公开(公告)号：CN106158553A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610825802.5

申请日：2016-09-14

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  罗宝和 ,  廖庆亮 ,  赵璇 ,  丁一 ,  冯世安

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025

Abstract: 本发明涉及纳米功能器件场发射技术领域，提供了一种3D石墨烯/一维纳米材料复合结构场发射阴极，包括金属泡沫骨架衬底、石墨烯层以及一维纳米材料层；石墨烯层位于金属泡沫和一维纳米材料层之间，石墨烯层既作为电子传输层又与一维纳米材料层共同作为发射层；还提供了一种上述发射阴极的制备方法。本发明的有益效果为：用金属泡沫作为骨架实现了石墨烯和一维纳米材料的复合结构场发射阴极的制备，具有大量场发射点；石墨烯既作为电子传输层又作为发射层，充分利用了石墨烯的优异性能；制备工艺简单，可实现快速、均匀和大面积3D空间型场发射阴极的制备，而且场发射阴极具有低开启电场、高发射电流密度和发射电流稳定性，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN106158553B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201610825802.5

申请日：2016-09-14

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  罗宝和 ,  廖庆亮 ,  赵璇 ,  丁一 ,  冯世安

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明涉及纳米功能器件场发射技术领域，提供了一种3D石墨烯/一维纳米材料复合结构场发射阴极，包括金属泡沫骨架衬底、石墨烯层以及一维纳米材料层；石墨烯层位于金属泡沫和一维纳米材料层之间，石墨烯层既作为电子传输层又与一维纳米材料层共同作为发射层；还提供了一种上述发射阴极的制备方法。本发明的有益效果为：用金属泡沫作为骨架实现了石墨烯和一维纳米材料的复合结构场发射阴极的制备，具有大量场发射点；石墨烯既作为电子传输层又作为发射层，充分利用了石墨烯的优异性能；制备工艺简单，可实现快速、均匀和大面积3D空间型场发射阴极的制备，而且场发射阴极具有低开启电场、高发射电流密度和发射电流稳定性，具有良好的应用前景。