公开(公告)号：CN114284439B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202110117031.5

申请日：2021-01-28

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 陈永华 ,  刘锦 ,  林越辛 ,  夏英东 ,  黄维

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K30/15 ,  H10K71/16

Abstract: 本发明涉及一种在高湿度环境下制备CsPbI3钙钛矿薄膜及其高效的钙钛矿太阳能电池的方法及应用，属于光电子材料与器件领域。该发明中全无机CsPbI3薄膜的制备采用热旋涂技术将以醋酸甲胺作为溶剂的前驱体溶液旋涂在已经有电子传输层的FTO导电基板上，经过梯度退火，制备致密均匀的钙钛矿薄膜，整个过程在相对湿度为40％‑80％的空气中完成。随后在薄膜上旋涂界面修饰层以及Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层，再利用真空蒸镀技术蒸镀MoO3修饰层以及金属电极以完成器件的制备。该方法在高湿度的空气中所制备的CsPbI3全无机钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效率。

公开(公告)号：CN114284439A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202110117031.5

申请日：2021-01-28

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 陈永华 ,  刘锦 ,  林越辛 ,  夏英东 ,  黄维

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明涉及一种在高湿度环境下制备CsPbI3钙钛矿薄膜及其高效的钙钛矿太阳能电池的方法及应用，属于光电子材料与器件领域。该发明中全无机CsPbI3薄膜的制备采用热旋涂技术将以醋酸甲胺作为溶剂的前驱体溶液旋涂在已经有电子传输层的FTO导电基板上，经过梯度退火，制备致密均匀的钙钛矿薄膜，整个过程在相对湿度为40％‑80％的空气中完成。随后在薄膜上旋涂界面修饰层以及Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层，再利用真空蒸镀技术蒸镀MoO3修饰层以及金属电极以完成器件的制备。该方法在高湿度的空气中所制备的CsPbI3全无机钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效率。