公开(公告)号：CN114388653A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111488447.4

申请日：2021-12-07

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 张帅 ,  高伟 ,  霍能杰 ,  李京波

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法。该方法是将制得的PMMA/Au/WS2/SiO2/Si放入丙酮溶液浸泡去除PMMA薄膜，在Ar气体中150～300℃退火，在水蒸气环境中处理5～60min，得到Au/WS2/SiO2/Si，即为WS2表面P型掺杂的光电晶体管。本发明首次通过水蒸气处理实现了WS2表面P型掺杂，该方法掺杂方式简单，成本低廉，有利于商业化推广，使用WS2表面P型掺杂的光电晶体管。该光电晶体管具有快速光响应、高灵敏度以及高迁移率。为二维材料高性能光电器件供了可能的发展应用前景。

公开(公告)号：CN113097319A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110251925.3

申请日：2021-03-08

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 李京波 ,  岳倩 ,  高伟 ,  张峰 ,  张帅 ,  郑涛

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于紫外‑可见探测技术领域，公开了一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用，该晶体管的结构为SiC/SiO2/SnS2纳米片/源电极和漏电极/栅极介电层六方氮化硼/顶栅电极石墨烯/栅电极，SnS2纳米片和SiC衬底接触形成异质结；该方法在清洗的SiC上沉积SiO2膜，利用激光直写技术获得SiO2窗口，将SnS2纳米片转移至SiC上形成SiC‑SnS2异质结，沉积金属得到源电极和漏电极，六方氮化硼作为栅极介电层，石墨烯作为顶栅电极材料，再光刻沉积金属制备栅电极，在150～250℃退火制得。该光电晶体管具有良好的栅压调控能力、较高的光灵敏度、较快的响应时间和较高的比探测率。

公开(公告)号：CN113097319B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202110251925.3

申请日：2021-03-08

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 李京波 ,  岳倩 ,  高伟 ,  张峰 ,  张帅 ,  郑涛

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于紫外‑可见探测技术领域，公开了一种碳化硅/二硫化锡异质结光电晶体管及其制备方法和应用，该晶体管的结构为SiC/SiO2/SnS2纳米片/源电极和漏电极/栅极介电层六方氮化硼/顶栅电极石墨烯/栅电极，SnS2纳米片和SiC衬底接触形成异质结；该方法在清洗的SiC上沉积SiO2膜，利用激光直写技术获得SiO2窗口，将SnS2纳米片转移至SiC上形成SiC‑SnS2异质结，沉积金属得到源电极和漏电极，六方氮化硼作为栅极介电层，石墨烯作为顶栅电极材料，再光刻沉积金属制备栅电极，在150～250℃退火制得。该光电晶体管具有良好的栅压调控能力、较高的光灵敏度、较快的响应时间和较高的比探测率。

公开(公告)号：CN113097334A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110251934.2

申请日：2021-03-08

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 李京波 ,  张帅 ,  高伟 ,  张峰 ,  岳倩 ,  郑涛

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/113 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于紫外‑可见探测技术领域，公开了一种SiC基二硫化钨紫外‑可见光电探测器及其制备方法和应用。该探测器的结构为背电极/n+SiC(360μm)/n‑SiC(11μm)/对称电极/WS2纳米片；所述探测器先在SiO2/Si衬底上通过机械剥离制备微米尺寸的不规则WS2纳米片；再通过PVA干法转移工艺，将WS2转移至已通过光刻蒸镀工艺沉积对称电极的SiC衬底上，最后将附有WS2/PVA膜的SiC衬底放入50～60℃去离子水或二甲基亚砜中加热使PVA膜溶解；保护气氛中在100～250℃退火获得。本发明提高了WS2探测器的性能，促进了SiC基二维材料功能器件的应用发展，有利于商业化推广。

公开(公告)号：CN113097334B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110251934.2

申请日：2021-03-08

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 李京波 ,  张帅 ,  高伟 ,  张峰 ,  岳倩 ,  郑涛

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/113 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于紫外‑可见探测技术领域，公开了一种SiC基二硫化钨紫外‑可见光电探测器及其制备方法和应用。该探测器的结构为背电极/n+SiC(360μm)/n‑SiC(11μm)/对称电极/WS2纳米片；所述探测器先在SiO2/Si衬底上通过机械剥离制备微米尺寸的不规则WS2纳米片；再通过PVA干法转移工艺，将WS2转移至已通过光刻蒸镀工艺沉积对称电极的SiC衬底上，最后将附有WS2/PVA膜的SiC衬底放入50～60℃去离子水或二甲基亚砜中加热使PVA膜溶解；保护气氛中在100～250℃退火获得。本发明提高了WS2探测器的性能，促进了SiC基二维材料功能器件的应用发展，有利于商业化推广。

公开(公告)号：CN114388653B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202111488447.4

申请日：2021-12-07

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 张帅 ,  高伟 ,  霍能杰 ,  李京波

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种基于水蒸气处理二硫化钨表面P型掺杂的光电晶体管及其制备方法。该方法是将制得的PMMA/Au/WS2/SiO2/Si放入丙酮溶液浸泡去除PMMA薄膜，在Ar气体中150～300℃退火，在水蒸气环境中处理5～60min，得到Au/WS2/SiO2/Si，即为WS2表面P型掺杂的光电晶体管。本发明首次通过水蒸气处理实现了WS2表面P型掺杂，该方法掺杂方式简单，成本低廉，有利于商业化推广，使用WS2表面P型掺杂的光电晶体管。该光电晶体管具有快速光响应、高灵敏度以及高迁移率。为二维材料高性能光电器件供了可能的发展应用前景。