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公开(公告)号：CN108807692A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810557570.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法，该方法是通过向钙钛矿材料中掺杂痕量的高价阳离子，该高价阳离子的价态高于钙钛矿ABX3结构中的B位元素的价态，这些高价阳离子与钙钛矿材料中所含的B位元素两者的原子比不高于10‑5：1，从而降低钙钛矿材料的载流子浓度，并降低以该钙钛矿材料作为活性材料的探测器的暗电流。本发明通过控制掺杂元素的种类，尤其通过对掺杂元素浓度的调控，向钙钛矿活性层材料中掺杂痕量的高价阳离子，能够有效解决现有技术钙钛矿探测器中存在的暗电流高和灵敏度低的问题，并解决灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾的问题，获得高性能、稳定的半导体探测器。
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公开(公告)号：CN108807692B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201810557570.9
申请日：2018-06-01
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种抑制钙钛矿探测器暗电流的方法，该方法是通过向钙钛矿材料中掺杂痕量的高价阳离子，该高价阳离子的价态高于钙钛矿ABX3结构中的B位元素的价态，这些高价阳离子与钙钛矿材料中所含的B位元素两者的原子比不高于10‑5：1，从而降低钙钛矿材料的载流子浓度，并降低以该钙钛矿材料作为活性材料的探测器的暗电流。本发明通过控制掺杂元素的种类，尤其通过对掺杂元素浓度的调控，向钙钛矿活性层材料中掺杂痕量的高价阳离子，能够有效解决现有技术钙钛矿探测器中存在的暗电流高和灵敏度低的问题，并解决灵敏度、工作偏压、稳定性和环境污染等指标不能兼顾的问题，获得高性能、稳定的半导体探测器。
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公开(公告)号：CN108559503B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201810293648.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: C09K11/74
Abstract: 本发明公开了一种Cs2AgBiBr6双钙钛矿及其制备方法，该制备方法引入两步析晶过程，避免Cs2AgBiBr6钙钛矿在有机溶剂中组分偏析现象。主要在于：采用反溶剂滴定前驱体溶液，去除早期析晶副产物，离心分离后获得清液作为Cs2AgBiBr6钙钛矿长晶溶液，再通过反溶剂析晶过程缓慢合成出Cs2AgBiBr6钙钛矿材料。本发明制备方法能有效避免由于组分溶解度不同导致的偏析现象。相对于用酸作为溶剂，有机溶剂的溶解度更大，对密封性和容器的抗腐蚀性要求更低，能够显著提高合成效率。
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公开(公告)号：CN107248538B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710375865.X
申请日：2017-05-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双钙钛矿晶体的后处理方法及应用，其中该后处理方法包括以下步骤：对双钙钛矿晶体Cs2AgBiX6进行退火处理，然后冷却，接着对冷却后的所述晶体利用溶剂进行表面钝化处理，从而提高该双钙钛矿晶体的迁移率，降低其表面复合速率。本发明通过对关键后处理所采用的工艺流程、以及各个工艺步骤所采用的具体条件参数进行改进，与现有技术相比能够有效解决双钙钛矿Cs2AgBiX6晶体Ag、Bi的错位发生概率高、晶体内部缺陷多、晶体的载流子迁移率和载流子寿命乘积(μτ)不高等问题，并且使用本发明中的后处理方法得到的晶体尤其适用于应用于辐射探测器中。
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公开(公告)号：CN107299393A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710426889.3
申请日：2017-06-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多元钙钛矿材料及其制备与应用，其中该多元钙钛矿材料为多元全无机金属非铅卤盐，并且具有钙钛矿结构；所述多元钙钛矿材料的化学式满足：其中，0≤x≤1，0≤y≤1，A为Cs+，B1、B2、B3、B4分别为Na+、Ag+、In3+、Bi3+，X为卤族元素。本发明通过对钙钛矿材料关键的化学元素的种类及配比等进行改进，与现有技术相比能够有效解决现有双钙钛矿种类少且不好调控、环境污染大的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111722261B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201911280534.3
申请日：2019-12-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料作为闪烁体的应用，所述晶体材料满足化学通式A2BX3，其中，A为一价碱金属阳离子，B为一价过渡金属阳离子，X代表一价卤素阴离子。本申请提供的晶体材料具有无毒、稳定、制备方法简单、光产额高的特点，其作为一种新型的闪烁体，在高能粒子探测领域拥有巨大的潜力，展示出大规模工业化生产的应用前景。
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公开(公告)号：CN107299393B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201710426889.3
申请日：2017-06-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多元钙钛矿材料及其制备与应用，其中该多元钙钛矿材料为多元全无机金属非铅卤盐，并且具有钙钛矿结构；所述多元钙钛矿材料的化学式满足：其中，0≤x≤1，0≤y≤1，A为Cs+，B1、B2、B3、B4分别为Na+、Ag+、In3+、Bi3+，X为卤族元素。本发明通过对钙钛矿材料关键的化学元素的种类及配比等进行改进，与现有技术相比能够有效解决现有双钙钛矿种类少且不好调控、环境污染大的问题。
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公开(公告)号：CN108559503A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810293648.0
申请日：2018-03-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: C09K11/74
Abstract: 本发明公开了一种Cs2AgBiBr6双钙钛矿及其制备方法，该制备方法引入两步析晶过程，避免Cs2AgBiBr6钙钛矿在有机溶剂中组分偏析现象。主要在于：采用反溶剂滴定前驱体溶液，去除早期析晶副产物，离心分离后获得清液作为Cs2AgBiBr6钙钛矿长晶溶液，再通过反溶剂析晶过程缓慢合成出Cs2AgBiBr6钙钛矿材料。本发明制备方法能有效避免由于组分溶解度不同导致的偏析现象。相对于用酸作为溶剂，有机溶剂的溶解度更大，对密封性和容器的抗腐蚀性要求更低，能够显著提高合成效率。
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公开(公告)号：CN107248538A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710375865.X
申请日：2017-05-25
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种双钙钛矿晶体的后处理方法及应用，其中该后处理方法包括以下步骤：对双钙钛矿晶体Cs2AgBiX6进行退火处理，然后冷却，接着对冷却后的所述晶体利用溶剂进行表面钝化处理，从而提高该双钙钛矿晶体的迁移率，降低其表面复合速率。本发明通过对关键后处理所采用的工艺流程、以及各个工艺步骤所采用的具体条件参数进行改进，与现有技术相比能够有效解决双钙钛矿Cs2AgBiX6晶体Ag、Bi的错位发生概率高、晶体内部缺陷多、晶体的载流子迁移率和载流子寿命乘积(μτ)不高等问题，并且使用本发明中的后处理方法得到的晶体尤其适用于应用于辐射探测器中。
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公开(公告)号：CN111722261A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201911280534.3
申请日：2019-12-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料作为闪烁体的应用，所述晶体材料满足化学通式A2BX3，其中，A为一价碱金属阳离子，B为一价过渡金属阳离子，X代表一价卤素阴离子。本申请提供的晶体材料具有无毒、稳定、制备方法简单、光产额高的特点，其作为一种新型的闪烁体，在高能粒子探测领域拥有巨大的潜力，展示出大规模工业化生产的应用前景。
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