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公开(公告)号：CN119332206A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411437144.3
申请日：2024-10-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射制备高致密度、低电阻率氮化钛薄膜的方法；采用半导体晶圆作为基底，利用超高真空互联管道将基片传送至具有超高真空本底的磁控溅射反应腔室内；采用氮化钛化合物靶材，样品台达到需要的薄膜沉积温度后，通入氩气进行非化学反应磁控溅射；溅射完成后停止通入气体，分子泵尽快恢复腔体内的真空度到超高真空；加热台降至室温后取出样品；采用特选的溅射功率、基底温度、靶基距、溅射气压等参数最终制成低阻氮化钛薄膜，稳定工艺参数后，通过控制溅射时间控制薄膜厚度；本发明可行性高、可以制备出具有较低电阻率、良好均匀性和表面平整度的超薄导电膜，具有广泛和重要的应用前景。
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