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公开(公告)号：CN110734092B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201911032943.1
申请日：2019-10-28
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明属于压电子技术领域，公开了一种WS2二维材料及其制备方法和应用。该WS2二维材料是将分别装载WS2粉末和清洗的SiO2/Si衬底放置的加热区的中央和边缘处；通入惰性气体，气流的方向为从衬底流向WS2粉末的方向，以55～60ml/min通气排尽空气，当至1080～1090℃时，改变惰性气体的流向；当至1000～1200℃时，流速为30～100ml/min；降温至900～1000℃，流速为20～80ml/min，至800～900℃时，流速为5～50ml/min，降至室温在SiO2层表面上制得。本发明WS2制得的压电器件具有优良的压电性能和稳定的动态压电信号，压电输出电流达100～800pA。
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公开(公告)号：CN110846637B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201911031713.3
申请日：2019-10-28
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明属于紫外偏振光检测和压力传感技术领域，公开了一种新型SnO2微米线及其制备方法和应用。所述SnO2微米线是将SnO2粉末和石墨粉研磨混合，在保护气氛下，升温至1000～1200℃加热，并控制气体流量；冷却至室温制得。将厘米级的单根SnO2微米线转移至柔性衬底上，用导电浆料固定在SnO2微米线的两端作为电极，设置两端电极间的距离为20～100μm，电极方向与沿SnO2微米线长轴方向平行，空气中在80～120℃退火制得柔性电子器件。本发明首次采用CVD生长的SnO2微米线制备了柔性电子器件，应力灵敏度达到4000，并应用于高性能的紫外偏振光检测器和应力传感器。
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公开(公告)号：CN110734092A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911032943.1
申请日：2019-10-28
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明属于压电子技术领域，公开了一种WS2二维材料及其制备方法和应用。该WS2二维材料是将分别装载WS2粉末和清洗的SiO2/Si衬底放置的加热区的中央和边缘处；通入惰性气体，气流的方向为从衬底流向WS2粉末的方向，以55～60ml/min通气排尽空气，当至1080～1090℃时，改变惰性气体的流向；当至1000～1200℃时，流速为30～100ml/min；降温至900～1000℃，流速为20～80ml/min，至800～900℃时，流速为5～50ml/min，降至室温在SiO2层表面上制得。本发明WS2制得的压电器件具有优良的压电性能和稳定的动态压电信号，压电输出电流达100～800pA。
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公开(公告)号：CN110846637A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911031713.3
申请日：2019-10-28
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明属于紫外偏振光检测和压力传感技术领域，公开了一种新型SnO2微米线及其制备方法和应用。所述SnO2微米线是将SnO2粉末和石墨粉研磨混合，在保护气氛下，升温至1000～1200℃加热，并控制气体流量；冷却至室温制得。将厘米级的单根SnO2微米线转移至柔性衬底上，用导电浆料固定在SnO2微米线的两端作为电极，设置两端电极间的距离为20～100μm，电极方向与沿SnO2微米线长轴方向平行，空气中在80～120℃退火制得柔性电子器件。本发明首次采用CVD生长的SnO2微米线制备了柔性电子器件，应力灵敏度达到4000，并应用于高性能的紫外偏振光检测器和应力传感器。
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