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    基于神经网络的硅基光子芯片设计方法、系统、存储介质及电子装置
    1.
    发明公开
    基于神经网络的硅基光子芯片设计方法、系统、存储介质及电子装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN118364700A

    公开(公告)日：2024-07-19

    申请号：CN202410212165.9

    申请日：2024-02-27

    Applicant: 南京信息工程大学

    Inventor： 蒋卫锋 ,  张淋 ,  谢龙勤 ,  蔡忠贸 ,  相子涵 ,  高亚太 ,  韩正国

    IPC: G06F30/27 ,  G06F30/392 ,  G06N3/08 ,  G06F113/18

    Abstract: 本申请提供了一种基于神经网络的硅基光子芯片设计方法、系统、存储介质及电子装置，主要包括以下步骤：获取目标芯片的初始结构参数，输入正向预测模型，训练并预测出对应芯片结构参数的最优芯片性能参数，对预测出的最优芯片性能参数进行仿真并判断，直至获得目标芯片的最优芯片性能参数对应的最优结构参数；设定期望目标参数，包括目标器件、目标芯片性能参数、以及器件尺寸，将所述期望目标参数输入逆向设计模型，训练并预测出所述期望目标参数对应的期望结构参数，并转换输出为图像显示的芯片版图；以至少具有高效率、低复杂度、速度快的特点，对非专业人员的友好度高的技术效果。

    输出功率可调型波分复用芯片
    2.
    发明公开
    输出功率可调型波分复用芯片 审中-实审

    公开(公告)号：CN117040680A

    公开(公告)日：2023-11-10

    申请号：CN202310997452.0

    申请日：2023-08-09

    Applicant: 南京信息工程大学

    Inventor： 蒋卫锋 ,  张淋

    IPC: H04J14/02 ,  G02B6/293

    Abstract: 本发明公开了一种输出功率可调型波分复用芯片，包括片上功能单元和片外功能单元，片上功能单元包括一个合解波单元、多个片上光隔离单元和三路合波单元，片外功能单元包括多个增益光纤单元、反向泵浦单元、正向泵浦单元、波分复用单元和片外光隔离单元。片上各功能单元基于半导体工艺批量制备，片外功能单元基于光纤器件，片外功能单元通过光纤阵列与片内功能单元互联互通。该发明为全波段密集波分复用系统提供核心器件支撑，片上各功能单元基于逆向优化设计，方法简单、性能高、尺寸紧凑；芯片输出的每个波长的功率任意可调，输出功率的均匀高、性能稳定；芯片结构简单、性能稳定、集成度高、制备工艺成熟。

    少模光纤和硅基多模芯片耦合结构及制备方法
    3.
    发明公开
    少模光纤和硅基多模芯片耦合结构及制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116520499A

    公开(公告)日：2023-08-01

    申请号：CN202310562365.2

    申请日：2023-05-18

    Applicant: 南京信息工程大学

    Inventor： 蒋卫锋 ,  张淋

    IPC: G02B6/30 ,  G02B6/124 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02B6/138 ,  G02B6/132 ,  G02B6/12

    Abstract: 本发明公开少模光纤和硅基多模芯片耦合结构及制备方法，属于光学元件、系统或仪器技术领域。耦合结构包括硅基多模芯片、少模光纤、少模光子引线键合波导、光纤底座；硅基多模芯片包含硅衬底、埋氧层、硅基波导、上包层、亚波长光栅倒置级联锥形波导、对准标记；少模光纤包括纤芯和包层；少模光子引线键合波导包含亚波长光栅倒置级联锥形波导上方的方形波导、过渡波导、弯曲波导；光纤底座是一个用于固定芯片以及光纤位置的阶梯型底座。硅基多模芯片与少模光纤通过上层少模光子引线键合波导和下层亚波长光栅倒置级联锥形波导组合的少模耦合结构连接，增强模式杂化效应，实现硅基矩形矢量模与少模光纤圆形线偏振模匹配。

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