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公开(公告)号：CN104347350B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410135484.0
申请日：2014-04-04
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L23/544
CPC classification number: H01L23/48 , H01L21/0337 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体自对准图案化的方法，其步骤包含提供包括第一层及第二层的基板，其中第一层位于第二层之上；移除第一层的一部份以形成第一图案；沉积第一共形层于第一图案上；沉积第二共形层于第一共形层上；移除第二共形层的一部分，使露出第一共形层的一部分；交替地薄化第一共形层及第二共形层，以形成第二图案。本发明也提供一种半导体自对准结构。
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公开(公告)号：CN104347350A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410135484.0
申请日：2014-04-04
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L23/544
CPC classification number: H01L23/48 , H01L21/0337 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体自对准图案化的方法，其步骤包含提供包括第一层及第二层的基板，其中第一层位于第二层之上；移除第一层的一部份以形成第一图案；沉积第一共形层于第一图案上；沉积第二共形层于第一共形层上；移除第二共形层的一部分，使露出第一共形层的一部分；交替地薄化第一共形层及第二共形层，以形成第二图案。本发明也提供一种半导体自对准结构。
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公开(公告)号：CN101655667B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810144580.6
申请日：2008-08-22
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有光纤模块的光刻装置，包括一光源、一光罩，位于光源下方、一透镜，位于光罩下方、一基材平台，位于透镜的下方，用于承载一晶圆，其中晶圆之上包括一干膜，前述的光刻装置还包括一光纤模块，具有一前表面，其中光纤模块位于透镜下方，可以使深紫外光通过，光纤模块的前表面和晶圆上的干膜之间，定义出一间隔，前述的间隔小于光源波长。本发明的特征在于利用光纤模块和干膜之间的距离小于光源波长，产生近场效应，进而达到提升分辨率的目的。
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公开(公告)号：CN106298463A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510744838.6
申请日：2015-11-05
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/768 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/3086 , B05D1/322 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L21/027 , G03F7/00 , H01L21/768 , H01L21/76897
Abstract: 本发明公开了一种形成图案的方法。首先,在衬底上形成一图案化核心层。接着,均匀地在图案化核心层与衬底上形成间隙层,并且定义出多个被间隙层包围的第一凹陷区域。然后,进行回蚀刻工艺,暴露出图案化核心层与凹陷区域下方的衬底。再来,移除暴露的图案化核心层,形成多个同样被间隙层包围的第二凹陷区域。接着,在第一凹陷区域与第二凹陷区域内填入定向自组装材料,然后诱发定向自组装材料进行定向自组装过程。填充在第一凹陷区域与第二凹陷区域内的定向自组装材料会往凹陷区域的边界扩散,在第一凹陷区域与第二凹陷区域中间形成被自主装材料包围的孔洞。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101556902B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200810091635.1
申请日：2008-04-11
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开一种半导体元件图案化的工艺方法，包括步骤如下：提供一基底，依序形成一目标层以及一衬层于该基底上；图案化该衬层，该衬层形成多个矩形岛状结构单体；接着，形成一间隙壁材料层于所述多个矩形岛状结构单体和该目标层上；然后，除去部分间隙壁材料层，形成一间隙壁于各所述多个矩形岛状结构单体的侧壁；除去所述多个矩形岛状结构单体，并借该间隙壁当作硬掩模，进行蚀刻，以去除部分该目标层。利用本发明的方法可有效提高迭对精度，因此可缩小电子元件的面积，于晶片基板上制作出数量更多且面积更小的二维结构。
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公开(公告)号：CN101556918A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200810089160.2
申请日：2008-04-08
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/266 , H01L21/02 , H01L21/00
Abstract: 本发明提出一种提高半导体图形分辨率的方法，通过至少两次离子斜向入射的程序来提高微影制程的分辨率，该方法包括以下步骤：提供一半导体基层，其上具有一保护层、一第一蚀刻层以及一光阻层；去除该光阻层的一部分形成一开口，露出该第一蚀刻层的槽底部分；将一第一离子以一第一入射角度植入该槽底部分的一第一植入区，且该第一入射角度介于0到90度之间；以及将一第二离子以一第二入射角度植入该槽底部分的一第二植入区，其中该第二入射角度介于0到90度之间，且该第二植入区与该第一植入区不相邻。
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公开(公告)号：CN103489839B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210299228.6
申请日：2012-08-21
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L21/0337 , H01L21/31144
Abstract: 本发明公开了一种硬掩模间隙壁结构，包含有一第一间隙壁，设于一元件层上，且该第一间隙壁定义出多个孔洞图案，以及介于该多个孔洞图案之间的至少一星芒状孔洞图案；以及一第二间隙壁，设于该第一间隙壁上，并嵌入该星芒状孔洞图案中，借以使该星芒状孔洞图案轮廓圆滑化。
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公开(公告)号：CN103489839A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210299228.6
申请日：2012-08-21
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L21/0337 , H01L21/31144
Abstract: 本发明公开了一种硬掩模间隙壁结构，包含有一第一间隙壁，设于一元件层上，且该第一间隙壁定义出多个孔洞图案，以及介于该多个孔洞图案之间的至少一星芒状孔洞图案；以及一第二间隙壁，设于该第一间隙壁上，并嵌入该星芒状孔洞图案中，借以使该星芒状孔洞图案轮廓圆滑化。
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