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公开(公告)号：CN110678965B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201880033106.8
申请日：2018-05-17
Applicant: 协立化学产业株式会社 , 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/16 , B23K26/53
Abstract: 本发明的加工对象物切割方法包括：第1工序，将可扩张薄片贴附于加工对象物的表面或背面；第2工序，第1工序之后，沿着切割预定线对于加工对象物照射激光而形成改质区域，并使可扩张薄片扩张，由此将加工对象物的至少一部分分割为多个芯片，并且形成存在于多个芯片之间且到达与加工对象物的表面及背面交叉的侧面的间隙；第3工序，在第2工序之后，从加工对象物的包含侧面的外缘部向间隙填充树脂；第4工序，在第3工序之后，使树脂固化并收缩；以及第5工序，第4工序之后，从可扩张薄片上取出芯片。
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公开(公告)号：CN110678965A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880033106.8
申请日：2018-05-17
Applicant: 协立化学产业株式会社 , 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/16 , B23K26/53
Abstract: 本发明的加工对象物切割方法包括：第1工序，将可扩张薄片贴附于加工对象物的表面或背面；第2工序，第1工序之后，沿着切割预定线对于加工对象物照射激光而形成改质区域，并使可扩张薄片扩张，由此将加工对象物的至少一部分分割为多个芯片，并且形成存在于多个芯片之间且到达与加工对象物的表面及背面交叉的侧面的间隙；第3工序，在第2工序之后，从加工对象物的包含侧面的外缘部向间隙填充树脂；第4工序，在第3工序之后，使树脂固化并收缩；以及第5工序，第4工序之后，从可扩张薄片上取出芯片。
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公开(公告)号：CN118591864A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202280090092.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/53
Abstract: 一种加工条件取得方法，取得：通过对于对象物，从第1面侧照射激光，用于在功能元件层形成弱化区域的激光加工的条件，该对象物具有包含所述第1面及所述第1面的相反侧的第2面的基板、设在所述基板的所述第2面的所述功能元件层，该加工条件取得方法具备：一边使在与所述第1面交叉的Z方向的所述激光的聚光位置在包含所述基板与所述功能元件层的界面的范围内变化，一边在所述第1面内的不同位置进行多次作为所述激光加工的第1加工的第1工序。
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公开(公告)号：CN108136539B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201680056478.3
申请日：2016-08-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一种方法，具备：第1工序，将背面作为入射面而使激光聚光于具有表面及背面的加工对象物，将表面和激光的第1聚光点的距离维持为第1距离并沿着被设定成通过相邻的有效区域和非有效区域之间的切断预定线使第1聚光点移动，由此沿着上述切断预定线形成第1改质区域；和第2工序，将上述背面作为入射面而使上述激光聚光于上述加工对象物，将上述表面和上述激光的第2聚光点的距离维持为较上述第1距离大的第2距离并沿着上述切断预定线使上述第2聚光点移动，由此沿着上述切断预定线形成第2改质区域。
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公开(公告)号：CN110945630B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201880048624.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/304 , B23K26/00 , B23K26/53
Abstract: 层叠型元件的制造方法具备：第1形成工序，对于第1晶圆的半导体基板，沿着切断预定线照射激光，由此，沿着切断预定线形成第1改质区域；第1研磨工序，研磨第1晶圆的半导体基板；接合工序，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板；第2形成工序，对于第2晶圆的半导体基板，沿着切断预定线照射激光，由此，沿着切断预定线形成第2改质区域；及第2研磨工序，研磨第2晶圆的半导体基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110945629B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201880048622.8
申请日：2018-07-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/53 , H01L21/02 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/322
Abstract: 层叠型元件的制造方法具备：第1形成工序，对于第1晶圆的半导体基板照射激光，由此，在每个功能元件形成第1吸除区域；第1研磨工序，研磨第1晶圆的半导体基板，去除第1吸除区域的一部分；接合工序，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板；第2形成工序，对于第2晶圆的半导体基板照射激光，由此，在每个功能元件形成第2吸除区域；及第2研磨工序，研磨第2晶圆的半导体基板，去除第2吸除区域的一部分。
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公开(公告)号：CN108028189B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201680056475.X
申请日：2016-08-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/046 , B23K26/53
Abstract: 对包含在表面形成有多个功能元件的半导体基板的加工对象物，使激光从半导体基板的背面聚光，并且一边将半导体基板的表面和激光的第一聚光点的距离维持在第一距离，一边沿着切断预定线使第一聚光点移动，由此沿着切断预定线形成第一改质区域。从半导体基板的背面使激光聚光于加工对象物上，并且一边将半导体基板的表面和激光的第二聚光点的距离维持在第二距离，并且相对于对准第一聚光点的位置，使第二聚光点朝向与半导体基板的厚度方向及切断预定线的延伸方向这两个方向垂直的方向偏移，一边沿着切断预定线使第二聚光点移动，由此沿着切断预定线形成第二改质区域。除去在半导体基板中包含背面及至少第二改质区域的规定部分。
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公开(公告)号：CN108136539A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680056478.3
申请日：2016-08-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一种方法，具备：第1工序，将背面作为入射面而使激光聚光于具有表面及背面的加工对象物，将表面和激光的第1聚光点的距离维持为第1距离并沿着被设定成通过相邻的有效区域和非有效区域之间的切断预定线使第1聚光点移动，由此沿着上述切断预定线形成第1改质区域；和第2工序，将上述背面作为入射面而使上述激光聚光于上述加工对象物，将上述表面和上述激光的第2聚光点的距离维持为较上述第1距离大的第2距离并沿着上述切断预定线使上述第2聚光点移动，由此沿着上述切断预定线形成第2改质区域。
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公开(公告)号：CN110945628B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201880048563.4
申请日：2018-07-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/53
Abstract: 层叠工序具有：将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的电路层的第1接合工序；研磨所述第2晶圆的半导体基板的研磨工序；及将所述第3晶圆的电路层接合于所述第2晶圆的所述半导体基板的第2接合工序。在激光照射工序中，通过对于所述第1晶圆的半导体基板照射激光来形成改质区域，并且沿着层叠体的层叠方向使龟裂从所述改质区域伸展。
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公开(公告)号：CN110945629A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048622.8
申请日：2018-07-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/53 , H01L21/02 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/322
Abstract: 层叠型元件的制造方法具备：第1形成工序，对于第1晶圆的半导体基板照射激光，由此，在每个功能元件形成第1吸除区域；第1研磨工序，研磨第1晶圆的半导体基板，去除第1吸除区域的一部分；接合工序，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板；第2形成工序，对于第2晶圆的半导体基板照射激光，由此，在每个功能元件形成第2吸除区域；及第2研磨工序，研磨第2晶圆的半导体基板，去除第2吸除区域的一部分。
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