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公开(公告)号:CN118658943A
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202410951284.6
申请日:2024-07-16
Applicant: 南京信息工程大学 , 新型显示与视觉感知石城实验室
Abstract: 本发明提供一种基于非铅钙钛矿的Micro‑LED芯片及其制备方法,所采用的发光材料的化学式结构为AB2X3、A2BX4、A3B2X5、A4BX6中的一种,A位为一价金属阳离子或有机官能团,B位为过渡金属中的二价阳离子或Cu+,X位为卤族离子。不同于传统的Micro‑LED芯片,本发明采用非铅钙钛矿发光二极管器件可以提高发光效率和色纯度,同时避免了传统Micro‑LED中铅基钙钛矿材料的污染性,并达到降低生产成本的目的。本发明采用主动发光的蓝光非铅钙钛矿激发红色和绿色发光,进一步提高了器件的发光效率。本发明还利用冠醚类化合物的环状结构使其能够与金属或有机阳离子配位形成稳定的配位复合物,通过钝化缺陷和优化薄膜形貌,有效降低钙钛矿薄膜的非辐射复合率,从而进一步提高发光效率。
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公开(公告)号:CN118670303A
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN202410774937.8
申请日:2024-06-17
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01B11/26
Abstract: 本发明公开了一种角度自动标定的角度传感器及其标定测量方法,包括:发光二极管保护壳、接受PCB板保护壳、发射PCB板和接受PCB板;发光二极管保护壳和待测旋转结构的旋转轴、接受PCB板保护壳之间进行传动;发光二极管发出光束,汇聚后照射在光电二极管上产生光电流,放大后输入到单片机系统的I/O口;最后单片机系统换算出此时可调电阻的电阻值,并进行编程,通过拟合三次多项式的方法完成角度的自动标定。本发明角度传感器在具有较高分辨率的同时能够实现角度的自动标定,解决了传感器使用过程中由于环境因素、外界干扰出现漂移但不方便人工标定的问题;利用单片机可编程功能调整分辨率,节省设计和制造过程中的时间和成本。
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公开(公告)号:CN118048143A
公开(公告)日:2024-05-17
申请号:CN202410127688.3
申请日:2024-01-30
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明属于量子点材料领域,具体涉及一种双重包覆QDs@SiO2@Al2O3量子点及其制备方法;所述制备方法包括下述步骤:S1、将量子点加入至混合有机溶液中搅拌得到量子点溶液;S2、向量子点溶液中加入硅源溶液,搅拌直至沉淀凝絮得到混合物一;S3、对混合物一进行离心处理收集沉淀物,使用有机溶剂对沉淀物多次洗涤,再对洗涤后的沉淀物进行真空冷冻和干燥处理得到QDs@SiO2粉末;S4、将QDs@SiO2粉末粉末样品通过筛网进行筛选,除去较大的结块样品,将筛选后的QDs@SiO2粉末加入原子层沉积反应器中,将三甲基铝作为Al2O3的前驱体,并用N2作为载气进行吹扫,使得QDs@SiO2粉末均匀涂层,形成致密的Al2O3保护膜,最终得到双重包覆QDs@SiO2@Al2O3量子;所述原子层沉积的温度为60℃‑90℃,且循环次数为50‑100次。
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公开(公告)号:CN118670303B
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202410774937.8
申请日:2024-06-17
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01B11/26
Abstract: 本发明公开了一种角度自动标定的角度传感器及其标定测量方法,包括:发光二极管保护壳、接受PCB板保护壳、发射PCB板和接受PCB板;发光二极管保护壳和待测旋转结构的旋转轴、接受PCB板保护壳之间进行传动;发光二极管发出光束,汇聚后照射在光电二极管上产生光电流,放大后输入到单片机系统的I/O口;最后单片机系统换算出此时可调电阻的电阻值,并进行编程,通过拟合三次多项式的方法完成角度的自动标定。本发明角度传感器在具有较高分辨率的同时能够实现角度的自动标定,解决了传感器使用过程中由于环境因素、外界干扰出现漂移但不方便人工标定的问题;利用单片机可编程功能调整分辨率,节省设计和制造过程中的时间和成本。
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公开(公告)号:CN119008360A
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202411096031.1
申请日:2024-08-12
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种蜂窝状碳纳米阵列的X射线管和制备方法,所述X射线管包括阴极、栅极及阳极;本发明采用新型蜂窝状碳纳米阵列作为X射线管的发射材料,依据场致发射原理,使其无需加热,响应时间能达到微秒级;并且蜂窝状的阵列使碳纳米管依靠彼此间的范德华力,克服场屏蔽效应,有效提升发射电流,提高成像质量;由于碳纳米管具有更高长径比,导电性更好,有效提升发射电流密度;所述结构可以通过改变对栅极施加的电场强度的大小来调控电子运动轨迹等参数。本结构采用新型蜂窝状碳纳米阵列作为阴极发射材料,具有发射电流大、电子运动轨迹可调的特点,并且结构简单易于加工,具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN118800855A
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202410872779.X
申请日:2024-06-28
Applicant: 南京信息工程大学 , 新型显示与视觉感知石城实验室
Abstract: 本发明公开一种利用卤键诱导的钙钛矿基Micro‑LED色转换层及其制备方法,色转换层的发光材料为ABX3和C6H2BrF4N/C6H2IF4N。A为有机官能团MA+、FA+或无机Cs+,B为Pb2+、Ge2+、Sn2+或Cu2+;X为卤素离子Br‑、Cl‑或I‑。色转换层的制备方法包括:分别称取制备红光钙钛矿色转换单元、蓝光钙钛矿色转换单元、绿光钙钛矿色转换单元所需的发光材料加入到二甲基亚砜溶液中,得到三种溶液;对三种溶液分别进行加热搅拌4~12小时,温度20℃~100℃,得到三种前驱体溶液;将三种前驱体溶液分别旋涂在清洗后的玻璃衬底之上;对玻璃衬底进行退火操作,退火时间为10~30min,退火温度为60℃~140℃。本发明利用卤键构建的钙钛矿结构相比于传统钙钛矿材料,可以抑制离子在钙钛矿卤素空位的迁移,提高器件运行的稳定性。
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