互连构件及具有其的功率器件

    公开(公告)号:CN119050090B

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411509866.5

    申请日:2024-10-28

    Abstract: 本发明提供了一种互连构件及具有其的功率器件,互连构件包括:主体段,主体段的下表面为导电连接面;界面互连段,与主体段连接,界面互连段的下表面为互连面;拱形连接段,包括相连接的第一弧形段和第二弧形段,第一弧形段与主体段连接,第二弧形段与界面互连段连接,第一弧形段在预设纵向截面内具有第一弧形中心线,第一弧形中心线与预设曲线满足确定系数R2,预设曲线满足以下公式:#imgabs0#;x和y为预设曲线在预设坐标系内的横坐标值和纵坐标值;h为预设曲线的最高点至X轴的距离,a为预设曲线至Y轴的最大距离,#imgabs1#为预设常数;在预设曲线的最高点处,预设曲线满足#imgabs2#;R2≥0.8。通过本方案,能够缓解互连构件的互连界面处的应力大的问题。

    一种分接开关的故障识别方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115719014A

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202110973136.0

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 本文是关于一种分接开关的故障识别方法。所述方法包括获取故障信息,根据故障信息,建立故障库所集合,确定库所置信度、变迁的阈值、变迁的规则置信度,建立故障识别模型;基于变迁的正向激发统计变迁激发次数,计算变迁激发频率,根据变迁可信度和所述变迁激发频率,计算逆向激发值;计算每个库所的立即可达集和可达集;逆向推理,确定故障原因库所;进行正向激发,确定故障的原因。本公开所提供的分接开关的故障识别方法中,基于Petri网的理论,在缩小识别和诊断范围的同时提高了识别和诊断效率及实用性,能够帮助快速定位故障原因,减少故障带来的损失。

    基于组合变形法测金属杨氏模量和切变模量的实验装置

    公开(公告)号:CN111272569B

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202010139311.1

    申请日:2020-03-03

    Abstract: 本发明公开一种基于组合变形法测金属杨氏模量和切变模量的装置,包括设置于底座上的组合变形机构、加力机构和可伸缩悬杆测量机构,支架一的一端固定在底座上,另一端固定有三爪钻夹头一的固定端,三爪钻夹头一的夹持端夹持有待测材料;三爪钻夹头二的夹持端夹持待测材料的另一端,三爪钻夹头三的夹持端夹持悬臂梁的一端,悬臂梁的尾端悬挂有可调节力大小的加力机构;两个可伸缩悬杆的固定端一上一下的箍紧在铁柱上,且可伸缩悬杆在铁柱上的位置可移动;可伸缩悬杆的伸缩端安装有位移传感器,两个位移传感器分别用于测量支架二的位移变化和悬臂梁尾端的位移变化。该装置能通过一次实验测量出杨氏模量和切变模量。

    半导体器件的封装结构和封装方法

    公开(公告)号:CN117766470B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202410190217.7

    申请日:2024-02-20

    Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的封装结构和封装方法,该半导体器件的封装结构包括:绝缘基板,绝缘壳体,多个绝缘肋条和半导体器件,其中绝缘壳体位于绝缘基板的一侧以围成容纳空间,绝缘壳体具有顶面和侧壁,至少一个侧壁具有多个间隔设置的条状结构;多个绝缘肋条位于相邻的多个条状结构之间,绝缘肋条分别与顶面和条状结构所在的侧壁连接,相邻条状结构之间具有间隔区域,绝缘肋条在第一方向上具有相对的两端,绝缘肋条的两端突出于间隔区域,第一方向为绝缘基板指向绝缘壳体的方向;半导体器件设置于容纳空间中;该半导体的封装结构实现了在高电压、小电流的应用场景下满足了器件的高绝缘强度需求。

    半导体器件的封装结构和封装方法

    公开(公告)号:CN117766470A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202410190217.7

    申请日:2024-02-20

    Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的封装结构和封装方法,该半导体器件的封装结构包括:绝缘基板,绝缘壳体,多个绝缘肋条和半导体器件,其中绝缘壳体位于绝缘基板的一侧以围成容纳空间,绝缘壳体具有顶面和侧壁,至少一个侧壁具有多个间隔设置的条状结构;多个绝缘肋条位于相邻的多个条状结构之间,绝缘肋条分别与顶面和条状结构所在的侧壁连接,相邻条状结构之间具有间隔区域,绝缘肋条在第一方向上具有相对的两端,绝缘肋条的两端突出于间隔区域,第一方向为绝缘基板指向绝缘壳体的方向;半导体器件设置于容纳空间中;该半导体的封装结构实现了在高电压、小电流的应用场景下满足了器件的高绝缘强度需求。

    半导体封装结构
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN118943094B

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411438305.0

    申请日:2024-10-15

    Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构,包括:壳体,包括基板;第一半导体芯片,与基板连接;第一金属连接部,连接在基板和第一半导体芯片之间并与第一半导体芯片的第一极电连接;第二金属连接部,与第一金属连接部间隔设置,第二金属连接部与基板连接并与第一半导体芯片的第二极电连接;第一端子,与第一金属连接部电连接;第二端子,与第二金属连接部电连接;第一绝缘凸块,设置在基板上并设置在第一金属连接部和第二金属连接部之间。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的半导体芯片散热效果不佳的问题。

    半导体封装结构
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118943094A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202411438305.0

    申请日:2024-10-15

    Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构,包括:壳体,包括基板;第一半导体芯片,与基板连接;第一金属连接部,连接在基板和第一半导体芯片之间并与第一半导体芯片的第一极电连接;第二金属连接部,与第一金属连接部间隔设置,第二金属连接部与基板连接并与第一半导体芯片的第二极电连接;第一端子,与第一金属连接部电连接;第二端子,与第二金属连接部电连接;第一绝缘凸块,设置在基板上并设置在第一金属连接部和第二金属连接部之间。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的半导体芯片散热效果不佳的问题。

    强化学习式多传感器融合导航方法、装置及电子设备

    公开(公告)号:CN117723053A

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311615790.X

    申请日:2023-11-29

    Abstract: 本申请提供一种强化学习式多传感器融合导航方法、装置及电子设备,涉及数据处理技术领域。该方法包括:获取同一时刻的激光雷达的点云数据、双目相机的图像数据和惯性测量单元的IMU数据;根据图像数据生成视觉路标因子;根据点云数据生成直线路标因子和平面路标因子;根据IMU数据生成IMU预积分因子;根据视觉路标因子、直线路标因子、平面路标因子和IMU预积分因子构建因子图;利用强化学习对因子权重进行优化,生成优化后的目标因子图;根据目标因子图进行导航。装置用于执行上述方法。本申请通过根据各个传感器采集的数据构建因子图,并通过强化学习对因子图进行优化,利用优化后的因子图进行导航,以此在计算资源有限的情况下提高导航效率。

    多界面互连构件及具有其的功率模块

    公开(公告)号:CN119050091B

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411509883.9

    申请日:2024-10-28

    Abstract: 本发明提供了一种多界面互连构件及具有其的功率模块,多界面互连构件包括:主体段,主体段的下表面为导电连接面;第一界面互连段,位于主体段的侧部并与主体段连接,第一界面互连段的下表面为第一互连面;第二界面互连段,位于主体段的侧部并与主体段连接,第二界面互连段的下表面为第二互连面;其中,主体段的下表面、第一界面互连段的下表面以及第二界面互连段的下表面中的至少一个设置有浸润槽。通过本申请提供的技术方案,能够解决相关技术中的功率模块内利用率低的问题。

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