公开(公告)号：CN114672767A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202210390587.6

申请日：2022-04-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 王学锋 ,  王喆 ,  陈中强

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/28 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种大尺寸二碲化铂的化学气相沉积制备方法，方法在真空腔室内放入基片与金属铂靶材，通过石英晶振标定校准沉积速率，在室温条件下将金属铂沉积在基片上，之后在沉积炉中放入沉积铂的基片以及高纯度碲单质，将炉内抽至真空后通入载气，在一定的退火温度与时间条件下，对基片进行退火处理，退火结束后停止通入载气并将基片从沉积炉中取出完成制备。本发明方法所制备的二碲化铂厚度也可以通过改变所沉积铂的厚度进行调控，满足不同的实验要求，能够稳定制备出厘米级别大面积二碲化铂材料，较传统方法更加符合现代化工业制备二碲化铂的工艺要求。

公开(公告)号：CN116641132A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310431729.3

申请日：2023-04-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 王学锋 ,  陈业全 ,  宋安柯 ,  陈中强 ,  张荣

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/48 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明公开了一种具有巨大拓扑霍尔效应的碲化铬薄膜的外延生长方法，属于电子材料技术领域，本发明方法首先准备好基片与铬碲元素化合物靶材，使用泵组将腔室内压抽至真空后，对基片进行加热至恒定温度，采用准分子激光器将激光聚焦到靶材上，沉积全程通过RHEED高能电子衍射仪保持实时原位监控，观察到沉积薄膜RHEED衍射斑点为清晰三维点阵图形后，将腔室内温度降至室温，取出基片对所得碲化铬单晶薄膜进行表征测试。测量结果表明，本方法为本技术领域内首次获得居里温度高于室温的碲化铬铁磁薄膜，其拓扑霍尔电阻率最大幅度值在现有观测到拓扑霍尔效应的所有碲化铬材料体系中最高，方法具有较高的制备效率，可拓展到制备其它高质量的碲化物薄膜。