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公开(公告)号：CN111304587B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201811516661.4
申请日：2018-12-12
Applicant: 北京首量科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种无氢型非晶碳膜，包括无氢型非晶碳膜、CrxC过渡层、C粘结层和钢制基体，所述钢制基体的上面表设有C粘结层，所述C粘结层上设有CrxC过渡层，所述CrxC过渡层的上表面设有无氢型非晶碳膜。相对于现有技术，该无氢型非晶碳膜能够得到更好的镀层性能而在镀制无氢型非晶碳膜过程中而使用“脉冲直流/脉冲直流”靶材/基体电源配置时出现的需要同步器以及等离子体离化率低、带电离子轰击能量不足等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111304586A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811516645.5
申请日：2018-12-12
Applicant: 北京首量科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种湿度环境自适应类金刚石膜，包括基层，N个无氢型类金刚石亚层和M个含氢型类金刚石亚层，其中，所述M等于所述N为自然数，且一一对应，所述基层的上面设有含氢型类金刚石亚层，所述含氢型类金刚石亚层的上表面设有无氢型类金刚石亚层，其中，所述含氢型类金刚石亚层和无氢型类金刚石亚层交替叠加设置。相对于现有技术，该类金刚石膜多层结构的设计其目的在于自适应相对湿度变化较大的环境。
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公开(公告)号：CN111304591A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811516132.4
申请日：2018-12-12
Applicant: 北京首量科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多层结构的类金刚石膜，包括基层、N个软类金刚石亚层，M个硬类金刚石亚层，其中，所述M等于所述N为自然数，且一一对应，所述基层设置在最下端，所述硬类金刚石亚层设置在基层的上表面，所述软类金刚石亚层设置在硬类金刚石亚层的上表面，所述软类金刚石亚层和硬类金刚石亚层交替叠加的方式设置。相对于现有技术，该类金刚石膜当基体脉冲直流偏压占空比较高(如40％)时，类金刚石膜和内应力会得到提高。
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公开(公告)号：CN114438458A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011206543.0
申请日：2020-11-03
Applicant: 北京首量科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种利用三级低压反应离子镀方法制备氧化铪薄膜的方法，包括：待镀工件准备、待镀工件离子清洗活化步骤、镀膜步骤，并使用了一种三极低压反应离子镀设备，其中包含工件台及夹具、蒸发坩埚、脉冲直流电源、钨丝及直流电源、进气口；克服了传统电子束蒸发工艺镀制氧化铪薄膜的时候出现的膜料喷溅问题，降低了氧化铪薄膜沉积时可能出现的节瘤缺陷概率，提升了薄膜的激光损伤阈值。
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公开(公告)号：CN111304587A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811516661.4
申请日：2018-12-12
Applicant: 北京首量科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种无氢型非晶碳膜，包括无氢型非晶碳膜、CrxC过渡层、C粘结层和钢制基体，所述钢制基体的上面表设有C粘结层，所述C粘结层上设有CrxC过渡层，所述CrxC过渡层的上表面设有无氢型非晶碳膜。相对于现有技术，该无氢型非晶碳膜能够得到更好的镀层性能而在镀制无氢型非晶碳膜过程中而使用“脉冲直流/脉冲直流”靶材/基体电源配置时出现的需要同步器以及等离子体离化率低、带电离子轰击能量不足等问题。
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