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公开(公告)号:CN115133971A
公开(公告)日:2022-09-30
申请号:CN202210330102.4
申请日:2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H04B7/08 , H04B7/0413 , H04L25/02
Abstract: 本发明公开了一种大规模MIMO系统低复杂度混合迭代信号检测方法,包括如下步骤,获取MIMO系统的相关参数;根据所述MIMO系统的相关参数,得到发射信号初始数据;根据所述发射信号初始数据进行第一次迭代,得到第一次迭代数据;根据所述第一次迭代数据进行第二次迭代,得到第二次迭代数据;根据所述第二次迭代数据进行第三次及后续迭代,得到发送信号估计值;其中,第一次迭代使用共轭梯度法,第二次迭代使用混合迭代法,第三次及后续迭代使用理查德森迭代法。仅需要少量迭代就可以接近最优性能,且复杂度较低,克服了现有技术的检测算法需要多次迭代且复杂度较高的问题。
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公开(公告)号:CN117337056A
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN202311391085.6
申请日:2023-10-25
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开一种基于钙钛矿‑硫化铅异质结的红外光电探测器,属于光电探测器领域;一种基于钙钛矿‑硫化铅异质结的红外光电探测器从下至上依次包括:透明阳极、电子传输层、钙钛矿层、硫化铅量子点层和金属阴极;所述透明阳极所用材料为氧化铟锡、氧化锡、氧化铝或氧化镉;所述电子传输层所用材料为氧化锌、氧化锌镁和二氧化钛;所述钙钛矿层中,钙钛矿ABX3的A位阳离子元素为铯,B位阳离子元素为铅,X位卤素阴离子为溴、氯或碘;所述金属阴极所用材料为金、银或铝;通过多元金属离子协同掺杂策略和构筑钙钛矿‑硫化铅量子点异质结结构,可以从抑制载流子非辐射复合和提高光生载流子输运效率两方面共同改善器件在红外波段的响应性能。
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公开(公告)号:CN118555852A
公开(公告)日:2024-08-27
申请号:CN202410305712.8
申请日:2024-03-18
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种用于QLED的自组装单层膜及其制备方法及蓝光QLED,所述自组装单层膜由吸电子基取代的苯硼酸附着至ITO阳极玻璃表面形成,所述吸电子基为‑CN、‑COOMe、‑NO2、‑C3‑nFn,1≤n≤3中的一种或几种组合,所述吸电子基数量为1~3个。使用这些苯硼酸对QLED的ITO阳极玻璃表面进行处理,在ITO和空穴注入层之间构建新型SAM层,有助于提高ITO表面功函数,平衡发光器件的缺陷和功函数,提高发光器件的亮度和外量子效率。
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公开(公告)号:CN119630155A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202411724431.2
申请日:2024-11-28
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 南京信息工程大学 , 东南大学
Inventor: 潘江涌 , 陆佳 , 沈润杰 , 丁文浩 , 高正浩 , 魏宇炀 , 陈名湛 , 汪丽茜 , 吕俊鹏 , 苏志成 , 张宇宁 , 苏玉民 , 沈忠文 , 苏中方 , 周玮琦 , 梅泽 , 何乃龙
IPC: H10H29/30 , H10H29/851 , H10K59/90 , H10K59/80 , H10K50/115 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开了一种基于界面修饰的钙钛矿量子点Micro‑LED及其制备方法。Micro‑LED的结构包括分布式布拉格反射器、量子点色转换单元、GaN蓝光LED和CMOS集成电路基板。GaN蓝光发光单元由多个蓝光LED像素点组成,并集成在CMOS集成电路基板上。量子点色转换单元从下至上依次包含玻璃基底、金属电极、电极修饰层、电子传输层、钙钛矿量子点层、空穴传输层、空穴注入层、透明电极和封装膜,用于将蓝光转换为所需颜色,实现更广泛的色域。其中,在电子传输层上添加了双官能团醚进行优化。本研究不仅能够解决传统技术中存在的多个问题,还可显著提升器件的发光效率和环境稳定性,为下一代高性能Micro‑LED的开发提供了新颖而有前景的技术解决方案。
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公开(公告)号:CN119317289A
公开(公告)日:2025-01-14
申请号:CN202411406461.9
申请日:2024-10-10
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 南京信息工程大学 , 东南大学
IPC: H10H29/851 , H10H20/84 , H10H29/01 , H01L25/16 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开一种基于双配体策略的钙钛矿量子点Micro‑LED及其制备方法,Micro‑LED的结构包括:分布式布拉格反射器、量子点色转换单元、GaN蓝光LED和CMOS集成电路基板。GaN蓝光发光单元由多个蓝光LED像素点组成,并集成在CMOS集成电路基板上。量子点色转换单元从下至上依次包含:玻璃基底、金属电极、电极修饰层、电子传输层、钙钛矿量子点层、空穴传输层、空穴注入层、透明电极和封装膜,用于将蓝光转换为所需的颜色,实现更广泛的色域。钙钛矿量子点层的发光材料为CsPbX3+PEABr+含氟取代苯基酮,其中X为卤素元素Br、I、Cl。本发明不仅可以解决传统技术中的诸多问题,还能够显著提升器件的发光效率和环境稳定性,为下一代高性Micro‑LED的开发提供新的技术解决方案和广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN118175864A
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202410287309.7
申请日:2024-03-13
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10K50/115 , H10K85/50 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开一种基于主客体结构的钙钛矿基Micro‑LED及其制备方法,属于半导体技术领域;一种基于主客体结构的钙钛矿基Micro‑LED由上至下依次包括:分布式布拉格反射器、量子点色转换单元、GaN蓝光LED、CMOS集成电路基板;GaN蓝光发光单元包括多个蓝光LED像素点,并集成于CMOS集成电路基板上;量子点色转换单元由下至上依次包括:玻璃基底、金属电极、电极修饰层、电子传输层、钙钛矿量子点层、空穴传输层、空穴注入层、透明电极和封装膜;钙钛矿量子点层的发光材料为ABBr3‑Ni(AcO)2;其中,A为机官能团MA+、Cs+、Na+或Rb+,B为Pb2+、Ge2+、Sn2+或Cu2+;从而实现更为简单的制备工艺和更加稳定的器件性能。
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公开(公告)号:CN117835708A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202410004982.5
申请日:2024-01-03
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开一种柔性非铅钙钛矿探测器及气体检测系统,属于气体检测技术领域;探测器是通过在PEN/ITO柔性衬底上旋涂碱离子钝化的非铅钙钛矿前驱体溶液,并在滴加反溶剂,形成薄膜,最后经退火制备而成;在气体检测系统设置两个柔性非铅钙钛矿探测器,耦合器将激光器射出的激光分为两路分别入射到气室和可调节光纤衰减器中,然后分别入射到两个探测器,之后两路信号输出的电流信号,经过放大电路模块进行信号放大,通过差分模块和锁相器模块对其信号进行分析,再将锁相器得到的二次谐波信号输入到计算机控制单元进行实时分析,从而实现气体浓度的检测;引入碱离子来抑制光生载流子的非辐射复合,提高光响应性能,更进一步的提升气体检测的准确性。
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