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公开(公告)号：CN119045291A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411368080.6
申请日：2024-09-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种无掩膜版多次光刻的微纳图案制造与转移方法；通过对1微米以上图形和1微米以下图形划分，分别执行激光直写曝光和电子束曝光，采用两次曝光加剥离的方法，能够兼容图案内同时存在微米级以上的大线宽与纳米级的小线宽，可以快速、低成本的加工纳米尺度的微细图形，并且采用剥离的方法将光刻图案转移到材料层内，可以避免刻蚀所带来的线宽丢失，能够更加精准的进行图案转移。
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公开(公告)号：CN119332206A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411437144.3
申请日：2024-10-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射制备高致密度、低电阻率氮化钛薄膜的方法；采用半导体晶圆作为基底，利用超高真空互联管道将基片传送至具有超高真空本底的磁控溅射反应腔室内；采用氮化钛化合物靶材，样品台达到需要的薄膜沉积温度后，通入氩气进行非化学反应磁控溅射；溅射完成后停止通入气体，分子泵尽快恢复腔体内的真空度到超高真空；加热台降至室温后取出样品；采用特选的溅射功率、基底温度、靶基距、溅射气压等参数最终制成低阻氮化钛薄膜，稳定工艺参数后，通过控制溅射时间控制薄膜厚度；本发明可行性高、可以制备出具有较低电阻率、良好均匀性和表面平整度的超薄导电膜，具有广泛和重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN119601106A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411581738.1
申请日：2024-11-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种分子动力学模拟卤素等离子体刻蚀硅或二氧化硅的方法；所述方法为：通过硅或二氧化硅衬底材料建模、LAMMPS软件初始化设置、等离子体刻蚀循环、数据输出与分析处理；本发明的方法利用分子动力学的方法在原子尺度上模拟等离子体‑表面相互作用机制，分析表面改性层的性质，模拟刻蚀条件独立可控，不同能量、入射角、入射剂量的等离子体刻蚀均可模拟，可以准确分析单一变量对刻蚀结果的影响；能准确、快速地预测不同入射条件下卤素等离子体刻蚀硅或二氧化硅的效果，避免了实验带来的高成本、复杂性和不确定性，大幅缩短了卤素等离子体刻蚀硅或二氧化硅工艺的开发流程。
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