基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN117202688A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311305574.5

    申请日:2023-10-10

    Abstract: 本发明公开基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法,属于发光二极管技术领域;基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管包括从下至上依次包括:ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极;所述非铅钙钛矿发光层由经过双重钝化后的非铅钙钛矿前驱体溶液旋涂于空穴传输层表面;经过双重钝化后的非铅钙钛矿前驱体溶液由PEA、PFMA阳离子中的任意一种以及EDA、PEI、TFA阴离子中的任意一种,通过与CsI、CuI、CsCl、CuCl、CsBr、CuBr中的任意两种固体,以0.1‑0.8M的浓度溶解于N,N‑二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种或两种而配置得到,可以同时对非铅铜基钙钛矿中固有的铜离子缺陷和卤化物缺陷进行双重钝化。

    一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN116314523A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310009528.4

    申请日:2023-01-04

    Abstract: 本发明公开一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法,属于发光二极管技术领域,本发明的发光二极管从下至上依次包括ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极。本发明还提供了所述非铅钙钛矿发光二极管的制备方法。本发明的非铅钙钛矿发光层由碱离子钝化的非铅钙钛矿前驱体溶液和反溶剂通过抗溶剂结晶法制备而成,通过引入碱离子以抑制非铅钙钛矿薄膜表面和晶界中的非辐射复合损失来增强发光效率,提高了非铅钙钛矿发光二极管器件的光电性能。

    一种蜂窝状碳纳米阵列的X射线管和制备方法

    公开(公告)号:CN119008360A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411096031.1

    申请日:2024-08-12

    Abstract: 本发明提供了一种蜂窝状碳纳米阵列的X射线管和制备方法,所述X射线管包括阴极、栅极及阳极;本发明采用新型蜂窝状碳纳米阵列作为X射线管的发射材料,依据场致发射原理,使其无需加热,响应时间能达到微秒级;并且蜂窝状的阵列使碳纳米管依靠彼此间的范德华力,克服场屏蔽效应,有效提升发射电流,提高成像质量;由于碳纳米管具有更高长径比,导电性更好,有效提升发射电流密度;所述结构可以通过改变对栅极施加的电场强度的大小来调控电子运动轨迹等参数。本结构采用新型蜂窝状碳纳米阵列作为阴极发射材料,具有发射电流大、电子运动轨迹可调的特点,并且结构简单易于加工,具有广阔的应用前景。

    一种聚合物修饰的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN116261379A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310171995.7

    申请日:2023-02-27

    Abstract: 本申请公开了一种聚合物修饰的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法,属于发光二极管技术领域;本申请的发光二极管从下至上依次包括:ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极;本申请还提供了所述非铅钙钛矿发光二极管的制备方法,本申请的非铅钙钛矿发光层由掺入聚合物聚环氧乙烷(PEO)修饰的非铅钙钛矿前驱体溶液和反溶剂通过抗溶剂结晶法制备而成,PEO的掺杂钝化了非铅钙钛矿的反位缺陷并促进了载流子的辐射复合,经过此方法得到的非铅钙钛矿薄膜显示出高的表面覆盖率和低的表面粗糙度,从而提高了非铅钙钛矿发光二极管的发光效率,最终呈现出高效且稳定的发光。

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