公开(公告)号：CN114678472B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202210284744.5

申请日：2022-03-22

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 陈永华 ,  王殿曦 ,  杜晓琴 ,  夏英东 ,  黄维

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K30/40

Abstract: 本发明涉及一种制备FAPbI3钙钛矿薄膜及其高效的钙钛矿太阳能电池的方法，属于光电子材料与器件领域。该发明中纯相FAPbI3薄膜的制备采用一步法将乙酸铵作为添加剂与钙钛矿组分溶于N，N‑二甲基甲酰胺作为前驱体溶液旋涂在已经有电子传输层的FTO导电基板上，经过退火制备均匀致密的钙钛矿薄膜，整个过程在无水无氧的手套箱内进行。随后在薄膜上进行后续处理以及Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层，再利用真空蒸镀技术蒸镀MoO3修饰层以及金属电极以完成器件的制备。该方法所制备的纯相FAPbI3钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效率，并且本发明采用乙酸铵作为添加剂使得可以一步法制备纯相甲脒基钙钛矿太阳能电池。

公开(公告)号：CN119816172A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202311301349.4

申请日：2023-10-09

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 陈永华 ,  胡浙鲁 ,  杜晓琴 ,  王殿曦 ,  黄维

IPC: H10K71/15 ,  H10K71/00 ,  H10K39/15

Abstract: 本发明提出一种钙钛矿/硅叠层太阳能电池的方法，对所述宽带隙钙钛矿层的表面进行钝化处理，降低了所述宽带隙钙钛矿层的缺陷密度，减轻了非辐射复合，提高了器件的疏水性以及器件对水的稳定性大大减少了开压的损失，提高了开压。基于此方法制备的钙钛矿/硅叠层太阳能电池，具有较高的光电转化效率及良好的器件稳定性。

公开(公告)号：CN114678472A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202210284744.5

申请日：2022-03-22

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 陈永华 ,  王殿曦 ,  杜晓琴 ,  夏英东 ,  黄维

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明涉及一种制备FAPbI3钙钛矿薄膜及其高效的钙钛矿太阳能电池的方法，属于光电子材料与器件领域。该发明中纯相FAPbI3薄膜的制备采用一步法将乙酸铵作为添加剂与钙钛矿组分溶于N，N‑二甲基甲酰胺作为前驱体溶液旋涂在已经有电子传输层的FTO导电基板上，经过退火制备均匀致密的钙钛矿薄膜，整个过程在无水无氧的手套箱内进行。随后在薄膜上进行后续处理以及Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层，再利用真空蒸镀技术蒸镀MoO3修饰层以及金属电极以完成器件的制备。该方法所制备的纯相FAPbI3钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效率，并且本发明采用乙酸铵作为添加剂使得可以一步法制备纯相甲脒基钙钛矿太阳能电池。