公开(公告)号：CN119300411A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411366577.4

申请日：2024-09-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 郭二娟 ,  周淅 ,  翟天佑

IPC: H10D30/63 ,  H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D64/01 ,  H10D64/23 ,  H10D64/68 ,  H10B51/30

Abstract: 本发明属于微电子器件相关技术领域，其公开了一种基于氧化物半导体的铁电垂直晶体管及其制备方法，该铁电垂直晶体管包括衬底、栅极金属电极、栅极铁电层、栅极绝缘介质层、岛状源极、氧化物半导体、源极接触电极、顶部漏极。本发明利用氧化铪基铁电材料作为栅极铁电材料，可以实现信息的写入和读取，并放大栅极电压对沟道的调控效果，降低栅极电容和沟道电容的比值，降低晶体管的工作电压，以减少铁电垂直晶体管的功耗。此外，通过在栅极铁电薄膜上再制备一层栅极绝缘介质层，以促进铁电相的形成，同时绝缘介质层的引入可以抑制电荷的注入，进而调节氧化铪基铁电材料的极化状态，提高了铁电晶体管的整体性能。