公开(公告)号：CN106517147B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201611126343.8

申请日：2016-12-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 邱琳 ,  冯妍卉 ,  张欣欣 ,  张真 ,  邹瀚影

IPC: C23C16/26 ,  C01B32/162

Abstract: 种高纯度高导热碳纳米管阵列热界面材料的制备方法及装置,属于碳纳米管材料领域。本发明将SiO片和硅片置于铁质下降楔形台上平放于横贯加热炉的石英管的中心位置,英管中通入氦气形成惰性气氛并加热,氦气同时作为二茂铁颗粒飞行沉降至SiO基底的载体铁质,再通入氩气/氢气混合气将二茂铁还原成用作碳纳米管垂直生长的催化剂铁粒子,盛有同时作为催化剂和碳源的粉末状二茂铁的铝箔船型容器置于加热炉外的石英管内通过热盘进行加热为二茂铁提供可控的升华温度;二茂铁中的碳原子作为碳源开始生长,最后在氦气保护下对碳纳米管样品进行退火处理,得到高纯度高导热的碳纳米管阵列热界面材料。本发明原料少,成本低、工艺流程简单,工艺参数稳定,产品纯度高、导热性能好。

公开(公告)号：CN106517147A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611126343.8

申请日：2016-12-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 邱琳 ,  冯妍卉 ,  张欣欣 ,  张真 ,  邹瀚影

IPC: C01B32/162

CPC classification number: C01P2002/82 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/80

Abstract: 一种高纯度高导热碳纳米管阵列热界面材料的制备方法及装置，属于碳纳米管材料领域。本发明将SiO2片和硅片置于铁质下降楔形台上平放于横贯加热炉的石英管的中心位置，英管中通入氦气形成惰性气氛并加热，氦气同时作为二茂铁颗粒飞行沉降至SiO2基底的载体铁质，再通入氩气/氢气混合气将二茂铁还原成用作碳纳米管垂直生长的催化剂铁粒子，盛有同时作为催化剂和碳源的粉末状二茂铁的铝箔船型容器置于加热炉外的石英管内通过热盘进行加热为二茂铁提供可控的升华温度；二茂铁中的碳原子作为碳源开始生长，最后在氦气保护下对碳纳米管样品进行退火处理，得到高纯度高导热的碳纳米管阵列热界面材料。本发明原料少，成本低、工艺流程简单，工艺参数稳定，产品纯度高、导热性能好。

公开(公告)号：CN119648552A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411818001.7

申请日：2024-12-11

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 陈诚 ,  史思怡 ,  陈云青 ,  邹瀚影 ,  肖若秀

IPC: G06T5/60 ,  G06T9/00 ,  G16H30/20 ,  G06N3/0455 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明提供了一种多域感知对比增强计算机断层扫描图像合成方法、系统及电子设备，通过采用3D自编码器和去噪扩散概率模型，成功实现了从非对比增强到高质量对比增强图像的高效合成，优化了计算过程并提升了图像质量。多域感知正则化的引入，通过在不同频率带对图像进行细粒度的增强，显著提高了合成图像的细节表现力和纹理一致性。此外，本发明通过深度学习框架实现图像合成流程自动化，减少了人工操作，缩短了处理时间，为医学图像处理领域提供了一个快速、准确、可靠的技术解决方案。这些技术创新为CECT图像的生成提供了一种新的路径，推动了医学影像技术的发展。

公开(公告)号：CN119397965A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202510013677.7

申请日：2025-01-06

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 邹瀚影 ,  陈诚 ,  邱琳 ,  冯妍卉 ,  肖若秀

IPC: G06F30/28 ,  G06F30/27 ,  G06F113/08 ,  G06F119/14 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明涉及蓄热节能技术领域，提供了一种基于深度学习的移动床高温颗粒流动与传热特性的模拟预测方法、系统与电子设备，所述方法包括：高温颗粒流动特性数值模拟，建立三维移动床高温颗粒流数值模型，模拟床型结构、颗粒性质与颗粒堆积、流型规律的关联，建立颗粒分布调控策略；高温颗粒传热特性数值模拟，建立颗粒流动特性与温度场关联，模拟颗粒的气‑固两相复合换热过程，建立温度场控制策略；颗粒分布与温度场智能预测，基于深度学习实现特定时刻的颗粒分布和温度场的智能预测，优化基于数值模拟的调控策略。本发明阐明了移动床颗粒流动与换热特性，为高炉渣余热回收效率提高提供了理论支撑和技术解决方案，能够提高能源利用率。

公开(公告)号：CN206278908U

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201621345714.7

申请日：2016-12-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 邱琳 ,  冯妍卉 ,  张欣欣 ,  张真 ,  邹瀚影

IPC: C01B32/162

Abstract: 一种高纯度高导热碳纳米管阵列热界面材料的制备装置，属于碳纳米管材料领域。本实用新型将SiO2片和硅片置于铁质下降楔形台上平放于横贯加热炉的石英管的中心位置，英管中通入氦气形成惰性气氛并加热，氦气同时作为二茂铁颗粒飞行沉降至SiO2基底的载体铁质，再通入氩气/氢气混合气将二茂铁还原成用作碳纳米管垂直生长的催化剂铁粒子，盛有同时作为催化剂和碳源的粉末状二茂铁的铝箔船型容器置于加热炉外的石英管内通过热盘进行加热为二茂铁提供可控的升华温度；二茂铁中的碳原子作为碳源开始生长，最后在氦气保护下对碳纳米管样品进行退火处理，得到高纯度高导热的碳纳米管阵列热界面材料。本实用新型原料少，成本低、工艺流程简单，工艺参数稳定，产品纯度高、导热性能好。