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公开(公告)号：CN107275492B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201710357723.0
申请日：2017-05-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及光伏材料领域，提供了一种引入非溶质基溴化物添加剂制备混合卤素钙钛矿的方法，在制备过程中引入非溶质基溴化物添加剂；添加剂引入到钙钛矿前驱体溶液中或反溶剂中；混合卤素钙钛矿材料结构式为ABX3，A为有机阳离子，B为金属离子，X为卤素离子；A离子占据角共享的BX6立方八面体骨架空隙。本发明的有益效果为：在传统的混合钙钛矿制备工艺中引入新型非溶质基溴化物添加剂。非溶质基溴化物的引入不仅将Br元素掺杂到钙钛矿薄膜，而且未改变原钙钛矿溶液中溶质阳离子的化学计量比，为制备混合钙钛矿薄膜提供了新的制备途径。该种方法工艺简单，成本低廉，有助于提高钙钛矿薄膜的稳定性，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110828673A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911052160.X
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种引入硫化物添加剂制备高效钙钛矿太阳能电池的方法，属于纳米功能器件光伏太阳能电池领域。钙钛矿太阳能电池的结构是介孔型结构：导电衬底、半导体氧化物传输层、介孔层、有机无机杂化的钙钛矿层、空穴传输层以及金属对电极。本发明在甲基胺碘化铅(MAPbI3)以及三元阳离子(Cs0.06FA0.79MA0.15Pb(I0.85Br0.15)3)钙钛矿吸光层中引入适量的硫化物添加剂调控其生长过程，实现了高效钙钛矿太阳能电池的构建，提升了钙钛矿吸光层晶体质量和钙钛矿薄膜光生载流子寿命，内部缺陷减少。处理后的钙钛矿薄膜构建得到的电池，器件各项电学性能参数均有提升，最终性能得到改善。该种添加剂辅助生长的手段工艺简单，成本低廉，有助于提高钙钛矿光伏器件的光学性能和稳定性，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109371376A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811474163.8
申请日：2018-12-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明供了一种单一晶体取向的NiO薄膜的可控制备方法，涉及半导体光电子材料制备技术领域，能够实现对NiO薄膜晶体取向的控制，制备出单一晶体取向的NiO薄膜；该方法采用磁控溅射的方法制备NiO薄膜，其特征在于，在溅射过程中调节溅射气氛、溅射功率、气氛压强、气体流量、基底温度和/或退火温度来实现单一晶体取向的NiO薄膜的制备。本发明供的技术方案适用于单一晶体取向的NiO薄膜的制备过程中。
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公开(公告)号：CN105428438B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510254769.0
申请日：2015-05-18
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及光伏电池，提供了一种高效钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该种钙钛矿太阳能电池的结构是传统的介孔型结构：导电衬底、半导体氧化物传输层、介孔层、有机无机杂化的钙钛矿层、空穴传输层以及金属对电极。本发明在传统的介孔型电池结构中引入了绝缘缓冲层实现了高效钙钛矿太阳能电池的构建。电池中加入缓冲薄层后虽有助于抑制界面处的电子-空穴复合，但是绝缘材料的引入往往会降低光电流。然而本发明通过界面调控，加入绝缘缓冲层之后电流不但没有下降反而提升，电池性能得到改善，为得到高效钙钛矿太阳能电池提供了新的制备途径。该种方法工艺简单，成本低廉，有助于提高钙钛矿光伏器件的光学性能和稳定性，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105375810A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510724841.1
申请日：2015-10-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: H02N1/04
CPC classification number: H02N1/04
Abstract: 本发明提出一种结构简单、稳定性高、使用寿命长的电极内置式摩擦发电机，所述发电机包括外部绝缘体、内置电极层和地电极，所述外部绝缘体包括具有一开口的长方体腔室和微结构，所述微结构设置在所述长方体腔室外表面的至少一个面上，所述内置电极层与所述长方体腔室的内表面固定连接，所述地电极连接所述内置电极层位于开口一端的端侧，本发明通过人体皮肤和外部绝缘体之间的接触和分离，来产生周期性的电势差以进行发电，方便实用；摩擦发电机的电极内置的设计，可以大幅提高电极的稳定性，从而提高摩擦发电机的稳定性、延长其使用寿命；本发明体积小，相比现有技术更加节省材料，节约成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116261340A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310040876.8
申请日：2023-01-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于光伏器件技术领域，公开了一种二维钙钛矿光伏电池光吸收性能的调控方法及光伏器件，结合TiO2的应用背景，设计基于TiO2光子晶体的二维钙钛矿光伏器件，通过TiO2光子晶体结构的设计，调控纳米结构的晶格分布、结构形状以及几何参数，实现对二维钙钛矿光伏电池光吸收性能的调控。本发明的TiO2光子晶体结构设计方法，通过设计调控纳米结构在空间中的周期排列，结构形状以及几何参数，提高二维钙钛矿的吸光能力；同时使用有限时域差分方法模拟计算含纳米结构TiO2电子传输层二维钙钛矿光伏电池的光吸收特性，验证光子晶体的纳米结构在电池电场强度分布、电池吸收功率、光吸收能力、能量转换效率等方面的显著影响效果。
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公开(公告)号：CN109371376B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201811474163.8
申请日：2018-12-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明供了一种单一晶体取向的NiO薄膜的可控制备方法，涉及半导体光电子材料制备技术领域，能够实现对NiO薄膜晶体取向的控制，制备出单一晶体取向的NiO薄膜；该方法采用磁控溅射的方法制备NiO薄膜，其特征在于，在溅射过程中调节溅射气氛、溅射功率、气氛压强、气体流量、基底温度和/或退火温度来实现单一晶体取向的NiO薄膜的制备。本发明供的技术方案适用于单一晶体取向的NiO薄膜的制备过程中。
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公开(公告)号：CN106486602A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610959893.1
申请日：2016-10-27
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0003 , H01L51/0077
Abstract: 本发明一种引入廉价添加剂制备高质量钙钛矿薄膜的方法。该高质量钙钛矿材料在制备过程中引入铵盐添加剂；所述添加剂可引入到钙钛矿前驱体溶液中或反溶剂中；该种钙钛矿材料结构式为AMX3，其中A为有机阳离子，CH3NH3、NH2-CH＝NH2、CH3CH2NH3、CH3(CH2)2NH3、CH3(CH2)3NH3中的一种或两种的混合物，M为Pb2+或Sn2+中的一种或两种的混合物，X为Cl-，Br-，I-或SCN-中的一种或多种的混合物。该方法将铵盐的引入降低了薄膜内部缺陷减少了表面态，提供了新的制备途径。工艺简单，成本低廉，重复性高，有助于提高钙钛矿薄膜的光学电学性能具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105428438A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510254769.0
申请日：2015-05-18
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/042 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光伏电池，提供了一种高效钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该种钙钛矿太阳能电池的结构是传统的介孔型结构：导电衬底、半导体氧化物传输层、介孔层、有机无机杂化的钙钛矿层、空穴传输层以及金属对电极。本发明在传统的介孔型电池结构中引入了绝缘缓冲层实现了高效钙钛矿太阳能电池的构建。电池中加入缓冲薄层后虽有助于抑制界面处的电子-空穴复合，但是绝缘材料的引入往往会降低光电流。然而本发明通过界面调控，加入绝缘缓冲层之后电流不但没有下降反而提升，电池性能得到改善，为得到高效钙钛矿太阳能电池提供了新的制备途径。该种方法工艺简单，成本低廉，有助于提高钙钛矿光伏器件的光学性能和稳定性，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109390472A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811190662.4
申请日：2018-10-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种钝化带电缺陷提高钙钛矿晶体质量与电池性能的方法,该种钙钛矿材料结构式为ABX3，A为有机阳离子，如CH3NH3、NH2-CH=NH2、CH3CH2NH3、CH3(CH2)2NH3、CH3(CH2)3NH3中的一种或两种的混合物，B为金属离子Pb2+或Sn2+中的一种或两种的混合物，X为卤素离子Cl-，Br-，I-中的一种或多种的混合物。所述离子型铵盐添加剂可以钝化带有正电荷与负电荷的缺陷，而且作为离子晶体，铵根离子与卤素离子独立分布，具有选择性钝化缺陷的优势。该方法工艺简单，成本低廉，有助于降低材料缺陷，提高钙钛矿薄膜的晶体质量，提高钙钛矿太阳能电池的性能，具有良好的应用前景。
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