公开(公告)号：CN114388653B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202111488447.4

申请日：2021-12-07

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 张帅 ,  高伟 ,  霍能杰 ,  李京波

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法。该方法是将制得的PMMA/Au/WS2/SiO2/Si放入丙酮溶液浸泡去除PMMA薄膜，在Ar气体中150～300℃退火，在水蒸气环境中处理5～60min，得到Au/WS2/SiO2/Si，即为WS2表面P型掺杂的光电晶体管。本发明首次通过水蒸气处理实现了WS2表面P型掺杂，该方法掺杂方式简单，成本低廉，有利于商业化推广，使用WS2表面P型掺杂的光电晶体管。该光电晶体管具有快速光响应、高灵敏度以及高迁移率。为二维材料高性能光电器件供了可能的发展应用前景。

公开(公告)号：CN110846637A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201911031713.3

申请日：2019-10-28

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 李京波 ,  霍能杰 ,  徐志军 ,  赵艳 ,  魏钟鸣 ,  陈洪宇

IPC: C23C16/40 ,  B82Y40/00 ,  G01J4/00 ,  G01L1/16 ,  G01L9/08

Abstract: 本发明属于紫外偏振光检测和压力传感技术领域，公开了一种新型SnO2微米线及其制备方法和应用。所述SnO2微米线是将SnO2粉末和石墨粉研磨混合，在保护气氛下，升温至1000～1200℃加热，并控制气体流量；冷却至室温制得。将厘米级的单根SnO2微米线转移至柔性衬底上，用导电浆料固定在SnO2微米线的两端作为电极，设置两端电极间的距离为20～100μm，电极方向与沿SnO2微米线长轴方向平行，空气中在80～120℃退火制得柔性电子器件。本发明首次采用CVD生长的SnO2微米线制备了柔性电子器件，应力灵敏度达到4000，并应用于高性能的紫外偏振光检测器和应力传感器。

公开(公告)号：CN113838943B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202110928510.5

申请日：2021-08-13

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 霍能杰 ,  黎思娜 ,  李京波

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种基于各向异性二维材料的偏振光探测器及其制备方法，该偏振光探测器以第一导电类型的二维纳米片沟道层结合第二导电类型的具有各向异性的二维纳米片偏振光敏化半导体层搭建异质结结构，设置第一电极和第二电极分别位于偏振光敏化半导体层的两端侧与纳米片沟道层的表面接触，不与偏振光敏化半导体层接触，实现了可见光至红外波长范围内低噪声、高灵敏的近红外探测；另外其沟道层和偏振光敏化半导体层采用机械剥离法获得，并采用PVA/PDMS辅助干法转移技术将其两层层叠获得器件结构，该制备过程简单，技术成熟，设备易得，成本低廉，非常有利于商业化推广。

公开(公告)号：CN113471310B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202110708829.7

申请日：2021-06-25

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 李京波 ,  霍能杰 ,  但智颖

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种基于混维体系的高增益光探测器及其制备方法，包括绝缘衬底，位于绝缘衬底上的硒化铟纳米片沟道层，位于硒化铟纳米片沟道层上两侧端的第一和第二电极，位于硒化铟纳米片沟道层上、第一和第二电极之间的大尺寸梯度合金CdSe@ZnxCd1‑xS量子点光敏层；本发明首次采用能带弯曲的梯度合金量子点作为混合体系的光敏层，且首次采用InSe纳米片作为混合体系的沟道层，解决了界面处费米能级钉扎效应，实现了，低噪声，高增益，高灵敏度的光探测。同时本发明的制备过程简单，技术成熟，设备易得，成本低廉，非常有利于商业化推广。

公开(公告)号：CN115440838A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210863080.8

申请日：2022-07-21

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 韩理想 ,  张之洋 ,  高伟 ,  霍能杰 ,  李京波

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于红外‑可见光探测技术领域，公开了一种基于硒氧化铋/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法和应用。所述光电探测器包括硒氧化铋/硒化铟异质结和金属电极，该硒氧化铋/硒化铟异质结位于两侧金属电极之间；所述光电探测器是将二维硒化铟纳米片转移至二维硒氧化铋纳米片上，形成二维硒氧化铋/硒化铟异质结，在不重合的二维硒化铟纳米片和二维硒氧化铋纳米片上制作金属电极得到。本发明的基于硒氧化铋/硒化铟异质结的光电探测器具有高开关比、宽光谱探测、自驱动等特点，在高性能自驱动光电探测器应用中显示出良好的潜力。

公开(公告)号：CN115411183A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202211052882.7

申请日：2022-08-30

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 霍能杰 ,  潘志东 ,  李京波

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种基于二氧化钛/氧化锡/二维易氧化薄层的忆阻器及其制备方法，其包括，选用机械剥离法将二维易氧化薄层转移至基底上；在二维易氧化薄层的两端沉积第一电极和第二电极；在空气中加热基底，二维易氧化薄层的表面形成具有稳定的阻变行为的氧化物薄层；在氧化物薄层上沉积金属Ti薄层；在空气中加热基底，金属Ti薄层氧化形成TiO2薄层；在TiO2薄层上沉积第三电极。该忆阻器结合了氧化物薄层表现出的稳定的阻变行为特点，结合利用二氧化钛与氧化物薄层中氧空位浓度的不同的特点，忆阻行为表现出具有空间电场方向依赖性，呈现出了低功耗、高电阻比、高稳定性和易制备的优点。

公开(公告)号：CN114388653A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111488447.4

申请日：2021-12-07

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 张帅 ,  高伟 ,  霍能杰 ,  李京波

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法。该方法是将制得的PMMA/Au/WS2/SiO2/Si放入丙酮溶液浸泡去除PMMA薄膜，在Ar气体中150～300℃退火，在水蒸气环境中处理5～60min，得到Au/WS2/SiO2/Si，即为WS2表面P型掺杂的光电晶体管。本发明首次通过水蒸气处理实现了WS2表面P型掺杂，该方法掺杂方式简单，成本低廉，有利于商业化推广，使用WS2表面P型掺杂的光电晶体管。该光电晶体管具有快速光响应、高灵敏度以及高迁移率。为二维材料高性能光电器件供了可能的发展应用前景。

公开(公告)号：CN117970990A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410373349.3

申请日：2024-03-29

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 霍能杰 ,  梁添钧

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明涉及多环路全集成式低压降线性稳压器，其包括主环路和次环路，主环路包括高增益误差放大器电路、大带宽缓冲器电路、大电流功率管、反馈网络及第一补偿电容和第二补偿电容，次环路包括负载跟随动态偏置电路及动态零点产生电路，另外在大带宽缓冲器电路中引入瞬态响应增强电路，本发明的方案解决了低压降线性稳压器中大的片外电容耗费芯片面积，导致芯片的集成度问题；以及去除掉片外电容后线性稳压器反馈系统的稳定性问题，还有为了保证芯片的性能所需要的消耗额外的静态功耗导致电池寿命衰减的问题。

公开(公告)号：CN116825847A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310633271.X

申请日：2023-05-31

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 霍能杰 ,  赵磊 ,  李京波 ,  梁云山

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及一种高介电材料封装的铁电负电容晶体管及其制备方法，包括，层叠设置的石墨烯薄层、CuInP2S6薄层和WS2薄层，石墨烯薄层/CuInP2S6薄层/WS2薄层构成全二维垂直异质结；WS2薄层上设置有第一电极和第二电极；石墨烯薄层上还设置有第三电极；高介电常数电介质层设置于第一电极、第二电极、第三电极、石墨烯薄层、CuInP2S6薄层和WS2薄层裸露的表面上，封装所述铁电负电容晶体管。该器件具有低的截止电流的数量级和亚阈值摆幅，显著提升的电流开关比，超低功耗的性能和良好的稳定性的特点。该制备工艺简单，操作性好，有利于推动铁电负电容晶体管在超低功耗微电子器件领域的进一步发展应用。

公开(公告)号：CN116364801A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310116999.5

申请日：2023-02-15

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 杨宝翔 ,  高伟 ,  霍能杰 ,  李京波

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于宽谱偏振光探测领域，公开了一种基于γ‑InSe/Ge混维异质结的光电二极管及其制备方法和应用，所述混维异质结的光电二极管的结构为漏电极/InSe/Ge垂直异质结/源电极；该光电二极管是先在Ge衬底上沉积SiO2介质层，利用光刻和刻蚀在SiO2介质层上获得Ge窗口，随后光刻显影出电极图案并沉积金属得到源电极和漏电极，再将InSe纳米片转移至Ge窗口上形成InSe/Ge混维异质结，在惰性气体中100～150℃退火处理制得。该光电二极管在400～1600nm波长内具有优异的自驱动光响应和宽波段偏振光探测的性能，可用于超快宽谱探测，偏振光探测和近红外成像等领域。