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公开(公告)号：CN118800855A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410872779.X
申请日：2024-06-28
Applicant: 南京信息工程大学 , 新型显示与视觉感知石城实验室
Abstract: 本发明公开一种利用卤键诱导的钙钛矿基Micro‑LED色转换层及其制备方法，色转换层的发光材料为ABX3和C6H2BrF4N/C6H2IF4N。A为有机官能团MA+、FA+或无机Cs+，B为Pb2+、Ge2+、Sn2+或Cu2+；X为卤素离子Br‑、Cl‑或I‑。色转换层的制备方法包括：分别称取制备红光钙钛矿色转换单元、蓝光钙钛矿色转换单元、绿光钙钛矿色转换单元所需的发光材料加入到二甲基亚砜溶液中，得到三种溶液；对三种溶液分别进行加热搅拌4～12小时，温度20℃～100℃，得到三种前驱体溶液；将三种前驱体溶液分别旋涂在清洗后的玻璃衬底之上；对玻璃衬底进行退火操作，退火时间为10～30min，退火温度为60℃～140℃。本发明利用卤键构建的钙钛矿结构相比于传统钙钛矿材料，可以抑制离子在钙钛矿卤素空位的迁移，提高器件运行的稳定性。
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公开(公告)号：CN118658943A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410951284.6
申请日：2024-07-16
Applicant: 南京信息工程大学 , 新型显示与视觉感知石城实验室
Abstract: 本发明提供一种基于非铅钙钛矿的Micro‑LED芯片及其制备方法，所采用的发光材料的化学式结构为AB2X3、A2BX4、A3B2X5、A4BX6中的一种，A位为一价金属阳离子或有机官能团，B位为过渡金属中的二价阳离子或Cu+，X位为卤族离子。不同于传统的Micro‑LED芯片，本发明采用非铅钙钛矿发光二极管器件可以提高发光效率和色纯度，同时避免了传统Micro‑LED中铅基钙钛矿材料的污染性，并达到降低生产成本的目的。本发明采用主动发光的蓝光非铅钙钛矿激发红色和绿色发光，进一步提高了器件的发光效率。本发明还利用冠醚类化合物的环状结构使其能够与金属或有机阳离子配位形成稳定的配位复合物，通过钝化缺陷和优化薄膜形貌，有效降低钙钛矿薄膜的非辐射复合率，从而进一步提高发光效率。
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公开(公告)号：CN119630155A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411724431.2
申请日：2024-11-28
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 南京信息工程大学 , 东南大学
Inventor： 潘江涌 , 陆佳 , 沈润杰 , 丁文浩 , 高正浩 , 魏宇炀 , 陈名湛 , 汪丽茜 , 吕俊鹏 , 苏志成 , 张宇宁 , 苏玉民 , 沈忠文 , 苏中方 , 周玮琦 , 梅泽 , 何乃龙
IPC: H10H29/30 , H10H29/851 , H10K59/90 , H10K59/80 , H10K50/115 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开了一种基于界面修饰的钙钛矿量子点Micro‑LED及其制备方法。Micro‑LED的结构包括分布式布拉格反射器、量子点色转换单元、GaN蓝光LED和CMOS集成电路基板。GaN蓝光发光单元由多个蓝光LED像素点组成，并集成在CMOS集成电路基板上。量子点色转换单元从下至上依次包含玻璃基底、金属电极、电极修饰层、电子传输层、钙钛矿量子点层、空穴传输层、空穴注入层、透明电极和封装膜，用于将蓝光转换为所需颜色，实现更广泛的色域。其中，在电子传输层上添加了双官能团醚进行优化。本研究不仅能够解决传统技术中存在的多个问题，还可显著提升器件的发光效率和环境稳定性，为下一代高性能Micro‑LED的开发提供了新颖而有前景的技术解决方案。
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公开(公告)号：CN119317289A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411406461.9
申请日：2024-10-10
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 南京信息工程大学 , 东南大学
IPC: H10H29/851 , H10H20/84 , H10H29/01 , H01L25/16 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开一种基于双配体策略的钙钛矿量子点Micro‑LED及其制备方法，Micro‑LED的结构包括：分布式布拉格反射器、量子点色转换单元、GaN蓝光LED和CMOS集成电路基板。GaN蓝光发光单元由多个蓝光LED像素点组成，并集成在CMOS集成电路基板上。量子点色转换单元从下至上依次包含：玻璃基底、金属电极、电极修饰层、电子传输层、钙钛矿量子点层、空穴传输层、空穴注入层、透明电极和封装膜，用于将蓝光转换为所需的颜色，实现更广泛的色域。钙钛矿量子点层的发光材料为CsPbX3+PEABr+含氟取代苯基酮，其中X为卤素元素Br、I、Cl。本发明不仅可以解决传统技术中的诸多问题，还能够显著提升器件的发光效率和环境稳定性，为下一代高性Micro‑LED的开发提供新的技术解决方案和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117355159A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311299189.4
申请日：2023-10-09
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10K50/11 , H10K50/12 , H10K50/84 , H10K85/50 , H10K71/30 , H10K71/12 , C30B29/22 , H10K85/60 , H10K85/10
Abstract: 本发明公开一种基于聚合物渗透抗溶剂结晶法的钙钛矿发光二极管，属于发光二极管技术领域；一种基于聚合物渗透抗溶剂结晶法的钙钛矿发光二极管包括：玻璃、ITO导电层、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极；所述钙钛矿发光层由钙钛矿前体溶液和经聚合物掺杂的反溶剂通过抗溶剂结晶法在室温下制备于空穴传输层上侧面；本发明采用聚合物渗透抗溶剂结晶法，将聚合物通过反溶剂渗透进入钙钛矿层中，其中的特殊聚合物链可以与钙钛矿形成相互作用的化学键从而延缓钙钛矿晶粒的生长，最终达到钙钛矿薄膜缺陷钝化和晶体生长调节的双重效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117202688A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311305574.5
申请日：2023-10-10
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于发光二极管技术领域；基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管包括从下至上依次包括：ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极；所述非铅钙钛矿发光层由经过双重钝化后的非铅钙钛矿前驱体溶液旋涂于空穴传输层表面；经过双重钝化后的非铅钙钛矿前驱体溶液由PEA、PFMA阳离子中的任意一种以及EDA、PEI、TFA阴离子中的任意一种，通过与CsI、CuI、CsCl、CuCl、CsBr、CuBr中的任意两种固体，以0.1‑0.8M的浓度溶解于N,N‑二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种或两种而配置得到，可以同时对非铅铜基钙钛矿中固有的铜离子缺陷和卤化物缺陷进行双重钝化。
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公开(公告)号：CN116314523A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310009528.4
申请日：2023-01-04
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于发光二极管技术领域，本发明的发光二极管从下至上依次包括ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极。本发明还提供了所述非铅钙钛矿发光二极管的制备方法。本发明的非铅钙钛矿发光层由碱离子钝化的非铅钙钛矿前驱体溶液和反溶剂通过抗溶剂结晶法制备而成，通过引入碱离子以抑制非铅钙钛矿薄膜表面和晶界中的非辐射复合损失来增强发光效率，提高了非铅钙钛矿发光二极管器件的光电性能。
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公开(公告)号：CN119008360A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411096031.1
申请日：2024-08-12
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种蜂窝状碳纳米阵列的X射线管和制备方法，所述X射线管包括阴极、栅极及阳极；本发明采用新型蜂窝状碳纳米阵列作为X射线管的发射材料，依据场致发射原理，使其无需加热，响应时间能达到微秒级；并且蜂窝状的阵列使碳纳米管依靠彼此间的范德华力，克服场屏蔽效应，有效提升发射电流，提高成像质量；由于碳纳米管具有更高长径比，导电性更好，有效提升发射电流密度；所述结构可以通过改变对栅极施加的电场强度的大小来调控电子运动轨迹等参数。本结构采用新型蜂窝状碳纳米阵列作为阴极发射材料，具有发射电流大、电子运动轨迹可调的特点，并且结构简单易于加工，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116261379A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310171995.7
申请日：2023-02-27
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本申请公开了一种聚合物修饰的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于发光二极管技术领域；本申请的发光二极管从下至上依次包括：ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极；本申请还提供了所述非铅钙钛矿发光二极管的制备方法，本申请的非铅钙钛矿发光层由掺入聚合物聚环氧乙烷(PEO)修饰的非铅钙钛矿前驱体溶液和反溶剂通过抗溶剂结晶法制备而成，PEO的掺杂钝化了非铅钙钛矿的反位缺陷并促进了载流子的辐射复合，经过此方法得到的非铅钙钛矿薄膜显示出高的表面覆盖率和低的表面粗糙度，从而提高了非铅钙钛矿发光二极管的发光效率，最终呈现出高效且稳定的发光。
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公开(公告)号：CN118555852A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410305712.8
申请日：2024-03-18
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种用于QLED的自组装单层膜及其制备方法及蓝光QLED，所述自组装单层膜由吸电子基取代的苯硼酸附着至ITO阳极玻璃表面形成，所述吸电子基为‑CN、‑COOMe、‑NO2、‑C3‑nFn,1≤n≤3中的一种或几种组合，所述吸电子基数量为1～3个。使用这些苯硼酸对QLED的ITO阳极玻璃表面进行处理，在ITO和空穴注入层之间构建新型SAM层，有助于提高ITO表面功函数，平衡发光器件的缺陷和功函数，提高发光器件的亮度和外量子效率。
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