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公开(公告)号:CN115449771A
公开(公告)日:2022-12-09
申请号:CN202211148870.4
申请日:2022-09-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及模具表面处理技术领域,特别是涉及一种模具涂层生成方法、装置、设备、存储介质和程序产品。该方法包括:根据预设涂层设计方法获取目标模具的涂层参数;预设涂层设计方法为基于多种单相涂层成分、多种单相涂层厚度进行组合以生成满足模具测试指标的涂层参数的方法;获取根据涂层参数生成的测试涂层的测试涂层性能值;若测试涂层性能值满足预设的第一性能指标,则根据涂层参数生成目标模具的模具涂层。本申请能够提高PVD涂层的性能。
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公开(公告)号:CN115449771B
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202211148870.4
申请日:2022-09-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及模具表面处理技术领域,特别是涉及一种模具涂层生成方法、装置、设备、存储介质和程序产品。该方法包括:根据预设涂层设计方法获取目标模具的涂层参数;预设涂层设计方法为基于多种单相涂层成分、多种单相涂层厚度进行组合以生成满足模具测试指标的涂层参数的方法;获取根据涂层参数生成的测试涂层的测试涂层性能值;若测试涂层性能值满足预设的第一性能指标,则根据涂层参数生成目标模具的模具涂层。本申请能够提高PVD涂层的性能。
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公开(公告)号:CN116875773A
公开(公告)日:2023-10-13
申请号:CN202310942557.6
申请日:2023-07-27
Applicant: 华中科技大学 , 武汉华工激光工程有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种智能化连续变光斑激光淬火方法及系统,属于激光淬火领域,该方法包括如下步骤:建立激光淬火工艺参数的专家数据库;对待加工工件进行特征识别以确定加工位置类型,然后与专家数据库进行匹配以获得最佳工艺参数;进行激光淬火,并根据最佳工艺参数自动调整光斑大小和形状;实时获取淬火部位的温度场分布,根据专家数据库中材料临界温度确定实际光斑宽度,最后根据实际光斑宽度对光斑尺寸进行实时调整,以此实现智能化连续变光斑激光淬火。本发明能够减少激光扫描次数,提高加工效率和淬火层深度,避免了激光影响区重叠软化导致耐磨性能下降,同时有效解决生产中存在的虚光导致设定光斑尺寸与实际光斑尺寸不符的问题。
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公开(公告)号:CN117305769A
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202311208339.6
申请日:2023-09-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C14/22 , C23C14/02 , C23C14/06 , B23K26/352
Abstract: 本发明提供了一种提高界面结合强度的表面涂层制备方法及其产品,属于增材制造领域,该制备方法包括如下步骤:在待加工基体的表面构筑微织构;在具有微织构的待加工基体表面沉积涂层同时使用离子束轰击正在沉积生长的涂层,以此提高基体与涂层的界面结合强度。本发明提出使用离子束轰击正在沉积生长的涂层,能够促使涂层中的原子更紧密地排列,从而增加涂层的致密性,同时离子束轰击能够对涂层产生活化效应,从而有效提高涂层与基体表面之间的附着性,以防止其剥离或剥落,进而提高涂层与基体的界面结合强度,并且在离子束的辐照下涂层沉积可以在相对较低的温度下进行,从而避免基体产生热应力或变形。
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公开(公告)号:CN116200580A
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202310007385.3
申请日:2023-01-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于金属制品热处理工艺领域,并公开了一种基于热流循环变向的深冷去残余应力方法,包括:(i)将待处理的工件接入一加热电路中,然后将此工件放置于深冷箱;(ii)使得深冷箱内温度稳定在所需的深冷条件下并保持一定时间;(iii)暂停深冷箱,接通加热电路,给工件加热至预设温度并保温处理;(iv)断开加热电路,使得箱内温度再次降低至所述深冷条件并保持一定时间;(v)重复循环以上温控步骤,直至工件的残余应力获得释放。通过本发明,其能够形成一种稳定可靠的“降温‑升温‑降温”的循环处理模式,与现有深冷处理方式相比能够进一步降低甚至完全消除工件中的残余应力,同时具备便于操控、高效可靠、适应性好等优点。
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公开(公告)号:CN119530782A
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202411620148.5
申请日:2024-11-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型稀土氧化铈CeO2阻氢‑氘‑氚涂层及其制备方法,适用于核能、氢能、石油化工、航空航天及半导体制造领域。该涂层包括基底及覆盖于基底的CeO2纳米晶涂层,所述基底由金属材料制成。制备前,需要对金属基材进行研磨、抛光,去除表面油污和氧化层;然后利用配位辅助沉积法通过溶胶‑凝胶工艺(Sol‑gel)制备CeO2溶胶;最后,通过提拉法制备CeO2涂层,利用马弗炉加热使其生成纳米晶。CeO2纳米晶具有优异的阻隔氢/氘/氚渗透能力,可以大幅度提高涂层的性能和使用寿命。
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