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公开(公告)号：CN109371376B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201811474163.8
申请日：2018-12-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明供了一种单一晶体取向的NiO薄膜的可控制备方法，涉及半导体光电子材料制备技术领域，能够实现对NiO薄膜晶体取向的控制，制备出单一晶体取向的NiO薄膜；该方法采用磁控溅射的方法制备NiO薄膜，其特征在于，在溅射过程中调节溅射气氛、溅射功率、气氛压强、气体流量、基底温度和/或退火温度来实现单一晶体取向的NiO薄膜的制备。本发明供的技术方案适用于单一晶体取向的NiO薄膜的制备过程中。
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公开(公告)号：CN110518125A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910710710.6
申请日：2019-08-01
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种阳离子掺杂钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于钙钛矿太阳能电池领域。对所述钙钛矿太阳能电池的钙钛矿吸光层进行阳离子掺杂，在透明FTO导电玻璃衬底上旋涂SnO2薄膜作为电子传输层，在电子传输层上用一步溶液法制备钙钛矿吸光层，在钙钛矿的前驱体溶液中掺入阳离子，然后旋涂Spiro-OMeTAD作为空穴传输层，最后蒸镀金电极制得阳离子掺杂的钙钛矿太阳能电池。本发明通过对钙钛矿吸光层阳进行阳离子掺杂，改善了钙钛矿吸光层的光物理特性，进而提高了钙钛矿太阳能电池的光伏性能。
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公开(公告)号：CN110484880A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910708202.4
申请日：2019-08-01
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种具有单一结晶取向空穴传输层的钙钛矿电池制备方法，属于钙钛矿太阳能电池领域。本发明的技术方案要点为：通过磁控溅射的方法在FTO导电玻璃衬底上生长出结晶取向可控的空穴传输层薄膜，然后在空穴传输层上依次旋涂钙钛矿吸光层、电子传输层，最后蒸镀电极，制得基于单一结晶取向空穴传输层的钙钛矿电池。通过调控空穴传输层薄膜的晶体取向，进而可以实现对空穴传输层薄膜表面原子、能带结构排列、配位、表面能、结构缺陷的调控。本发明基于单一结晶取向的空穴传输层薄膜制备成钙钛矿太阳能电池，不仅提高了空穴传输层输运层的导电性、载流子迁移率和电荷提取能力，而且改善了钙钛矿薄膜的形貌，进而提升了钙钛矿太阳能电池的光伏性能。
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公开(公告)号：CN109371376A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811474163.8
申请日：2018-12-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明供了一种单一晶体取向的NiO薄膜的可控制备方法，涉及半导体光电子材料制备技术领域，能够实现对NiO薄膜晶体取向的控制，制备出单一晶体取向的NiO薄膜；该方法采用磁控溅射的方法制备NiO薄膜，其特征在于，在溅射过程中调节溅射气氛、溅射功率、气氛压强、气体流量、基底温度和/或退火温度来实现单一晶体取向的NiO薄膜的制备。本发明供的技术方案适用于单一晶体取向的NiO薄膜的制备过程中。
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