公开(公告)号：CN115369386B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202210973814.8

申请日：2022-08-15

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 魏俊俊 ,  郝志恒 ,  董春燕 ,  杨志亮 ,  刘金龙 ,  陈良贤 ,  李成明 ,  高旭辉

IPC: C23C16/511 ,  C23C16/27 ,  C23C16/02 ,  C23C16/56 ,  C23C14/06 ,  C23C14/30 ,  C23C14/58 ,  C23C28/04 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种在微结构衬底上沉积金刚石的方法，特别是结构中包含热导率较高、凝聚系数较低的SiC，提供了一种通过调控微结构界面金刚石沉积速度而沉积出平整光滑的高质量金刚石层的方法。属于半导体技术和电子器件散热领域。本发明首先在抛光的硅衬底上镀制凝聚系数低的碳化硅薄膜；然后在碳化硅表面光刻显影实现图案化；然后通过ICP刻蚀制备微孔阵列；通过MPCVD沉积金刚石；最后对沉积的金刚石研磨抛光，使其表面平整化。该方法特别适用于集成电路、芯片等电子电器领域中对高效微通道散热的需求。

公开(公告)号：CN116344357A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310414692.3

申请日：2023-04-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 魏俊俊 ,  冯旭瑞 ,  梁礼峰 ,  王越 ,  董春燕 ,  韦欣怡 ,  陈良贤 ,  张建军 ,  刘金龙 ,  李成明

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/427 ,  H01L23/373 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开一体化金刚石微空腔支柱阵列强化池热沉的制备方法，所述方法采用研磨抛光双面金刚石自支撑板为基底，通过甩胶、曝光、显影、ICP刻蚀、激光切割获得表面带有微空腔支柱的金刚石底板；再将钼粉填充至底板的微空腔支柱内和支柱间隙且填充钼粉与底板外沿高度一致，以CVD技术继续生长金刚石，之后对底板进行封装使其具有一定的厚度；最终通过超声酸洗去除钼粉，获得一体化金刚石微空腔支柱阵列强化池热沉。该产品能够有效进行沸腾能量传递，在能量应用中具有巨大的效用。同时克服了长久以来的通过金刚石微通道提高散热的技术偏见，避免了现有技术中诸多降低散热效率的缺陷，进一步提高了HTC和CHF，利于工业大规模推广和使用。

公开(公告)号：CN115369386A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210973814.8

申请日：2022-08-15

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 魏俊俊 ,  郝志恒 ,  董春燕 ,  杨志亮 ,  刘金龙 ,  陈良贤 ,  李成明 ,  高旭辉

IPC: C23C16/511 ,  C23C16/27 ,  C23C16/02 ,  C23C16/56 ,  C23C14/06 ,  C23C14/30 ,  C23C14/58 ,  C23C28/04 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种在微结构衬底上沉积金刚石的方法，特别是结构中包含热导率较高、凝聚系数较低的SiC，提供了一种通过调控微结构界面金刚石沉积速度而沉积出平整光滑的高质量金刚石层的方法。属于半导体技术和电子器件散热领域。本发明首先在抛光的硅衬底上镀制凝聚系数低的碳化硅薄膜；然后在碳化硅表面光刻显影实现图案化；然后通过ICP刻蚀制备微孔阵列；通过MPCVD沉积金刚石；最后对沉积的金刚石研磨抛光，使其表面平整化。该方法特别适用于集成电路、芯片等电子电器领域中对高效微通道散热的需求。