公开(公告)号：CN117779001B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410077617.7

申请日：2024-01-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 魏俊俊 ,  叶盛 ,  赵上熳 ,  梁礼峰 ,  陈良贤 ,  张建军 ,  刘金龙 ,  李成明

IPC: C23C16/56 ,  B23K26/352 ,  C23C16/27

Abstract: 本发明提供了一种通过多重激光快速平整金刚石膜的方法，属于金刚石加工技术领域，具体包括：步骤1、CVD金刚石膜沉积；步骤2、纳秒激光诱导形成石墨启动层；步骤3、高能激光初步研磨；步骤4、高能激光精细研磨；步骤5、清洗。本发明方法在极大提高加工效率的同时保证了加工质量，对于光学级及热学级CVD金刚石均有适用性，通过激光引入石墨启动层解决了目前金刚石膜难以用近红外激光加工的问题。

公开(公告)号：CN117779001A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202410077617.7

申请日：2024-01-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 魏俊俊 ,  叶盛 ,  赵上熳 ,  梁礼峰 ,  陈良贤 ,  张建军 ,  刘金龙 ,  李成明

IPC: C23C16/56 ,  B23K26/352 ,  C23C16/27

Abstract: 本发明提供了一种通过多重激光快速平整金刚石膜的方法，属于金刚石加工技术领域，具体包括：步骤1、CVD金刚石膜沉积；步骤2、纳秒激光诱导形成石墨启动层；步骤3、高能激光初步研磨；步骤4、高能激光精细研磨；步骤5、清洗。本发明方法在极大提高加工效率的同时保证了加工质量，对于光学级及热学级CVD金刚石均有适用性，通过激光引入石墨启动层解决了目前金刚石膜难以用近红外激光加工的问题。

公开(公告)号：CN118448278A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410480537.6

申请日：2024-04-19

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 魏俊俊 ,  梁礼峰 ,  叶盛 ,  陈良贤 ,  张建军 ,  刘金龙 ,  李成明

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明提供一种在GaN晶圆上沉积高质量纳米金刚石钝化层的方法，涉及半导体技术和电子器件散热领域，包括以下步骤：在硅基GaN晶圆上进行氮化铝沉积、氮化硅沉积得到载有氮化硅牺牲层‑氮化铝层的硅基GaN晶圆；浸入改性金刚石形核液中经匀胶后进行微波等离子体化学气相沉积，通过梯度甲烷工艺，在吸附有金刚石种子层的氮化硅牺牲层表面进行金刚石沉积，形成纳米金刚石钝化层，得到依次载有纳米金刚石钝化层‑氮化铝层硅基GaN晶圆。本发明的方法通过双介质层调控结构界面热阻，并提高金刚石形核密度而沉积出平整光滑的致密纳米金刚石钝化层，制备的产品界面热阻低。

公开(公告)号：CN116344357A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310414692.3

申请日：2023-04-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 魏俊俊 ,  冯旭瑞 ,  梁礼峰 ,  王越 ,  董春燕 ,  韦欣怡 ,  陈良贤 ,  张建军 ,  刘金龙 ,  李成明

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/427 ,  H01L23/373 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开一体化金刚石微空腔支柱阵列强化池热沉的制备方法，所述方法采用研磨抛光双面金刚石自支撑板为基底，通过甩胶、曝光、显影、ICP刻蚀、激光切割获得表面带有微空腔支柱的金刚石底板；再将钼粉填充至底板的微空腔支柱内和支柱间隙且填充钼粉与底板外沿高度一致，以CVD技术继续生长金刚石，之后对底板进行封装使其具有一定的厚度；最终通过超声酸洗去除钼粉，获得一体化金刚石微空腔支柱阵列强化池热沉。该产品能够有效进行沸腾能量传递，在能量应用中具有巨大的效用。同时克服了长久以来的通过金刚石微通道提高散热的技术偏见，避免了现有技术中诸多降低散热效率的缺陷，进一步提高了HTC和CHF，利于工业大规模推广和使用。