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公开(公告)号：CN119045291A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411368080.6
申请日：2024-09-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种无掩膜版多次光刻的微纳图案制造与转移方法；通过对1微米以上图形和1微米以下图形划分，分别执行激光直写曝光和电子束曝光，采用两次曝光加剥离的方法，能够兼容图案内同时存在微米级以上的大线宽与纳米级的小线宽，可以快速、低成本的加工纳米尺度的微细图形，并且采用剥离的方法将光刻图案转移到材料层内，可以避免刻蚀所带来的线宽丢失，能够更加精准的进行图案转移。
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