公开(公告)号：CN101714603A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910212662.4

申请日：2009-11-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  谢自力 ,  刘斌 ,  李毅 ,  苏辉 ,  傅德颐 ,  修向前 ,  华雪梅 ,  赵红 ,  陈鹏 ,  韩平 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L33/06 ,  C23C16/34

Abstract: 一种GaN基量子阱红光LED结构的生长方法，利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长系统，得到GaN基GaN/InGaN量子阱红光LED结构材料，其中量子阱中InxGa1-xN材料In组份控制组份x在0.1到0.5之间。本发明实现了III族氮化物的红光长波长发光，针对高In组份InGaN材料生长困难的问题，本发明通过在MOCVD系统中，对有机镓源和铟源的流量，生长温度、时间，氨气流量，N与Ga之摩尔比等条件的控制和调整，解决了这一问题。本发明整个生长过程中，通过对温度和反应物流量比等条件的严格控制，确定量子阱的发光波长，实现长波长发光，得到GaN基GaN/InGaN量子阱红光LED结构。