3D石墨烯/一维纳米材料复合结构场发射阴极及制备法

    公开(公告)号:CN106158553B

    公开(公告)日:2018-09-25

    申请号:CN201610825802.5

    申请日:2016-09-14

    Abstract: 本发明涉及纳米功能器件场发射技术领域,提供了一种3D石墨烯/一维纳米材料复合结构场发射阴极,包括金属泡沫骨架衬底、石墨烯层以及一维纳米材料层;石墨烯层位于金属泡沫和一维纳米材料层之间,石墨烯层既作为电子传输层又与一维纳米材料层共同作为发射层;还提供了一种上述发射阴极的制备方法。本发明的有益效果为:用金属泡沫作为骨架实现了石墨烯和一维纳米材料的复合结构场发射阴极的制备,具有大量场发射点;石墨烯既作为电子传输层又作为发射层,充分利用了石墨烯的优异性能;制备工艺简单,可实现快速、均匀和大面积3D空间型场发射阴极的制备,而且场发射阴极具有低开启电场、高发射电流密度和发射电流稳定性,具有良好的应用前景。

    一种高灵敏柔性可穿戴应变传感器及其低成本制作方法

    公开(公告)号:CN106152930A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201610475099.X

    申请日:2016-06-24

    CPC classification number: G01B7/18 B82Y30/00 B82Y40/00

    Abstract: 本发明属于传感器领域,具体涉及一种高灵敏柔性可穿戴应变传感器及其低成本制作方法。所述传感器包括柔性基底、位于柔性基底上的敏感层和位于敏感层两端的电极,敏感层为石墨纳米颗粒膜,敏感层使用热蒸发沉积方式制备。本发明的传感器的敏感层和电极之间为欧姆接触。敏感层是纳米级别的连续石墨颗粒膜,当传感器受到外界的应变的时候,纳米颗粒之间接触发生迅速响应,改变导电路径和接触面积,从而自身电阻发生明显变化,将输入的应变转变为电信号输出,能够实现高灵敏的应变探测,且响应时间短、响应度高、能够对一定范围的应变进行探测。且本发明传感器制备方法简单,成本低。

    3D石墨烯/一维纳米材料复合结构场发射阴极及制备法

    公开(公告)号:CN106158553A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201610825802.5

    申请日:2016-09-14

    CPC classification number: H01J1/304 H01J9/025

    Abstract: 本发明涉及纳米功能器件场发射技术领域,提供了一种3D石墨烯/一维纳米材料复合结构场发射阴极,包括金属泡沫骨架衬底、石墨烯层以及一维纳米材料层;石墨烯层位于金属泡沫和一维纳米材料层之间,石墨烯层既作为电子传输层又与一维纳米材料层共同作为发射层;还提供了一种上述发射阴极的制备方法。本发明的有益效果为:用金属泡沫作为骨架实现了石墨烯和一维纳米材料的复合结构场发射阴极的制备,具有大量场发射点;石墨烯既作为电子传输层又作为发射层,充分利用了石墨烯的优异性能;制备工艺简单,可实现快速、均匀和大面积3D空间型场发射阴极的制备,而且场发射阴极具有低开启电场、高发射电流密度和发射电流稳定性,具有良好的应用前景。

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