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公开(公告)号：CN119538854A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411535651.0
申请日：2024-10-31
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/27 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及一种印制电路板焊点温度循环加速试验剖面设计方法，以搭载试验器件的老化测试板上的焊点作为研究对象，利用仿真软件对目标电路板进行多组温度循环应力条件下的有限元仿真，结合仿真结果通过Engelmaier疲劳寿命模型计算得到多组疲劳寿命，并通过计算得到的疲劳寿命带入Coffin‑Manson加速模型拟合计算加速因子计算公式，最后利用上述加速因子计算公式，将需求的加速时间带入公式计算得到实际条件设计加速试验剖面参数，得到的加速试验剖面可以在给定的时间内完成印制电路板温度循环加速试验，方法流程如图8所示。此方法属于微电子、元器件可靠性评价技术领域。
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公开(公告)号：CN109889821A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910208206.6
申请日：2019-03-19
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: H04N17/00
Abstract: 本发明涉及一种基于AR模型的CMOS图像传感器列固定模式噪声评估方法，包括以下步骤：步骤1：搭建CMOS图像传感器工作环境；步骤2：采集CMOS图像传感器图像；步骤3：提取图像固定模式噪声；步骤4：图像降维处理；步骤5：评估列固定模式噪声。本发明以CMOS图像传感器为研究对象，针对CMOS图像传感器列固定模式噪声，基于采集到的CMOS图像传感器二维图像，通过多帧平均法抑制随机噪声，提取固定模式噪声,利用AR模型对列固定模式噪声进行建模，最后用噪声功率谱方法，对基于AR模型的列固定模式噪声进行评估，得到CMOS图像传感器列固定模式噪声水平。此方法属于CMOS图像传感器列固定模式噪声评估领域。
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公开(公告)号：CN108509754A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810463170.1
申请日：2018-05-15
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种高密度封装集成电路键合丝触碰风险评估方法，包括以下步骤：步骤一：高密度封装键合丝参数提取；步骤二：机械冲击下高密度封装键合丝仿真分析；步骤三：键合丝振动分析；步骤四：初始振幅预测模型；步骤五：振动频率预测模型；步骤六：阻尼系数计算；步骤七：键合丝临界间距计算方法；步骤八：基于蒙特卡洛的键合丝触碰临界间距分布分析；步骤九：基于Logit模型的键合丝触碰风险评估。本方法基于仿真数据和多元回归算法建立的初始振幅与振动频率的预测模型和试验数据计算的阻尼系数，通过振动波形叠加的方法得到相邻键合丝发生瞬时触碰的临界间距，并基于蒙特卡洛方法和Logit模型，通过键合丝的实际间距和临界间距的比较，建立相邻键合丝在机械冲击条件下瞬时触碰风险评估方法。此方法属于高密度封装集成电路键合丝可靠性评价技术领域。
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公开(公告)号：CN104007351B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410270088.9
申请日：2014-06-17
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种航天器电子组件热循环试验方案确定方法包括如下步骤：步骤1：热循环试验备选方案的确定；步骤2：热循环试验条件下航天器电子组件各元器件温度差ΔT1计算；步骤3：航天器电子组件热循环试验有效性分析；步骤4：正常工作条件下航天器电子组件各元器件温度差ΔT2计算；步骤5：航天器电子组件热循环试验损伤分析；步骤6：航天器电子组件正常工作损伤分析；步骤7：航天器电子组件热循环试验可接受性分析；步骤8：最终确定的热循环试验方案。该方法可避免热循环试验方案对航天器电子组件造成过试验与欠试验，降低航天器电子组件在宇航工程中的应用风险。
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公开(公告)号：CN104007351A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410270088.9
申请日：2014-06-17
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种航天器电子组件热循环试验方案确定方法包括如下步骤：步骤1：热循环试验备选方案的确定；步骤2：热循环试验条件下航天器电子组件各元器件温度差ΔT1计算；步骤3：航天器电子组件热循环试验有效性分析；步骤4：正常工作条件下航天器电子组件各元器件温度差ΔT2计算；步骤5：航天器电子组件热循环试验损伤分析；步骤6：航天器电子组件正常工作损伤分析；步骤7：航天器电子组件热循环试验可接受性分析；步骤8：最终确定的热循环试验方案。该方法可避免热循环试验方案对航天器电子组件造成过试验与欠试验，降低航天器电子组件在宇航工程中的应用风险。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102646146B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210122606.3
申请日：2012-04-24
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种基于田口方法的散热器优化设计方法，该方法有六大步骤：步骤一：选择可控因素和噪声因素；步骤二：设计实验方案；步骤三：进行实验；步骤四：实验结果分析；步骤五：对实验结果实施田口预测法；步骤六：实验最终确认最优设计。本发明采用仿真与田口参数设计相结合的方法，通过对散热器的相关参数进行实验设计，然后借助仿真手段对散热效果(功率器件壳温)以及散热器质量进行模拟，通过对仿真结果的分析从而优化散热器参数，寻求散热器参数的最优组合。它在航空电子产品可靠性工程技术领域里具有实用价值。
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公开(公告)号：CN102663200A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210122944.7
申请日：2012-04-24
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法，该方法有六大步骤：步骤1：建立能够反映GaAs FET物理结构的等效电路图；步骤2：确定等效电路模型元件与物理结构的关系；步骤3：研究确定模型元件受温度影响的物理机制；步骤4：建立模型元件与温度之间的函数关系；步骤5：GaAs FET等效电路模型在微波EDA软件中的实现；步骤6：模拟GaAs FET关键性能参数随温度的变化关系。本发明能够仿真砷化镓场效应管性能参数与其物理结构之间的关系，能够预测温度对砷化镓场效应管性能参数的影响，方便器件设计人员进行结构设计和工艺参数优化。它在微电子技术领域里具有较好的实用价值和良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102622531A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210122985.6
申请日：2012-04-24
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 一种危害性分析中风险优先数门限值的确定方法，该方法有三大步骤：步骤1：针对开展危害性分析的产品具体工艺过程，在前期工作的基础上，计算所有工艺故障模式的RPN值；步骤2：利用直角坐标系作图的方法得到RPN顺序散点图；步骤3：利用线性回归的方法，判断RPN顺序散点图中线性增长趋势丧失的转折点，即确定RPN门限值。该方法可操作性强，能够客观准确的确定RPN门限值，进而明确关键故障模式，提出改进措施，提高产品的工艺可靠性。它操作简单方便，便于推广。
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公开(公告)号：CN119227529A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411270780.1
申请日：2024-09-11
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/15 , G06N3/126 , G06F113/26
Abstract: 本发明涉及一种针对木星辐射环境的多层材料辐射屏蔽方案的优化设计方法，包括以下步骤：步骤一：基于SPENVIS平台分析木星高能粒子分布；步骤二：屏蔽材料种类及叠加方式的选择；步骤三：遗传算法参数设计；步骤四：无定义染色体编码；步骤五：建立适应度函数；步骤六：最优多层材料辐射屏蔽方案的优化设计。该方法解决了难以通过简单的数学式解析法来考虑多种影响因素且得到最优屏蔽方案的问题，为木星航天器辐射屏蔽方案设计研究提供了理论指导。
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公开(公告)号：CN116453624A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310195818.2
申请日：2023-03-03
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06F111/10 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及一种微纳金属烧结连接层介观结构演化与应力迁移行为模拟方法，包括以下步骤：建立芯片‑烧结连接层‑基板仿真模型，并对烧结连接层建立第二层单元模型用于相场仿真；使用随机数生成和高斯滤波的方法，生成表征多孔隙结构的二值矩阵，得到相场的初值；建立描述孔隙演化的相场第一控制方程，然后考虑静水应力梯度驱动的原子迁移，得到第二控制方程；开展热力耦合仿真，从仿真结果中计算节点静水应力，输入到第二层单元模型；开展相场仿真，对第二控制方程进行迭代求解，得到烧结连接层介观结构的演化和迁移结果。本发明能够建立微纳金属烧结连接层介观结构演化与应力迁移行为的模拟方法，为研究烧结连接层力学和传热特性的演变提供支撑。
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