛矿太阳能电池。

    一种在高湿度环境下制备CsPbI3钙钛矿薄膜及其高效太阳能电池的方法及应用

    公开(公告)号:CN114284439B

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202110117031.5

    申请日:2021-01-28

    Abstract: 本发明涉及一种在高湿度环境下制备CsPbI3钙钛矿薄膜及其高效的钙钛矿太阳能电池的方法及应用,属于光电子材料与器件领域。该发明中全无机CsPbI3薄膜的制备采用热旋涂技术将以醋酸甲胺作为溶剂的前驱体溶液旋涂在已经有电子传输层的FTO导电基板上,经过梯度退火,制备致密均匀的钙钛矿薄膜,整个过程在相对湿度为40%‑80%的空气中完成。随后在薄膜上旋涂界面修饰层以及Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层,再利用真空蒸镀技术蒸镀MoO3修饰层以及金属电极以完成器件的制备。该方法在高湿度的空气中所制备的CsPbI3全无机钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效率。

    一种窄带隙钙钛矿薄膜及其高效钙钛矿太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN118555889A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202310162401.6

    申请日:2023-02-24

    Abstract: 本发明涉及了窄带隙钙钛矿薄膜及其高效钙钛矿太阳能电池的制备方法,涉及窄带隙光伏器件领域。钙钛矿层结合了离子添加剂MAAc,发展基于两步顺序沉积的绿色环保制备方案,改善了钙钛矿在制备过程中成核不均匀、结晶速率过快的情况,避免薄膜中出现严重的缺陷复合,同时采用双电子传输层钝化钙钛矿表面的缺陷,通过优化其厚度不影响有机光电器件性能,本发明中的器件制备方法,提高了器件的光电转换效率。通过此方法制备的窄带隙钙钛矿太阳能电池操作简单,光电转换效率高,重复性高,避免了反溶剂的参与对人体安全以及环境问题造成严重的影响。通过本发明提供的窄带隙钙钛矿制备方法所获得的绿色环保制备方法有望在有机光电领域获得广泛应用。

    一种丝网印刷法制备全无机钙钛矿薄膜及其太阳能电池的方法

    公开(公告)号:CN118198179A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202211619187.4

    申请日:2022-12-14

    Abstract: 本发明涉及一种在大气环境中制备全无机CsPbI3‑xBrx钙钛矿薄膜及其高效的钙钛矿太阳能电池的方法,属于光电子材料与器件领域。该发明中全无机CsPbI3‑xBrx薄膜的制备采用丝网印刷技术将以离子液体醋酸甲胺MAAc作为溶剂的前驱体溶液印刷在已沉积有SnO2电子传输层的FTO导电基板上,经处理形成均匀致密的钙钛矿薄膜,整个过程在大气环境中完成。随后在薄膜上旋涂Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层,再利用真空蒸镀技术蒸镀MoO3修饰层以及金属电极以完成器件的制备。该方法所制备的全无机CsPbI3‑xBrx钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效果。

    一种峰谷电流比可调节的负微分电阻器件及其应用

    公开(公告)号:CN117042588A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202310993916.0

    申请日:2023-08-08

    Abstract: 本发明公开了一种峰谷电流比可调节的负微分电阻器件及其应用,涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的负微分电阻器件从下至上依次包括玻璃基底、底电极、钙钛矿活性层CH3NH3PbI3薄膜、氧化物界面层和顶电极。本发明的器件制备方法如下:在预处理过的底电极表面旋涂CH3NH3PbI3薄膜层,在所述CH3NH3PbI3薄膜层表面蒸镀氧化物界面层,最后在界面层上蒸镀金属Au。该器件的峰谷电流比高,通过控制起始扫描电压大小,可以实现室温下峰谷电流比可调节的负微分电阻效应。本发明采用的原料易得,所涉及的器件结构设计与制备工艺流程简单,器件性能测试方法易于调控,可在新型电子器件中获得应用。

    一种AgBiS2电池器件的制备方法及太阳能电池

    公开(公告)号:CN117042557A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311031844.8

    申请日:2023-08-15

    Abstract: 本发明实施例公开了一种AgBiS2电池器件的制备方法,包括:配置AgBiS2前驱体溶液,搅拌反应2‑6h直至完全溶解;清洗导电玻璃基板,将电子传输材料旋涂在导电玻璃基板上,并将溶解后的AgBiS2前驱体溶液旋涂在导电玻璃基板的电子传输层上,进行100℃退火至少10min后再进行200℃退火至少10min,得到致密、均一的AgBiS2活性层;在AgBiS2活性层上旋涂空穴传输层材料得到空穴传输层,并在空穴传输层上蒸镀修饰层和金属电极。该方法操作简单、便捷。相比于传统的方法,可以解决基于前驱体溶液制备太阳能电池时溶剂单一的问题。此外,原料价格低廉,可以实现大规模应用。利用AgBiS2薄膜制备得到的太阳能电池为正置平面异质结AgBiS2太阳能电池,具有较高的稳定性,有助于AgBiS2太阳能电池的商业化应用。

    一种甲脒基离子液体的钙钛矿前驱体溶液的合成方法、电池器件及太阳能电池

    公开(公告)号:CN117049983A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311027725.5

    申请日:2023-08-15

    Abstract: 本发明实施例公开了一种甲脒基离子液体的钙钛矿前驱体溶液的合成方法、电池器件及太阳能电池,包括:将有机酸钠盐和甲脒盐酸盐分别加入乙醇中,搅拌溶解,得到甲脒盐酸盐溶液和烷基酸钠溶液;将甲脒盐酸盐溶液逐滴加入烷基酸钠溶液中,在25‑60℃的条件下对混合液进行搅拌,反应24‑36h;对反应后的混合液进行过滤,取滤液,并将得到的一级滤液旋蒸除去乙醇溶剂,用有机溶剂震荡洗涤25‑35min;对洗涤后的溶液进行二次过滤,取滤液,并将得到的二级滤液旋蒸除去有机溶剂,得到有机酸甲脒离子液体;将碘化铅、甲脒氢碘酸盐溶于有机酸甲脒离子液体中,在40‑80℃下反应至少5h得到甲脒基离子液体的钙钛矿前驱体溶液。该方法解决了FAPb I 3钙钛矿在湿度环境下相稳定性差的问题。

    一种空气中两步刮涂制备FAPbI3钙钛矿薄膜的方法及应用

    公开(公告)号:CN116997227A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202210456116.0

    申请日:2022-04-24

    Abstract: 本发明公开了一种空气中两步刮涂制备FAPbI3钙钛矿薄膜的方法,利用离子液体甲酸甲胺作为碘化铅的溶剂在适当温度下可以刮涂制备出均匀多孔的碘化铅薄膜,有利于第二步刮涂中碘甲脒的渗透反应,同时,第二步刮涂时刮刀施加的适当压力也有助于碘甲脒的渗透和反应,通过此方法,能取得稳定的α相FAPbI3钙钛矿,且整个制备过程在空气中和同一台设备上进行,可以简单快捷地完成高质量FAPbI3钙钛矿薄膜的制备,同时,此方法可以用于制备大面积钙钛矿薄膜,有较高的产业化前景,最终,制得的器件光电转化效率可达到22.3%,该效率在空气中刮涂制备FAPbI3钙钛矿光伏器件中处于领先地位。

    一种宽带隙钙钛矿太阳能电池及其制备和应用

    公开(公告)号:CN112542549B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202011423449.0

    申请日:2020-12-08

    Abstract: 本发明涉及一种宽带隙钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用,属于光电材料与器件领域。该发明将碘化铅,溴化铅,甲基碘化铵和甲基溴化铵按照摩尔比3:1:3:1溶解于离子液体醋酸甲铵中配制宽带隙钙钛矿前驱体溶液,并在空气中采用一步加热旋涂法将前驱体溶液旋涂在已沉积有电子传输材料和界面材料的ITO透明导电玻璃上,经过退火处理后形成表面致密平滑,结晶度高,缺陷态密度低且晶体取向好的宽带隙钙钛矿薄膜。所制备的宽带隙钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效率和出色的器件稳定性。

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