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公开(公告)号：CN114672767A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210390587.6
申请日：2022-04-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸二碲化铂的化学气相沉积制备方法，方法在真空腔室内放入基片与金属铂靶材，通过石英晶振标定校准沉积速率，在室温条件下将金属铂沉积在基片上，之后在沉积炉中放入沉积铂的基片以及高纯度碲单质，将炉内抽至真空后通入载气，在一定的退火温度与时间条件下，对基片进行退火处理，退火结束后停止通入载气并将基片从沉积炉中取出完成制备。本发明方法所制备的二碲化铂厚度也可以通过改变所沉积铂的厚度进行调控，满足不同的实验要求，能够稳定制备出厘米级别大面积二碲化铂材料，较传统方法更加符合现代化工业制备二碲化铂的工艺要求。
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公开(公告)号：CN113106398A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110389349.9
申请日：2021-04-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种镧锶锰氧薄膜制备方法，方法在脉冲激光沉积系统真空腔室内一定的温度与压力条件下，将处理好的基片利用脉冲激光沉积系统首先进行铝酸锶薄膜的沉积，对基片进行原位退火后，采用同样的方式在基片上进行镧锶锰氧薄膜的沉积，之后再进行原位退火，制备过程通过脉冲激光沉积系统进行原位监控。本发明在铝酸锶薄膜制备过程中采用了铝酸锶作为缓冲层，能够在较薄的厚度快速释放应力，所制备的镧锶锰氧薄膜具有良好的铁磁金属特性，满足自旋电子器件的要求，方法有效解决了现有技术中镧锶锰氧薄膜制备时在大晶格不匹配基片上死层较厚的问题，能够进一步推广应用于其它类型薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN108511324B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201810299196.7
申请日：2018-04-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法,纳米片的制备方法是化学气相沉积(CVD)技术，在46Pa附近的本底真空下，通过高纯氩气作为载体，在恒定温度的衬底上进行生长，之后再在氩气氛围下进行退火。本发明所得到的γ‑In2Se3纳米片组分均匀，形貌为正六边形，尺寸大小在5μm左右，有利于对材料进行光刻等微加工工艺，为制备光电子、光伏等器件提供更简单易行的制备工艺。同时γ‑In2Se3纳米片材料制备参数易调整，设备简单，易操作，生长过程可控，工艺重复性好，具有较高的制备效率。它在光电子学领域的独特优势将为新型光伏器件的应用打下基础。
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公开(公告)号：CN106048726B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201610522649.9
申请日：2016-07-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 钇铁石榴石薄膜的外延生长方法，将装有处理好的钆镓石榴石基片的置真空腔室，并将钆镓石榴石基片加热到恒定温度736℃；加热过程中，加热到250℃的时候通入臭氧；加热至736℃之后，保持真空腔气压，将臭氧的质量分数调节至40％，同时保温半小时，打开反射式高能电子衍射仪RHEED调节出衬底的衍射斑点；全程保持RHEED的实时和原位监控，采用波长248nm的KrF准分子激光器将激光通过透镜聚焦到YIG靶材上；完成薄膜生长后，基片温度保持不变，原位退火约15min，然后将薄膜自然冷却至约250℃，停止保护气体再冷却至室温。本发明所得到的YIG薄膜组分均匀、厚度可控工艺重复性好，具有较高的制备效率。
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公开(公告)号：CN106784303A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611035237.9
申请日：2016-11-17
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L43/10 , C23C14/0623 , C23C14/28 , C23C14/5806 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了一种新型的材料结构设计，在氟晶云母衬底上生长高质量碲化钨薄膜，获得一种结合了柔性和超大不饱和磁阻性质的新结构。所述碲化钨薄膜是W、Te元素以1:2化学计量比形成的化合物，它是一种半金属材料，具有巨大的不饱和磁电阻，低温下可以达到105量级，在加压下还会呈现超导性质。将碲化钨薄膜生长在云母上有利于应力相关研究和开发柔性电子学的应用。薄膜的制备方法是激光分子束外延(L‑MBE)技术，在约4.6×10‑7mbar的本底真空下，在恒定温度的衬底上进行生长，随后在Te蒸气下高温退火。所获得的薄膜表征拉曼信号和XRD信号均与文献记载相吻合，确定为高质量的薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102603190A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210054997.X
申请日：2012-03-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种稀土掺杂的硫系(卤)薄膜材料，在锗镓基的硫系(卤)薄膜中共同掺杂两种稀土离子，即三价稀土离子铥Tm3+和镝Dy3+；所述的薄膜材料是无定形的；形成近红外多波段发射特征的光学有源薄膜材料；其薄膜材料的化学组成与其玻璃块体靶材基本保持一致，玻璃基础靶材的组成为：GeS2:72mol%；Ga2S3:18mol%；CdI2:10mol%，且Tm3+和Dy3+的掺杂浓度为玻璃基础靶材重量比的1.0±0.2wt%和0.4±0.1wt%。在808nm波长的激光二极管泵浦下可以实现薄膜样品的高带宽发射。本发明所得到的无定形硫系(卤)薄膜材料组分均匀、易控制；材料制备参数易调整。
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公开(公告)号：CN114807848A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210416935.2
申请日：2022-04-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积二碲化钼的PLD制备方法，方法在脉冲激光沉积系统(PLD)真空腔室内一定的温度与压力条件下，将处理好的氟晶云母基片利用脉冲激光沉积系统进行二碲化钼(MoTe2)薄膜的沉积，随后将沉积好的薄膜及适量Te粉末封装进真空石英管中进行高温退火。根据不同的退火条件可以制备出半导体相(2H‑MoTe2)和金属相(1T’‑MoTe2)两种不同相的薄膜。本发明方法原理简单，所制备的二碲化钼厚度也可以通过改变沉积的时间进行调控从而满足不同的实验要求，与传统方法相比能够稳定制备出厘米级别的大面积二碲化钼薄膜，并且能极大地节省原材料，降低成本，更加符合现代化工业制备二碲化钼的工艺要求。
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公开(公告)号：CN114724955A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210416790.6
申请日：2022-04-20
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/363 , C23C14/08 , C23C14/28
Abstract: 本发明公开了一种镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜制备方法，所述镧锰氧/铱酸锶异质结是采用脉冲激光沉积法制备，经过预处理好的基片放入真空腔室内加热到一定的温度，在一定的氧气压力条件下，利用脉冲激光轰击靶材产生的等离子羽辉沉积样品，首先沉积铱酸锶薄膜，沉积结束后进行原位退火，之后在相同条件下以相同步骤继续沉积镧锰氧薄膜，最后再原位退火后降温至室温。本发明制备的镧锰氧/铱酸锶异质结制备方法简单快捷，所制备的镧锰氧/铱酸锶异质结薄膜具有明显的界面磁性，通过调节异质结中镧锰氧的厚度可以有效的对异质结的界面磁性进行调控，在自旋电子器件领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106048726A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610522649.9
申请日：2016-07-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 钇铁石榴石薄膜的外延生长方法，将装有处理好的钆镓石榴石基片的置真空腔室，并将钆镓石榴石基片加热到恒定温度736℃；加热过程中，加热到250℃的时候通入臭氧；加热至736℃之后，保持真空腔气压，将臭氧的质量分数调节至40％，同时保温半小时，打开反射式高能电子衍射仪RHEED调节出衬底的衍射斑点；全程保持RHEED的实时和原位监控，采用波长248nm的KrF准分子激光器将激光通过透镜聚焦到YIG靶材上；完成薄膜生长后，基片温度保持不变，原位退火约15min，然后将薄膜自然冷却至约250℃，停止保护气体再冷却至室温。本发明所得到的YIG薄膜组分均匀、厚度可控工艺重复性好，具有较高的制备效率。
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公开(公告)号：CN113106398B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110389349.9
申请日：2021-04-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种镧锶锰氧薄膜制备方法，方法在脉冲激光沉积系统真空腔室内一定的温度与压力条件下，将处理好的基片利用脉冲激光沉积系统首先进行铝酸锶薄膜的沉积，对基片进行原位退火后，采用同样的方式在基片上进行镧锶锰氧薄膜的沉积，之后再进行原位退火，制备过程通过脉冲激光沉积系统进行原位监控。本发明在铝酸锶薄膜制备过程中采用了铝酸锶作为缓冲层，能够在较薄的厚度快速释放应力，所制备的镧锶锰氧薄膜具有良好的铁磁金属特性，满足自旋电子器件的要求，方法有效解决了现有技术中镧锶锰氧薄膜制备时在大晶格不匹配基片上死层较厚的问题，能够进一步推广应用于其它类型薄膜的制备。
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