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公开(公告)号：CN107590787B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201710812587.X
申请日：2017-09-11
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： G06T5/00
摘要： 本发明公开一种针对扫描电子显微镜的图像畸变校正方法，属于计算机视觉领域，其包括S1:在预设的时间序列上连续采集图像，建立时间漂移畸变Dd与图像采集时间t的关系Dd(t)；S2:根据S1中获得的Dd(t)，预先去除漂移畸变，利用拍摄标准标靶获得稀疏图像像素位置信息及对应的畸变向量样本集；S3:建立图像平面的任意一个像素点的像素坐标u与该像素点对应的固有畸变向量l间的关系，进而推算获得成像的固有畸变模型Df；S4：利用S2得到的稀疏位置信息及对应畸变向量样本集，解算畸变模型矩阵Df，结合Df(u)和Dd(t)对图像进行畸变校正。本发明方法分别对扫描电子显微镜图像的两种主要畸变场进行畸变建模及校正，该方法可在实际工程中应用。
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公开(公告)号：CN107677697B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710852515.8
申请日：2017-09-20
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明公开基于扫描电子显微镜的芯片热变形测量方法，属于材料性能检测技术领域，本发明利用扫描电子显微镜的高景深和高分辨率特性，通过与原位加热装置的集成，充分考虑了热影响及系统畸变带来的测量误差并对其进行校正；利用畸变校正后的散斑图像，通过数字图像相关算法计算求得芯片由于受热而产生变形的面内变形场。在上述基础上，本发明实现了微纳尺度的芯片全场热变形测量并在实际工程中进行了应用。
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公开(公告)号：CN107677697A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710852515.8
申请日：2017-09-20
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
摘要： 本发明公开基于扫描电子显微镜的芯片热变形测量方法，属于材料性能检测技术领域，本发明利用扫描电子显微镜的高景深和高分辨率特性，通过与原位加热装置的集成，充分考虑了热影响及系统畸变带来的测量误差并对其进行校正；利用畸变校正后的散斑图像，通过数字图像相关算法计算求得芯片由于受热而产生变形的面内变形场。在上述基础上，本发明实现了微纳尺度的芯片全场热变形测量并在实际工程中进行了应用。
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公开(公告)号：CN107590787A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710812587.X
申请日：2017-09-11
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： G06T5/00
摘要： 本发明公开一种针对扫描电子显微镜的图像畸变校正方法，属于计算机视觉领域，其包括S1:在预设的时间序列上连续采集图像，建立时间漂移畸变Dd与图像采集时间t的关系Dd(t)；S2:根据S1中获得的Dd(t)，预先去除漂移畸变，利用拍摄标准标靶获得稀疏图像像素位置信息及对应的畸变向量样本集；S3:建立图像平面的任意一个像素点的像素坐标u与该像素点对应的固有畸变向量l间的关系，进而推算获得成像的固有畸变模型Df；S4：利用S2得到的稀疏位置信息及对应畸变向量样本集，解算畸变模型矩阵Df，结合Df(u)和Dd(t)对图像进行畸变校正。本发明方法分别对扫描电子显微镜图像的两种主要畸变场进行畸变建模及校正，该方法可在实际工程中应用。
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公开(公告)号：CN106600651B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201611146726.1
申请日：2016-12-13
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G06T7/80
摘要： 本发明公开了一种成像系统的建模方法，其包括如下步骤：S1建立图像平面的任意一个像素点的像素坐标u与该像素点在三维空间中对应的直线l间的关系，进而推算获得成像模型，S2解算成像模型中的模型矩阵M，获得成像系统的模型，S3对成像系统的模型进行误差评估，获得误差评估值，S4若误差评估值落入设定范围，判定成像系统的模型建模成功，若误差评估值不落入设定范围，则继续解算模型矩阵并再次进行误差评估，直到获得的误差评估值落入设定范围。本发明基于成像系统的连续性约束原则，利用径向基算子建立了成像系统的模型，还利用了误差模型进行了模型的误差评估，本发明方法在保证成像系统的模型精度的前提下，降低了模型的复杂度。
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公开(公告)号：CN106600651A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611146726.1
申请日：2016-12-13
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G06T7/80
摘要： 本发明公开了一种成像系统的建模方法，其包括如下步骤：S1建立图像平面的任意一个像素点的像素坐标u与该像素点在三维空间中对应的直线l间的关系，进而推算获得成像模型，S2解算成像模型中的模型矩阵M，获得成像系统的模型，S3对成像系统的模型进行误差评估，获得误差评估值，S4若误差评估值落入设定范围，判定成像系统的模型建模成功，若误差评估值不落入设定范围，则继续解算模型矩阵并再次进行误差评估，直到获得的误差评估值落入设定范围。本发明基于成像系统的连续性约束原则，利用径向基算子建立了成像系统的模型，还利用了误差模型进行了模型的误差评估，本发明方法在保证成像系统的模型精度的前提下，降低了模型的复杂度。
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公开(公告)号：CN105066909A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510552154.6
申请日：2015-09-01
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G01B11/25
摘要： 本发明公开了一种手持式多激光条纹快速三维测量方法，包括以下步骤：1)粘贴标志点：2)使用手持三维测量仪测量物体表面的三维数据：3)采集图像：4)图像处理：5)标志点的三维坐标计算：6)物体表面点的三维坐标计算；7)手持三维测量仪的定位和世界坐标系下的数据拼合，即获得从当前相机坐标系变换到世界坐标系的旋转平移矩阵，以实现当前物体表面测量点从相机坐标系到世界坐标系的转换关系和世界坐标系下的数据拼合。本发明通过使用激光测量技术，优化结构设计和计算算法，使得本三维测量仪具有便携和可手持操作的特点，并且操作简单，使用方便。
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公开(公告)号：CN107727011B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201710826545.1
申请日：2017-09-14
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了选择性激光熔化制造过程中平面度和轮廓度在线测量方法，属于增材制造领域，其包括：S1成形坐标系的配准；S2将粉末运送至成形基板，利用面结构光三维测量方法对粉末层的进行平面度分析。若粉末层均匀，进入S3，否则返回S2；S3将粉末熔化成形，利用面结构光三维测量方法对成形层进行三维测量与平面度分析，若成形层的平面度满足要求，进入S4，否则进入S6；S4利用双目立体视觉原理对成形层的图像进行轮廓提取与三维重建，若成形层的轮廓度满足要求，进入S5，否则进入S6；S5检测零件是否加工完成。若加工完成，则进入S6；否则返回S2；S6结束加工。本发明方法能初步评估选择性激光熔化设备加工的零件的质量。
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公开(公告)号：CN107727011A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710826545.1
申请日：2017-09-14
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了选择性激光熔化制造过程中平面度和轮廓度在线测量方法，属于增材制造领域，其包括：S1成形坐标系的配准；S2将粉末运送至成形基板，利用面结构光三维测量方法对粉末层的进行平面度分析。若粉末层均匀，进入S3，否则返回S2；S3将粉末熔化成形，利用面结构光三维测量方法对成形层进行三维测量与平面度分析，若成形层的平面度满足要求，进入S4，否则进入S6；S4利用双目立体视觉原理对成形层的图像进行轮廓提取与三维重建，若成形层的轮廓度满足要求，进入S5，否则进入S6；S5检测零件是否加工完成。若加工完成，则进入S6；否则返回S2；S6结束加工。本发明方法能初步评估选择性激光熔化设备加工的零件的质量。
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公开(公告)号：CN104864819B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201510025233.1
申请日：2015-01-19
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于数字散斑的高速三维应变测量方法。采用高速图像采集系统进行高速形变物体的采集，利用图像的散斑颗粒均值或者灰度梯度评价散斑图像质量，确保测量过程中，图像具有高相关性，高质量，有效提高测量的准确性；在此基础上，根据快速获取的变形物体图像序列对变形过程中的被测物体进行实时连续的三维重建和应变测量，从而最终实现对高速形变物体的三维应变测量。
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