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公开(公告)号：CN111379024A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811633840.6
申请日：2018-12-29
Applicant: 北京首量科技股份有限公司
Abstract: 本发明实施方式公开了一种氟化钙的制备工艺，包括如下步骤：抽真空，使炉体内部真空度不小于10-3Pa再对高温区加热器和低温区加热器同时以30～50℃/小时升温；待高温区加热器的温度降至与低温区加热器温度相同后，再对高温区加热器和低温区加热器同时降温至1000～1200℃，当晶体结晶结束后，调节高温区加热器和低温区加热器之间的温度差为零；对氟化钙晶体的进行原位退火处理，退火结束后以5～20℃/小时降至室温。通过调节高温区加热器和低温区加热器的温度，获得适合氟化钙单晶生长的梯度区，从而精确控制籽晶熔接及单晶生长，抑制不同取向晶核的结晶速率，从而实现大幅提高单晶的成品率，有效降低生产成本的目的。
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公开(公告)号：CN110912531A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811082015.1
申请日：2018-09-17
Applicant: 北京首量科技股份有限公司
IPC: H03H9/56
Abstract: 本发明实施例涉及滤波器技术领域，公开了一种用于智能穿戴设备的滤波器，包括薄膜太阳能电池、壳体、谐振管、控制器、TEC降温器以及热敏电阻温度传感器，其中，谐振管、控制器、热敏电阻温度传感器设置于壳体内，薄膜太阳能电池、TEC降温器设置于壳体上，薄膜太阳能电池与控制器连接，用于向滤波器内的工作器件提供工作电源，热敏电阻温度传感器与谐振管、控制器连接，热敏电阻温度传感器用于检测谐振管的工作温度，并将检测到的谐振管的温度信号发送至控制器，控制器与TEC降温器，控制器根据温度信号控制TEC降温器的工作状态。本发明实施例提供了一种频率稳定、频率温度特性平稳的滤波器用石英晶体谐振器，解决了现有谐振器频率不稳定、频率温度特性差的问题。
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公开(公告)号：CN110501770A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201810479170.0
申请日：2018-05-18
Applicant: 北京首量科技股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及新材料加工领域，公开了一种可见滤光片的制备工艺，包括：1)将K9玻璃基材作为第一透明衬底基材，在第一透明衬底基材面镀上第一滤光膜和多层金属介质组合膜；第一滤光膜包括从上到下层叠设置的五氧化三钛膜与二氧化硅膜；2)将K9玻璃基材作为第二透明衬底基材，在第二透明衬底基材镀上第二滤光膜和多层金属介质组合膜；其中，第二滤光膜包括从上到下层叠设置的二氧化硅膜与五氧化三钛膜；3)将步骤1)镀膜得到的第一透明衬底基材与步骤2)镀膜得到的第二透明衬底基材的第二表面面面相对，将两者进行压合和胶固化。通过在K9玻璃基材上设置滤光膜以及多层金属介质组合膜，从而形成多波段选通的可见滤光片，提高了可见滤光片的透明度。
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公开(公告)号：CN104357903B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410575257.X
申请日：2014-10-24
Applicant: 北京首量科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种含铕的氟化钙晶体、制备方法及用途。本发明提供的含铕的氟化钙晶体可以使用Co60照射，通过RCA8850光电倍增管测量晶体的光产额，结果表明本发明提供的含铕的氟化钙晶体在含量较少的情况下，使氟化钙晶体具有了优异的具有闪烁晶体吸收高能粒子能量后发出一定波长闪烁荧光的性能。特别是晶体的相对光输出与硅酸钇镥闪烁(LYSO)晶体相当。此外，由于含量低，还利于生长高光学质量的晶体。本发明还提供了含铕的氟化钙晶体的制备方法及用途。
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公开(公告)号：CN110911939A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811083300.5
申请日：2018-09-17
Applicant: 北京首量科技股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及玻璃密封方法，具体涉及一种玻璃密封插座的制备方法。包括如下步骤：S1、按照产品组装图，进行待密封插座组装；S2、把S1步骤中组装好的待密封插座依次装入石墨盒中，盖上石墨盖，记录石墨盒的编号；S3、将步骤S2中石墨盒按照空盒-实盒-空盒-实盒的顺序依次推入管式烧结炉内，其中，空盒为没有装入待密封插座的石墨盒，实盒为装有待密封插座的石墨盒；S4、直到所述实盒被推到所述管式烧结炉出口处取出，利用冷却循环水对所述实盒进行降温，直到所述实盒被推倒所述管式烧结炉出口处取出，成型后即为玻璃密封插座。通过将待密封插座放置于石墨盒中，可以连续入炉提高生产能力，同时通过采用空盒-实盒-空盒-实盒的顺序的推盒方法，提高入炉后炉膛内回温速率，保证产品的合格率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107723795A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710951942.1
申请日：2017-10-13
Applicant: 北京首量科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种掺氟化钇的氟化钡晶体及其制备方法，所述晶体由YF3、BaF2组成，其中YF3摩尔百分比为5～7mol％，通过本发明制备方法制得的所述晶体光输出快慢成分比最大可提高25倍，并且快成分衰减时间不变，而且所述晶体中掺入钇离子，钇离子半径较小，制备所述晶体质量高，完全可以取代纯氟化钡以及碘化铯晶体等，用于高能物理及核医学探测；所述晶体制备方法使掺杂钇元素充分溶解并分布均匀，保障了所述晶体的质量，通过设计的石墨坩埚外壁与加热器内壁之间的距离为20mm，保障了固液界面附近温度梯度约为5～10℃/cm，避免了梯度过大造成的晶体开裂问题，同时设备简单、易于操作。
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公开(公告)号：CN107723795B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201710951942.1
申请日：2017-10-13
Applicant: 北京首量科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种掺氟化钇的氟化钡晶体及其制备方法，所述晶体由YF3、BaF2组成，其中YF3摩尔百分比为5～7mol％，通过本发明制备方法制得的所述晶体光输出快慢成分比最大可提高25倍，并且快成分衰减时间不变，而且所述晶体中掺入钇离子，钇离子半径较小，制备所述晶体质量高，完全可以取代纯氟化钡以及碘化铯晶体等，用于高能物理及核医学探测；所述晶体制备方法使掺杂钇元素充分溶解并分布均匀，保障了所述晶体的质量，通过设计的石墨坩埚外壁与加热器内壁之间的距离为20mm，保障了固液界面附近温度梯度约为5～10℃/cm，避免了梯度过大造成的晶体开裂问题，同时设备简单、易于操作。
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公开(公告)号：CN111304591A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811516132.4
申请日：2018-12-12
Applicant: 北京首量科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多层结构的类金刚石膜，包括基层、N个软类金刚石亚层，M个硬类金刚石亚层，其中，所述M等于所述N为自然数，且一一对应，所述基层设置在最下端，所述硬类金刚石亚层设置在基层的上表面，所述软类金刚石亚层设置在硬类金刚石亚层的上表面，所述软类金刚石亚层和硬类金刚石亚层交替叠加的方式设置。相对于现有技术，该类金刚石膜当基体脉冲直流偏压占空比较高(如40％)时，类金刚石膜和内应力会得到提高。
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公开(公告)号：CN111304587B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201811516661.4
申请日：2018-12-12
Applicant: 北京首量科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种无氢型非晶碳膜，包括无氢型非晶碳膜、CrxC过渡层、C粘结层和钢制基体，所述钢制基体的上面表设有C粘结层，所述C粘结层上设有CrxC过渡层，所述CrxC过渡层的上表面设有无氢型非晶碳膜。相对于现有技术，该无氢型非晶碳膜能够得到更好的镀层性能而在镀制无氢型非晶碳膜过程中而使用“脉冲直流/脉冲直流”靶材/基体电源配置时出现的需要同步器以及等离子体离化率低、带电离子轰击能量不足等问题。
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